【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料能带结构和物理性质参数的测试方法和半导体光谱
，特别是半绝缘的等电子掺杂半导体高阶临界点的光谱测试方法。
技术介绍
半导体能带结构参数的确定，是半导体材料研究的一个重要研究方向，它对于研究半导体材料的物理性质和半导体材料在半导体器件方面的应用有重要意义。半导体能带结构上的一些临界点对半导体能带结构的确定非常重要，比如禁带宽度E0以及能量更高的一些高价临界点E1和E2等。 近几十年来，人们发表了各种调制光谱方法。调制反射光谱在吸收边以上的光谱测量中有重要作用，亦即在最低能带极值以上的半导体能带结构研究中有重要的作用。但是，调制光谱方法在研究一些半导体材料的能带结构和光学性质时也受到一些限制。举例而言，最近关于GaAsN材料的能带结构中，在GaAsN的吸收边E0和自旋-轨道劈裂相关的临界点E0+Delta0以上，调制反射光谱还发现一个新峰E+。能带交叉理论预言，当GaAsN材料中氮的含量小于0.2％时，E+能级的能量将低于临界点E0+Delta0的能量。尽管调制反射光谱在测量能带结构临界点上具有很高的灵敏度，但是，目前所有调制反射光...
【技术保护点】
一种探测半导体材料能带结构高阶临界点的新方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：在衬底材料上生长半绝缘的半导体材料，或者在样品生长过程中对半导体材料进行等电子掺杂，形成半绝缘的二元或三元合金材料；步骤２：利用显微荧光光谱仪测试等电子掺杂后的半导体材料的低温显微光致发光谱；步骤３：利用不同波长对半导体材料不同的穿透深度这一物理性质来消除来源于衬底的光谱信号对外延层等电子掺杂半导体材料光谱信号的影响，同时，利用各临界点光谱不同的激发光波长依赖关系对它们进行进一步的指认；步骤４：在显微光致发光光谱的基础上，结合变激发光波长和变激发光强度和共振拉曼散射手段，确定半导体材料的高阶临界点。
【技术特征摘要】
1.一种探测半导体材料能带结构高阶临界点的新方法，其特征在于，包括如下步骤步骤1在衬底材料上生长半绝缘的半导体材料，或者在样品生长过程中对半导体材料进行等电子掺杂，形成半绝缘的二元或三元合金材料；步骤2利用显微荧光光谱仪测试等电子掺杂后的半导体材料的低温显微光致发光谱；步骤3利用不同波长对半导体材料不同的穿透深度这一物理性质来消除来源于衬底的光谱信号对外延层等电子掺杂半导体材料光谱信号的影响，同时，利用各临界点光谱不同的激发光波长依...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭平恒，徐仲英，罗向东，葛惟昆，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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