一种供电开关电路及用电设备制造技术

本申请提出一种供电开关电路及用电设备。供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载；控制模块用于向充放电模块输出指示电压；充放电模块用于指示电压为高电平时，使开关电源与晶体管的栅极导通，以将晶体管的漏极和晶体管的源极切换为导通状态；指示电压为低电平时，使第四端与晶体管的栅极导通，以将晶体管的漏极和晶体管的源极切换为断开状态。通过充放电模块第三端输出高低电平的切换，以实现对晶体管开断状态的切换，从而实现整个电路开关的控制。相对于现有方案，NMOS晶体管开关频率更高，处于半导通时间短，产生的热量小，开关元件的开关损耗更低。

A power supply switch circuit and electrical equipment

【技术实现步骤摘要】
一种供电开关电路及用电设备
本申请涉及开关领域，具体而言，涉及一种供电开关电路及用电设备。
技术介绍
随着科学进步和社会发展，人类社会对电能的利用形式越来越多、依赖程度越来越深。各种各样的用电设备被广泛地应用到各个行业和领域。而用电设备往往都需要设置开关，以对设备进行控制。开关的灵敏度和质量在一定程度上决定了用电设备的反应速度和故障频率。现有的电路开关多采用继电器实现，而继电器开关存在反应速度慢，使用寿命短的问题。可能地，因为开关故障，可能导致设备损坏。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种供电开关电路及用电设备，以解决上述问题。为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：第一方面，本申请实施例提供一种供电开关电路，所述供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载，所述负载的正极与供电正极连接，所述负载的负极与所述NMOS晶体管的漏极连接，所述NMOS晶体管的源极与供电负极连接；所述充放电模块包含第一端、第二端、第三端以及第四端，所述第一端与所述开关电源连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种供电开关电路，其特征在于，所述供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载，所述负载的正极与供电正极连接，所述负载的负极与所述NMOS晶体管的漏极连接，所述NMOS晶体管的源极与供电负极连接；/n所述充放电模块包含第一端、第二端、第三端以及第四端，所述第一端与所述开关电源连接，所述第二端与所述控制模块连接，所述第三端与所述NMOS晶体管的栅极连接，所述第四端与所述供电负极连接；/n所述控制模块用于向所述充放电模块输出指示电压；/n所述充放电模块用于所述指示电压为高电平时，使所述开关电源与所述NMOS晶体管的栅极导通，所述第四端与所述NMOS晶体管的栅极断开，以...

【技术特征摘要】
1.一种供电开关电路，其特征在于，所述供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载，所述负载的正极与供电正极连接，所述负载的负极与所述NMOS晶体管的漏极连接，所述NMOS晶体管的源极与供电负极连接；
所述充放电模块包含第一端、第二端、第三端以及第四端，所述第一端与所述开关电源连接，所述第二端与所述控制模块连接，所述第三端与所述NMOS晶体管的栅极连接，所述第四端与所述供电负极连接；
所述控制模块用于向所述充放电模块输出指示电压；
所述充放电模块用于所述指示电压为高电平时，使所述开关电源与所述NMOS晶体管的栅极导通，所述第四端与所述NMOS晶体管的栅极断开，以将所述NMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的源极切换为导通状态；
所述充放电模块还用于所述指示电压为低电平时，使所述开关电源与所述NMOS晶体管的栅极断开，所述第四端与所述NMOS晶体管的栅极导通，以将所述NMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的源极切换为断开状态。


2.如权利要求1所述的供电开关电路，其特征在于，所述控制模块包括运算放大器、基准电压单元以及控制电压单元，所述控制电压单元与所述运算放大器的同相输入端连接，所述基准电压单元与所述运算放大器的反相输入端连接，所述运算放大器的输出端与所述第二端连接；
所述控制电压单元用于向所述同相输入端输出控制电压；
所述基准电压单元用于向所述反相输入端输出基准电压；
所述运算放大器用于当所述控制电压高于所述基准电压时，所述输出端向所述第二端输出高电平的指示电压；还用于当所述控制电压低于所述基准电压时，所述输出端向所述第二端输出低电平的指示电压。


3.如权利要求2所述的供电开关电路，其特征在于，所述运算放大器的供电正端与所述开关电源连接，所述运算放大器的供电负端分别与所述供电负极、地连接。


4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李绍飞，陈智慧，罗烜，郭凡玉，
申请(专利权)人：成都天锐星通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51