一种CIGS电池芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种CIGS电池芯片，包括CIGS电池芯片和包裹所述CIGS电池芯片的防水且不透气膜。本实用新型专利技术的保护结构，加工制作工艺简单，成本低，可以阻隔水汽，实现芯片的长距离运输。

【技术实现步骤摘要】
一种CIGS电池芯片
本技术涉及晶体硅太阳能电池领域，具体涉及一种CIGS电池芯片。
技术介绍
当今全球光伏市场是以晶体硅太阳能电池为主，但高能耗的生产工艺导致能源资源的快速消耗将使社会无法承受，也必将制约着光伏产业更大规模的发展。因此，发展低成本、新型薄膜太阳能电池是未来国际光伏产业的必然趋势。CIGS(CuInxGa(1-x)Se2的简称)薄膜太阳能电池，由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池，整个电池薄膜总厚度约3～4微米。该电池成本低、性能稳定、抗辐射能力强，其光电转换效率目前是各种薄膜太阳能电池之首，光谱响应范围宽，在阴雨天光强下输出功率高于其它任何种类太阳能电池，被称为下一代最有前途的太阳能电池之一。传统的铜铟镓硒电池的结构为衬底(玻璃或不锈钢或聚酰亚胺)/Mo背电极/CIGS吸收层/硫化镉缓冲层/i-ZnO/AZO前电极。包括五种薄膜，制备工艺较为复杂。CIGS电池芯片的概念是在衬底上制备完成CIGS电池，没有封装前的CIGS电池。CIGS电池表面的掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CIGS电池芯片，其特征在于，包括CIGS电池芯片本体和包裹所述CIGS电池芯片本体的防水且不透气膜，所述防水且不透气膜为聚乙烯或多层共挤聚烯烃热收缩膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种CIGS电池芯片，其特征在于，包括CIGS电池芯片本体和包裹所述CIGS电池芯片本体的防水且不透气膜，所述防水且不透气膜为聚乙烯或多层共挤聚烯烃热收缩膜。


2.根据权利要求1所述的CIGS电池芯片，其特征在于，所述防水且不透气膜的厚度为400-600μm。


3.根据权利要求1所述的CIGS电池芯片，其特征在于，所述防水且不透气膜至少完全包裹住所述CIGS电池芯片本体的掺铝氧化锌层。


4.根据权利要求1所述的CIGS电池芯片，其特征在于，所述防水且不透气膜完全包裹住整个的所述CIGS电池芯片本体。


5.根据权利要求1所述的CIGS电池芯片，其特征在于，所述防水且不透气膜上没有透气孔。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张传升，赵剑，郭凯，韩青树，
申请(专利权)人：重庆神华薄膜太阳能科技有限公司，中国节能减排有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50