包括全向聚合物链的聚酰亚胺膜、其制造方法及使用其制造的石墨片技术

本发明专利技术提供一种用于制造包括全向分布的单元聚合物的聚酰亚胺膜的方法以及一种聚酰亚胺膜。本发明专利技术还提供一种石墨片，所述石墨片是使用所述聚酰亚胺膜制造的，从而具有良好的质量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括全向聚合物链的聚酰亚胺膜、其制造方法及使用其制造的石墨片
本专利技术涉及包括全向聚合物链的聚酰亚胺膜、其制造方法以及使用其制造的石墨片。
技术介绍
近来，电子设备已经逐渐变得更轻、更小、更薄，并且其结构的集成度更高，并且随着单位体积产生的热量的增加，出现了许多与热负荷相关的问题。这些问题通常直接影响电子设备的性能，例如由于电子设备的热负荷而降低半导体的工作速度，以及由于电池的退化而缩短电池的寿命。出于这个原因，电子设备的有效散热已经成为一项非常重要的任务。具有高热导率的石墨作为用于电子设备的散热手段正受到关注。特别是，易于加工成片状并且热导率比铜或铝高约2至7倍的人造石墨片成为人们关注的焦点。这种人造石墨片可以通过聚合物的碳化和石墨化来制造。在这些聚合物中，能够耐受约400℃以上的温度的耐热聚合物可用作石墨前体。这种耐热聚合物的代表性示例是聚酰亚胺(PI)。聚酰亚胺是有机材料中具有最高水平的耐热性、耐药性、电绝缘性、耐化学性和耐候性的聚合物材料，其基于刚性芳族主链和具有非常优异的化学稳定性的酰亚胺环。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造聚酰亚胺膜的方法，所述方法包括：/n通过混合第一有机溶剂、二胺单体和二酐单体来制备包括第一单元聚合物的聚酰胺酸溶液；/n通过混合所述聚酰胺酸溶液、至少一种酰亚胺化促进剂和至少一种脱水剂来制备前体组合物；和/n形成包括第二单元聚合物的聚酰亚胺膜，其中，通过在可变温度下使所述前体组合物进行酰亚胺化将所述第一单元聚合物转化成所述第二单元聚合物，/n其中，满足以下处理条件(a)：/n540μm<C

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180322 KR 10-2018-00333481.一种用于制造聚酰亚胺膜的方法，所述方法包括：
通过混合第一有机溶剂、二胺单体和二酐单体来制备包括第一单元聚合物的聚酰胺酸溶液；
通过混合所述聚酰胺酸溶液、至少一种酰亚胺化促进剂和至少一种脱水剂来制备前体组合物；和
形成包括第二单元聚合物的聚酰亚胺膜，其中，通过在可变温度下使所述前体组合物进行酰亚胺化将所述第一单元聚合物转化成所述第二单元聚合物，
其中，满足以下处理条件(a)：
540μm<C2*T<610μm(a)
其中，C是相对于1mol所述聚酰胺酸的酰胺酸基团，加入的所述酰亚胺化促进剂的摩尔量和加入的所述脱水剂的摩尔量的总和，并且T是所述聚酰亚胺膜的厚度。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前体组合物包括第一状态，在所述第一状态下，所述聚酰胺酸的第一单元聚合物是全向性的，并且当满足所述处理条件(a)时，至少一部分所述第一单元聚合物被酰亚胺化至所述第一状态，从而形成全向分布的所述第二单元聚合物。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，相对于1mol所述聚酰胺酸的酰胺酸基团，加入的所述酰亚胺化促进剂的摩尔量为0.43至0.6，并且相对于1mol所述聚酰胺酸的酰胺酸基团，加入的所述脱水剂的摩尔量为2.50至3。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述酰亚胺化促进剂是具有促进所述第一单元聚合物中每个第一单元聚合物的酰胺酸基团进行闭环脱水反应的效果的组分。


5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一催化剂是选自由喹啉、异喹啉、β-甲基吡啶和吡啶组成的组中的至少一种。


6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述脱水剂是能够使所述第一单元聚合物中每个第一单元聚合物的酰胺酸基团进行脱水和闭环的组分。


7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述脱水剂是选自由乙酸酐、丙酸酐和乳酸酐组成的组中的至少一种。


8.根据权利要求3所述的方法，其中，在制备所述前体组合物的过程中，将第二有机溶剂与所述酰亚胺化促进剂和所述脱水剂一起加入。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，当对所述聚酰亚胺膜进行电晕处理并使用粘附剂进行测试时，所述聚酰亚胺膜的粘附性为1400gf/mm以...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵亨燮，金在玄，
申请(专利权)人：聚酰亚胺先端材料有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR