【技术实现步骤摘要】
一种低温度系数快速电压检测电路
本专利技术属于能量采集领域,特别涉及一种能够实现低温度系数快速的电压检测电路。
技术介绍
随着物联网技术的发展,从环境中获得能量为设备供电是当前的一个重要的研究方向,能量采集电路通过转换电路将能量源产生的电压转换到系统所需要的电压值。由于环境的变化会使得能量源产生的电压值发生波动,为实现能量采集系统输出电压的稳定,需要对输入或者输出电压进行检测。由于能量源产生的功率一般比较低,因此能量采集电路中各个模块的功耗需要最小化。并且物联网节点的工作环境比较复杂,因此电压检测电路需要由良好的温度隔离性,使检测电压不受温度影响。另外,电压检测电路的快速响应有利于保持能量采集系统输出电压的稳定,因此本专利技术提出一种低温度系数快速的电压检测电路。通常使用带隙基准(BGR)和比较器来检测电压,由于带隙基准电路工作电压比较高,并且使用直流偏置电阻,因此它功耗会比较大。而能量采集电路一般需要在低电压低功耗下工作,有人提出一种由两个cascode结构的MOS管构成电压检测电路,通过比较上拉网络的电流和下拉网 ...
【技术保护点】
1.一种低温度系数快速电压检测电路,其特征在于该电压检测电路包括CTAT偏置电路、正反馈偏置电路和电压检测电路;供电电压即输入信号端(V
【技术特征摘要】
1.一种低温度系数快速电压检测电路,其特征在于该电压检测电路包括CTAT偏置电路、正反馈偏置电路和电压检测电路;供电电压即输入信号端(Vin),电路整体输出信号端(Vout);CTAT偏置电路的输出端(Vbias)接电压检测电路的输入端,电压检测电路的输出端即电路整体输出信号端(Vout)与正反馈偏置电路的输入端相连。
2.根据权利要求1所述的一种低温度系数快速电压检测电路,其特征在于,所述的CTAT偏置电路部分由第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)组成;正反馈偏置电路由第六晶体管(M6)和第七晶体管(M7)组成;电压检测电路部分由级联的第八晶体管(M8)和第九晶体管(M9)组成。
3.根据权利要求1所述的一种低温度系数快速电压检测电路,其特征在于,所述的第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第八晶体管(M8)为PMOS晶体管,第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)、第六晶体管(M6)、第七晶体管(M7)、第九晶体管(M9)为NMOS晶体管。
4.根据权利要求3所述的一种低温度系数快速电压检测电路,其特征在于,所述的其中第五晶体管(M5)为厚栅NMOS管,具有较高的阈值电压。
5.根据权利要求2所述的一种低温度系数快速电压检测电路,其特征在于,所述的CTAT偏置电路中,第一晶体管(M1)源级连供电电压即输入信号端(Vin),第一晶体管(M1)的栅极分别与第一晶体管(M1)的漏极和第...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴建辉,周全才,谢祖帅,吴志强,瞿剑,
申请(专利权)人:东南大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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