红外快速晶体生长速度测定仪制造技术

本实用新型专利技术提供了一种结构简单，操作简单且测量精度优于现有技术的特殊光学红外快速晶体生长速度测定仪，本实用新型专利技术红外快速晶体生长速度测定仪包括一个镜筒（６），置在镜筒一端的透镜片（１），一个可沿镜筒纵向移动的定位环（５），定位环前端的定位板（３）上置有红外二极管（２）。本测定仪克服了现有的“高速摄影法”和“双红外二极管法”的各种缺陷。（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种红外快速晶体生长速度测定仪，特别是用于测定熔点600℃以上的液态金属或合金中的快速晶体生长速度。目前国内外用于测定晶体生长速度只有两种技术，一种是高速摄影法，另一种是双红外二极管法，高速摄影法的缺点很多，一是摄影速度一般在每秒10000张以下，因此时间分辨不能达1μS量级，从而不可能精确测定50m/s以上的快速枝晶生长速度；二是高速摄影机的快门触发很难与再辉过程的起始点同步控制，摄影成功率较低；三是电影胶片的冲洗和此后的图象分析过程复杂，必须专业人员协助处理；四是整个测定实验过程复杂，必须2-3人合作进行，并且实验成本非常昂贵，而双红外二级管法由于试样尺寸较小，而试样表面上两个特定位置的距离需要根据光学系统的特征参数计算，误差较大，二是这种方法只适用于悬浮无容器凝固，而不适用于其它深过冷方法，三是必须采用外部籽晶诱发质形核，测定过程较复杂，四是采用这种方法必须至少2人合作实验，并且操作复杂，实验效率低。本技术的目的在于提供一种结构简单，操作简单且测量精度优于现有技术的特殊光学红外快速晶体生长速度测定仪，本测定仪克服了现有的“高速摄影法”和“双红外二极管法”的各本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外快速晶体生长速度测定仪，其特征在于：它包括一个镜筒（６），置在镜筒一端的凸透镜（１），一个可沿镜筒纵向移动的定位环（５），定位环前端的定位板（３）上置有红外二极管（２）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏炳波，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：实用新型
国别省市：61[中国|陕西]