无机EL元件、显示元件、图像显示装置和系统制造方法及图纸

一种无机EL元件，包括：阳极；空穴传输层；发光层；电子传输层和阴极，所述阳极、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层和所述阴极层叠置，其中，所述空穴传输层是氧化物膜，所述发光层是氧化物膜，并且所述电子传输层是氧化物膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无机EL元件、显示元件、图像显示装置和系统
本公开涉及直流驱动的无机EL元件、显示元件、图像显示装置和系统。
技术介绍
近年来，有机EL(OLED)元件或化合物半导体LED被开发用于照明光源或显示器。它们是电流注入型发光元件，其通过直流驱动器而发光并且具有即使在低电压下也以高亮度发光的特性。然而，OLED由有机物形成，因此耐久性低，这是不利的。另外，LED具有以下缺点：由于LED是通过化合物半导体在单晶基板上的外延生长获得的，因此不能在广泛用于显示器的有源矩阵薄膜晶体管(AM-TFT)上形成RGB元件。同时，由氧化物或氧硫化物发射材料形成的无机EL元件具有高耐久性并且具有能在AM-TFT上形成RBG元件的可能性。因此，期望无机EL元件作为下一代显示器的发光元件。根据驱动方法，将无机EL元件主要分为交流驱动的无机EL元件和直流驱动的无机EL元件。交流驱动的无机EL元件通过将无机发光层的薄膜夹在介电体层之间或将数百伏的交流电压施加到分散有荧光微粒的介电体粘合剂中的层而发光。经过广泛的研究和开发，该系统已投入实际使用。r>按照惯例，作为直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无机EL元件，包括：/n阳极；/n空穴传输层；/n发光层；/n电子传输层；和/n阴极，/n所述阳极、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层和所述阴极层叠置，/n其中，所述空穴传输层是氧化物膜，/n所述发光层是氧化物膜，并且/n所述电子传输层是氧化物膜。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180319 JP 2018-050862;20190226 JP 2019-032268;201.一种无机EL元件，包括：
阳极；
空穴传输层；
发光层；
电子传输层；和
阴极，
所述阳极、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层和所述阴极层叠置，
其中，所述空穴传输层是氧化物膜，
所述发光层是氧化物膜，并且
所述电子传输层是氧化物膜。


2.根据权利要求1所述的无机EL元件，
其中，作为所述空穴传输层的氧化物膜是p型氧化物半导体。


3.根据权利要求1或2所述的无机EL元件，其中，
其中，作为所述电子传输层的氧化物膜是n型氧化物半导体。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的无机EL元件，
其中，作为所述发光层的氧化物膜由掺杂有发光中心的氧化物形成。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的无机EL元件，
其中，作为所述空穴传输层的氧化物膜是掺杂有发光中心的p型氧化物半导体并且起发光层的作用。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的无机EL元件，
其中，作为所述电子传输层的氧化物膜是掺杂有发光中心的n型氧化物半导体并且起发光层的作用。


7.根据权利要求4至6中任一项所述的无机EL元件，
其中，所述发光中心是过渡金属离子或稀土离子。


8.根据权利要求4至7中任一项所述的无机EL元件，
其中，所述发光中心包括选自由钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铜(Cu)、钨(W)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)和镱(Yb)所组成的组中的至少一种。


9.根据权利要求4至6中任一项所述的无机EL元件，
其中，在作为所述发光层的氧化物膜中，带隙能等于或高于所述发光中心的激发能的氧化物是所述发光中心的主体。


10.根据权利要求4至6中任一项所述的无机EL元件，
其中，在作为所述发光层的氧化物膜中，带隙能等于或高于所述发光中心的发光能量的氧化物是所述发光中心的主体。


11.根据权利要求1至10中任一项所述的无机EL元件，
其中，作为所述发光层的氧化物膜是包括选自由铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、钪(Sc)、钇(Y...

【专利技术属性】
技术研发人员：植田尚之，中村有希，安部由希子，松本真二，曾根雄司，早乙女辽一，新江定宪，草柳岭秀，安藤友一，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：日本;JP