基于环状磁约束技术的击穿光谱检测系统及方法技术方案

本发明专利技术提供了一种基于环状磁约束技术的击穿光谱检测系统及方法，所述系统包括激光发射机构、环状磁场机构、检测机构、信号采集机构和计算机；所述检测机构包括用于放置被测样品的置物台，所述环状磁场机构包括环绕所述置物台设置的N极大磁铁、S极大磁铁、第一N极小磁铁、第二N极小磁铁、第一S极小磁铁和第二S极小磁铁；本发明专利技术将激光诱导击穿光谱技术与环状磁场约束组合测量具有更高的灵敏度和准确度，本发明专利技术采用的是环状磁场，为激光诱导击穿光谱技术的谱线增强方法提供了新的思路，在该领域具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
基于环状磁约束技术的击穿光谱检测系统及方法
本专利技术涉及光谱检测
，具体地说是涉及一种基于环状磁约束技术的击穿光谱检测系统及方法。
技术介绍
激光诱导击穿光谱技术是原子发射光谱法的一种常见技术。该技术是将高功率激光脉冲聚焦到样品表面上产生等离子体，并通过光谱探测器探测等离子体所发射出的光谱信号，通过分析谱图中元素对应的特征峰强度即可用于样品的定性以及定量分析。激光诱导击穿光谱技术具备无需对样品进行预处理，同时对多种元素进行检测的特点，且对样品消耗量极低以及破坏性小，实现微损甚至近于无损检测，因此在冶金、土壤等分析领域具有广阔的应用前景。近年来的研究表明激光诱导击穿光谱技术尚有欠缺。比如重复性较差，定量分析精度较差等。重复性较差通常采用多次试验取平均值的方法来弥补；而定量分析精度较差的问题则常需要在激光诱导击穿光谱技术系统中增加约束进行改善。如增加磁场约束、腔体约束，采用双脉冲激发，增加纳米金属颗粒，预加热等，以上方法均可改善光谱信号信噪比，提高定量分析的精度。通过调研可知，对于激光诱导击穿光谱增强技术中，空间约束、预加热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于环状磁约束技术的击穿光谱检测系统，其特征是，所述系统包括激光发射机构、环状磁场机构、检测机构、信号采集机构和计算机；/n所述激光发射机构包括Nd：YAG激光器、反射镜和聚焦透镜，所述Nd：YAG激光器用于发射脉冲激光，所述反射镜用于改变脉冲激光的传播方向，所述聚焦透镜用于对脉冲激光进行会聚，经会聚后的脉冲激光射入所述检测机构；/n所述检测机构包括用于放置被测样品的置物台，所述环状磁场机构包括环绕所述置物台设置的N极大磁铁、S极大磁铁、第一N极小磁铁、第二N极小磁铁、第一S极小磁铁和第二S极小磁铁；所述N极大磁铁位于置物台左侧，所述S极大磁铁位于置物台右侧，所述第一N极小磁铁和第一S...

【技术特征摘要】
1.一种基于环状磁约束技术的击穿光谱检测系统，其特征是，所述系统包括激光发射机构、环状磁场机构、检测机构、信号采集机构和计算机；
所述激光发射机构包括Nd：YAG激光器、反射镜和聚焦透镜，所述Nd：YAG激光器用于发射脉冲激光，所述反射镜用于改变脉冲激光的传播方向，所述聚焦透镜用于对脉冲激光进行会聚，经会聚后的脉冲激光射入所述检测机构；
所述检测机构包括用于放置被测样品的置物台，所述环状磁场机构包括环绕所述置物台设置的N极大磁铁、S极大磁铁、第一N极小磁铁、第二N极小磁铁、第一S极小磁铁和第二S极小磁铁；所述N极大磁铁位于置物台左侧，所述S极大磁铁位于置物台右侧，所述第一N极小磁铁和第一S极小磁铁位于置物台上侧，所述第二N极小磁铁和第二S极小磁铁位于置物台下侧，所述第一N极小磁铁与第二S极小磁铁竖直相对，所述第一S极小磁铁与第二N极小磁铁竖直相对；
所述信号采集机构包括光纤以及与所述光纤相连的光谱仪，所述光谱仪与计算机相连；所述光纤靠近所述置物台设置，并用于对被测样品产生的等离子体进行采集并传输到光谱仪；所述计算机用于对光谱仪输入的信号进行数据处理与分析。


2.根据权利要求1所述的基于环状磁约束技术的击穿光谱检测系统，其特征是，所述光谱仪为海洋光学Maya2000光纤光谱仪。

【专利技术属性】
技术研发人员：李红莲，谢红杰，张仕钊，李小亭，方立德，
申请(专利权)人：河北大学，
类型：发明
国别省市：河北;13