用于加速抗蚀剂和蚀刻模型校准的实时调节方法技术

本公开涉及一种用于加速制作过程模型的校准的方法，该方法包括执行以下的一次或更多次迭代：定义一个或更多个制作过程模型项；接收与所述一个或更多个制作过程模型项有关的预先确定的信息；基于所述预先确定的信息生成制作过程模型，所述制作过程模型被配置为生成与量测测规有关的一个或更多个预测；确定与测规的尺寸有关的预测是否在于制作过程后的晶片上测量的测规的预先确定的阈值之内；以及响应于预测未突破预先确定的阈值，优化一个或更多个制作过程项，使得与测规的尺寸有关的预测在制作过程后的晶片上测量的测规的预先确定的阈值之内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于加速抗蚀剂和蚀刻模型校准的实时调节方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月20日提交的美国申请62/645,756的优先权，该申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本公开涉及用于加速抗蚀剂和蚀刻模型校准的实时调节方法。
技术介绍
光刻设备可例如用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，掩模可以包含与IC的单个层相对应的电路图案，并且该图案可以成像到已涂覆有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个管芯)上。通常，单个晶片将包含相邻目标部分的整个网络，这些目标部分经由投影系统被一次一个地相继辐照。在使用光刻投影设备的制造过程中，将掩模图案成像到至少部分地被辐射敏感材料(抗蚀剂)层覆盖的衬底上。在该成像步骤之前，可以对衬底进行各种工序，诸如底涂、抗蚀剂涂覆和软焙烤。曝光后，可以对衬底进行其他工序，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及成像特征的测量/检查。该工序阵列用作图案化器件(例如IC)的单个层的基础。然后，这种图案化的层可以经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于加速制作过程模型的校准的方法，所述方法包括：/n执行以下操作的一次或更多次迭代，直到由所述制作过程模型进行的与量测测规的尺寸有关的预测在制作过程后的晶片上测量的量测测规的预先确定的阈值之内：/n定义一个或更多个制作过程模型项；/n接收与所述一个或更多个制作过程模型项有关的预先确定的信息；/n基于所述预先确定的信息生成制作过程模型，所述制作过程模型被配置为生成与所述量测测规有关的一个或更多个预测；和/n确定与所述量测测规的尺寸有关的预测是否在先前于制作过程后的晶片上测量的所述量测测规的预先确定的阈值之内。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180320 US 62/645,7561.一种用于加速制作过程模型的校准的方法，所述方法包括：
执行以下操作的一次或更多次迭代，直到由所述制作过程模型进行的与量测测规的尺寸有关的预测在制作过程后的晶片上测量的量测测规的预先确定的阈值之内：
定义一个或更多个制作过程模型项；
接收与所述一个或更多个制作过程模型项有关的预先确定的信息；
基于所述预先确定的信息生成制作过程模型，所述制作过程模型被配置为生成与所述量测测规有关的一个或更多个预测；和
确定与所述量测测规的尺寸有关的预测是否在先前于制作过程后的晶片上测量的所述量测测规的预先确定的阈值之内。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述制作过程模型包括抗蚀剂模型。


3.根据权利要求2所述的方法，还包括确定与所述量测测规的尺寸有关的所述预测是否在先前于显影后的抗蚀剂上测量的所述量测测规的预先确定的阈值之内。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述制作过程模型包括蚀刻模型。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或更多个制作过程模型项中的单个项包括对应于高斯矢量的标准偏差的系数，并且其中所述预先确定的信息包括施加于所述高斯矢量的标准偏差的预先确定的高斯模糊。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括通过确定两个或更多个制作过程模型项的乘积来确定由所述两个或更多个制作过程模型项的交叉贡献导致的效应。


7.根据权利要求6所述的方法，其中所述制作过程模型包括抗蚀剂模型，其中所述抗蚀剂模型项包括所述抗蚀剂中的负载和酸分布，并且其中确定所述抗蚀剂中的负载和酸分布的交叉贡献包括确定与负载和酸分布相对应的抗蚀剂模型项的乘积。


8.根据权利要求1所述的方法，其中与所述预先确定的量测测量结果相对应的量测测规包括唯一的识别参数，其中所述唯一的识别参数是基于制作过程图案和预先确定的制作处理范围来确定的，其中对应于所述唯一的识别参数的制作过程模型优化被存储在数据库中，并且其...

【专利技术属性】
技术研发人员：石洪菲，王进泽，阳鹏程，王磊，冯牧，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL