一种大功率窄线宽激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种大功率窄线宽激光器，属于激光器技术领域，光选模区增大了光横模中高阶模式部分的衰减，使得激光器的高阶横模无法产生。光放大区提供了激光稳定振荡过程中的增益。选模放大芯片与第二准直镜组相邻的一端，镀有低反射率增透膜。选模放大芯片与第一准直镜组相邻的一端，镀有中反射率增透膜，相对于传统激光器技术，本发明专利技术的方案能够同时实现大功率、窄线宽激光输出，从而满足多种应用需求。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率窄线宽激光器
本专利技术涉及一种激光器，特别是涉及一种大功率窄线宽激光器，属于激光器

技术介绍
激光器是工业、通信、传感、医疗等领域重要的核心器件。激光器的线宽、功率是其中重要的特性指标，实现窄线宽、大功率的激光器，有重要的应用价值。当前的技术方案中，实现100kHz级别线宽的窄线宽激光器，主要依靠外腔技术，典型的Littrow结构和Littman结构在实现大功率输出时，功率只能做到40-60mW，具有一定的局限性。而能实现大功率输出的半导体激光器技术，其线宽又很差,为此设计一种大功率窄线宽激光器来优化上述问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是为了提供一种大功率窄线宽激光器，光选模区增大了光横模中高阶模式部分的衰减，使得激光器的高阶横模无法产生。光放大区提供了激光稳定振荡过程中的增益。选模放大芯片与第二准直镜组相邻的一端，镀有低反射率增透膜。选模放大芯片与第一准直镜组相邻的一端，镀有中反射率增透膜，相对于传统激光器技术，本专利技术的方案能够同时实现大功率、窄线宽激光输出，从而满足多种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率窄线宽激光器，其特征在于：包括第一准直透视组(5)、选模放大芯片(6)、第二准直透镜组(8)、窄带滤光片(10)和角锥反射镜(11)，所述选模放大芯片(6)位于所述第一准直透视组(5)的一侧，所述第二准直透镜组(8)位于所述选模放大芯片(6)远离所述第一准直透视组(5)的一侧，所述窄带滤光片(10)位于所述第二准直透镜组(8)远离所述选模放大芯片(6)的一侧，所述角锥反射镜(11)位于所述窄带滤光片(10)远离所述(8)的一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种大功率窄线宽激光器，其特征在于：包括第一准直透视组(5)、选模放大芯片(6)、第二准直透镜组(8)、窄带滤光片(10)和角锥反射镜(11)，所述选模放大芯片(6)位于所述第一准直透视组(5)的一侧，所述第二准直透镜组(8)位于所述选模放大芯片(6)远离所述第一准直透视组(5)的一侧，所述窄带滤光片(10)位于所述第二准直透镜组(8)远离所述选模放大芯片(6)的一侧，所述角锥反射镜(11)位于所述窄带滤光片(10)远离所述(8)的一侧。


2.根据权利要求1所述的一种大功率窄线宽激光器，其特征在于：包括激光器外壳(2)以及安装在所述激光器外壳(2)内底部的硅制冷器板(4)，所述激光器外壳(2)的一端中部开设有光窗(3)，所述硅制冷器板(4)的顶部靠近所述光窗(3)处设有第一准直透视组(5)，所述硅制冷器板(4)的顶部位于所述第一准直透视组(5)远离所述光窗(3)的一侧设有导热基板(7)，所述导热基板(7)上设有选模放大芯片(6)，所述硅制冷器板(4)顶部位于所述导热基板(7)远离所述光窗(3)的一侧设有第二准直透镜组(8)，所述硅制冷器板(4)顶部位于所述第二准直透镜组(8)远离所述光窗(3)的一侧设有窄带滤光片(10)，所述硅制冷器板(4)顶部位于所述窄带滤光片(10)远离所述光窗(3)的一侧设有分光镜(14)，且所述分光镜(14)的底部设有光电探测器(12)，所述硅制冷器板(4)顶部位于所述分光镜(14)远离所述光窗(3)的一侧设有角锥反射镜(11)，且所述硅制冷器板(4)顶部位于所述角锥...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓琪，吴昊林，段志儒，
申请(专利权)人：昆山微源光子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32