发光装置、光波长转换装置以及显示装置制造方法及图纸

一种发光装置包括：阳极(610)；阴极(660)；多个发光层(420、602、430、603)，其夹在所述阳极和所述阴极之间；以及光吸收层(450、550)，其配置在从所述多个发光层到光取出面之间，所述多个发光层包括InP系量子点，并且至少发射绿光和红光，所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置、光波长转换装置以及显示装置
本专利技术关于一种包括含有量子点的发光元件的发光装置。
技术介绍
在使用无镉的InP系量子点(QD)作为发光层的发光装置(QLED)中，已知的现有技术是绿色、红色的发光光谱的半值宽度与镉系的半值宽度一样窄。现有技术文献专利文献专利文献1：日本公开特许公报“特开2014-26785号公报”非专利文献非专利文献1：JaehoonLimet.al."HighlyEfficientCadmium-FreeQuantumDotLight-EmittingDiodesEnabledbytheDirectFormationofExcitonswithinInP@ZnSeSQuantumDots",ACSNano7(10)(2013)pp.9019-9026
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题但是，如图3所示，在非专利文献1中，尽管绿色、红色的发光光谱的半值宽度与镉系的半值宽度一样窄，但是存在以下问题，颜色再现域不够广，只能实现BT.202本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其包括：/n阳极；/n阴极；/n多个发光层，其夹在所述阳极和所述阴极之间；以及/n光吸收层，其配置在从所述多个发光层到光取出面之间，所述发光装置的特征在于，/n所述多个发光层包括InP系量子点，并且至少发射绿光和红光，/n所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光装置，其包括：
阳极；
阴极；
多个发光层，其夹在所述阳极和所述阴极之间；以及
光吸收层，其配置在从所述多个发光层到光取出面之间，所述发光装置的特征在于，
所述多个发光层包括InP系量子点，并且至少发射绿光和红光，
所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。


2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述绿色的发光光谱中的峰值波长为520nm～550nm，
所述红色的发光光谱中的峰值波长为620nm～650nm，
所述绿色和红色的发光光谱的半值宽度小于50nm。


3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
通过将所述绿色发光光谱的峰值波长值和半值宽度之和的波长中的所述绿色发光强度除以所述绿色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.02，
通过将所述红色发光光谱的峰值波长值减去半值宽度的波长中的所述红色发光强度除以所述红色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.08。


4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
通过波长590nm中的所述绿色发光光谱的发光强度除以所述绿色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.03，
通过波长590nm中的所述红色发光光谱的发光强度除以所述红色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.05。


5.根据权利要求1～4中任意一项所述的发光装置，其特征在于，
所述光吸收层由包含金属纳米板的材料构成。


6.根据权利要求1～5中任意一项所述的发光装置，其特征在于，
所述发光装置进一步包括空穴传...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉村健一，小桥正，加护政史，两轮达也，和泉真，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP