一种新型测量MOSFET VDS的治具制造技术

本实用新型专利技术公开一种新型测量MOSFET VDS的治具，包括：前端测试主体，供探棒探头插接的后端插接主体；使用时将探棒探头插接进后端插接主体，后端插接主体插接进前端测试主体，前端测试主体的探针接触被测点，并由固定件固定治具，无需焊接飞线和手持，测量的VDS更准确，可用双手进行VDS测量中的操作，提高了测试容错率，同时，在最大程度上避免了由于手部细微抖动而引起的测试返工与板卡损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种新型测量MOSFETVDS的治具
本技术涉及测量MOSFET的工具领域，具体涉及一种新型测量MOSFETVDS的治具。
技术介绍
在进行VR电路设计的过程中，当MOSFET的实际VDS与其Datasheet规定的范围不相符时，MOSFET被烧毁的可能性将会提高。因此，在板卡级PI测试时，通常会考虑对MOSFET的漏-源电压进行测试。VR电路中需使用上下两个MOS,其VDS值均需要被测试。测试时，一般使用高压探棒分别对上MOS的D极(输入电压端)、S极(输出电感的SW端)和下MOS的D极(输出电感的SW端)、S极(GND端)进行测试。针对MOSFET的VDS测试，目前主要有两种操作方法：方案1：在D端和S端焊接飞线，并将其正负两端分别连接高压差分探棒进行测量；方案2：连接高压差分探棒与金属牛角针，调节距离后，手持牛角针的绝缘皮，将其两个探针分别扎在D端和S端，保持一段时间。同时，使用示波器余晖功能记录这一段时间内的波形，完成测试。方案1焊接飞线法测量的VDS值偏高。方案2使用金属牛角针测量较为准确，但该方法需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型测量MOSFET VDS的治具，其特征在于，包括：前端测试主体，供探棒探头插接的后端插接主体；/n所述前端测试主体包括上端开口的放置槽，放置槽下端设置正极导电凹槽和负极导电凹槽，正极导电凹槽和负极导电凹槽分别连接一探针，探针伸出放置槽外，且伸出放置槽外的部分套穿在绝缘外壳内；放置槽上还设置有固定治具的固定件；/n所述后端插接主体包括上端开口的插接槽，插接槽下端设置正极导电凸起和负极导电凸起，正极导电凸起可插接进所述正极导电凹槽内，负极导电凸起可插接进所述负极导电凹槽内；正极导电凸起和负极导电凸起上端连接有与探棒探头连接的导电件。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型测量MOSFETVDS的治具，其特征在于，包括：前端测试主体，供探棒探头插接的后端插接主体；
所述前端测试主体包括上端开口的放置槽，放置槽下端设置正极导电凹槽和负极导电凹槽，正极导电凹槽和负极导电凹槽分别连接一探针，探针伸出放置槽外，且伸出放置槽外的部分套穿在绝缘外壳内；放置槽上还设置有固定治具的固定件；
所述后端插接主体包括上端开口的插接槽，插接槽下端设置正极导电凸起和负极导电凸起，正极导电凸起可插接进所述正极导电凹槽内，负极导电凸起可插接进所述负极导电凹槽内；正极导电凸起和负极导电凸起上端连接有与探棒探头连接的导电件。


2.根据权利要求1所述的新型测量MOSFETVDS的治具，其特征在于，后端插接主体供差分探棒插接；所述导电件包括：与正极导电凸起连接的正极金属插针和与负极导电凸起连接的负极金属插针。


3.根据权利要求2所述的新型测量MOSFETVDS的治具，其特征在于，插接槽相对的两内侧壁上各设置一倒L型绝缘挡板。


4.根据权利要求1所述的新型测量MOSFETVDS的治具，其特征在于，后端...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱致远，石德礼，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32