一种宽频带工作的差分有源电感制造技术

一种宽频带工作的差分有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一N型MOS晶体管(M

【技术实现步骤摘要】
一种宽频带工作的差分有源电感
本专利技术涉及射频器件与射频集成电路领域，特别是涉及宽工作频带内保持高Q值及大电感值的射频电感元件。
技术介绍
电感是设计压控振荡器、分频器、放大器等射频集成电路(RFICs)的基本元件。目前经常使用的在片无源螺旋电感，虽具有结构简单、无直流功耗等特点，但往往存在着面积大、寄生电阻电容大，导致品质因数(Q值)低、工作频率较小且电感值和Q值不可调节等缺点，越来越不符合CMOSRFICs向小面积和高性能发展的趋势。采用MOS晶体管合成的等效电感电路(有源电感，AI)，因其面积小、电感性能可调等优势，为克服在片无源螺旋电感上述问题提供了一个解决方案，引起了学者的广泛关注。但是，目前大多数报道的有源电感，难以同时取得宽的工作频带、在宽频带以及高频下大的电感值和高的Q值。这是由于所采用的现有技术手段的局限性所决定的。例如，广泛采用的反馈电阻技术，对提升有源电感的Q值和电感值是有效的，但只局限于较低频率范围内，不能改善工作带宽及高频性能，难以使有源电感获得优良的综合性能。专利
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种宽频带工作的差分有源电感，其特征在于，包括：第一N型MOS晶体管(M

【技术特征摘要】
1.一种宽频带工作的差分有源电感，其特征在于，包括：第一N型MOS晶体管(M1)，第二N型MOS晶体管(M2)，第三N型MOS晶体管(M3)，第四N型MOS晶体管(M4)，第五P型MOS晶体管(M5)，第六P型MOS晶体管(M6)，第七N型MOS晶体管(M7)，第八N型MOS晶体管(M8)和由无源电感L和MOS变容管构成的有源电容C经并联组成的LC谐振电路；
其中，无源电感L的第一端和由MOS变容管构成的电容C的第一端，同时连接正输入端(Vin+)、第三N型MOS晶体管(M3)的源极、第二N型MOS晶体管(M2)的栅极、第四N型MOS晶体管(M4)的漏极、第六P型MOS晶体管(M6)的漏极；第三N型MOS晶体管(M3)的栅极同时连接第一N型MOS晶体管(M1)的源极和第七N型MOS晶体管(M7)的漏极；无源电感L的第二端和由MOS变容管构成的电容C的第二端，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张万荣，万禾湛，谢红云，金冬月，那伟聪，张思佳，张昭，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11