【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的领域涉及半导体加工，特别涉及用于冲企测半导体加工环境 中的气体浓度的装置。
技术介绍
控制半导体加工中的环境是非常重要的。典型地，半导体是在工艺 室中从晶片制造出来的。 一个或多个扩散步骤之后(或之前)是掩蔽步 骤以在晶片上定义半导体制造位置。 一旦制造位置得以定义，该工艺可 重复任意次数，这取决于所制造的器件的复杂度。一旦半导体器件在所定义的位置得以建立，在所定义的位置可以形 成一组连接。连接可以通过任意数量的掩蔽、沉积和腐蚀步骤形成。在制造工艺的每一步骤中，可以使用不同的反应材料。通常这些反 应材料是气体形式的。为了提供一致性的半导体产品，通常必须通过精确控制反应气体可 靠地控制扩散、沉积和腐蚀工艺。典型地，这通过控制反应材料进入工 艺室的流量来完成。在半导体薄膜加工中，知道工艺室中精确的气体组分是非常重要 的。常规地，这主要由流量控制来完成，但是仅仅是流量控制还不能识 别在反应室中存在的反应气体的比例，特别是当有其它气体，例如载气 或背景气体存在时。因此，需要一种更好的测量气体含量，特别是在涉及多种气体的工 艺环境中测量气体含量的方法。附图说明...
【技术保护点】
用于测量半导体薄膜工艺中的气体的装置，这种装置包括： 置于薄膜工艺环境内的光学谐振器； 以该气体的特征频率激励该光学谐振器的可调谐激光器； 检测谐振器内能量的检测器。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：BE科尔，Y古，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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