检查工具和检查方法技术

描述了一种检查半导体样本的方法，样本包括具有多个开口的结构，这些开口位于结构的顶层，方法包括以下步骤：‑使用SEM生成结构的图像；‑通过以下方式检查多个开口中的一个开口：‑基于图像确定开口的尺寸；并且‑基于图像的对比度来确定开口的打开状态；‑基于开口的所确定的尺寸和所确定的打开状态两者来确定开口的质量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检查工具和检查方法相关申请的交叉引用本申请要求在2018年3月13日提交的EP申请18161533.7的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及一种基于SEM的检查工具、检查方法和光刻设备。
技术介绍
光刻设备是一种机器，其将期望的图案施加到衬底上，通常施加到衬底的目标部分上。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，可以使用图案化装置，该图案化装置或者被称为掩模或掩模版，以生成待形成在IC的个别层上的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如硅晶圆)上的目标部分(例如包括部分管芯、一个管芯或几个管芯)上。图案的转移通常通过成像到被提供在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续图案化的临近目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分，传统的光刻设备还包括所谓的扫描器，其中通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案，同时沿与该方向平行或反平行的方向同步扫描衬底来辐射每个目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检查半导体样本的方法，所述样本包括具有多个开口的结构，所述多个开口位于所述结构的顶层，所述方法包括以下步骤：/n-使用SEM生成所述结构的图像；/n-通过以下方式检查一个开口或所述多个开口：/n-基于所述图像确定所述一个开口或所述多个开口的尺寸；并且/n-基于所述图像的对比度来确定所述一个开口或多个开口的打开状态；并且/n-基于所确定的所述尺寸和所确定的所述打开状态两者来确定所述一个开口或所述多个开口的质量。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180313 EP 18161533.71.一种检查半导体样本的方法，所述样本包括具有多个开口的结构，所述多个开口位于所述结构的顶层，所述方法包括以下步骤：
-使用SEM生成所述结构的图像；
-通过以下方式检查一个开口或所述多个开口：
-基于所述图像确定所述一个开口或所述多个开口的尺寸；并且
-基于所述图像的对比度来确定所述一个开口或多个开口的打开状态；并且
-基于所确定的所述尺寸和所确定的所述打开状态两者来确定所述一个开口或所述多个开口的质量。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述对比度包括在所述图像上在所述开口的内部和所述开口的外部观察到的强度的差。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口的所述尺寸包括所述开口的直径，并且确定所述开口的所述直径包括对所述图像应用椭圆拟合算法。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口的所述尺寸包括所述开口的直径，并且其中基于沿着穿过所述图像的线的强度分布来确定所述开口的所述直径，所述线在所述图像上穿过所述开口。


5.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述开口的打开状态包括将所述图像的所述对比度与阈值对比度进行比较。


6.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述开口的打开状态的步骤包括：
-对于多个开口，将对比度确定为在所述开口的内部和所述开口的...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·J·胡伊斯曼，S·F·伍伊斯特，H·A·迪伦，D·M·C·奥尔斯霍特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL