氧化镍复合薄膜及其制备方法和LED技术

本发明专利技术属于空穴传输材料技术领域，具体涉及一种氧化镍复合薄膜及其制备方法和LED。该氧化镍复合薄膜的制备方法包括如下步骤：提供初始氧化镍薄膜；在所述初始氧化镍薄膜表面沉积烷基硫酸盐，然后进行氧等离子体处理，得到所述氧化镍复合薄膜。该制备方法能够显著提高氧化镍复合薄膜的功函数，并可提高功函数的稳定性，因此具有很好的空穴传输性能，在发光器件中具有很好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
氧化镍复合薄膜及其制备方法和LED
本专利技术属于空穴传输材料
，具体涉及一种氧化镍复合薄膜及其制备方法和LED。
技术介绍
在众多空穴传输材料中，氧化镍(NiOx)由于具有优异的化学稳定性、较高的电子迁移率和大规模制备便利性，在钙钛矿发光二极管(PeLED)等领域得到了广泛的研究。但是，氧化镍薄膜的载流子传输能力在现阶段仍不尽如人意，关键问题在于其与钙钛矿发光层的势垒较大以及空穴浓度较低，因此限制了基于氧化镍空穴传输层的PeLED的电光转换效率。目前，科学家普遍采用掺杂金属纳米粒子的方法来改善氧化镍的电荷传输性能，以求获取更高的LED电光转换效率。然而，氧化镍空穴传输层的电学性能受掺杂比例影响极大，该方法存在着掺杂比例难以精确控制、且制备工艺复杂耗时的问题。因此，如何通过简单的方法制备高性能的氧化镍薄膜进而制备高效率PeLED成为当前研究的热点，但现有技术仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种氧化镍复合薄膜及其制备方法，旨在解决现有氧化镍薄膜功函数低，从而导致空穴传输效果不理想的技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化镍复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供初始氧化镍薄膜；/n在所述初始氧化镍薄膜表面沉积烷基硫酸盐，然后进行氧等离子体处理，得到所述氧化镍复合薄膜。/n

【技术特征摘要】
20200424 CN 20201033141671.一种氧化镍复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供初始氧化镍薄膜；
在所述初始氧化镍薄膜表面沉积烷基硫酸盐，然后进行氧等离子体处理，得到所述氧化镍复合薄膜。


2.如权利要求1所述的氧化镍复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述烷基硫酸盐通式为R-O-SO3M；其中，R为碳原子数为10-18的烷基，M为钠离子或钾离子。


3.如权利要求1所述的氧化镍复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述烷基硫酸盐沉积在所述初始氧化镍薄膜表面，经所述氧等离子体处理后形成厚度为2-4nm的修饰层。


4.如权利要求1所述的氧化镍复合薄膜的制备方法，其特征在于，在所述初始氧化镍薄膜表面沉积烷基硫酸盐的步骤包括：配制烷基硫酸盐溶液，将所述烷基硫酸盐溶液沉积在所述初始氧化镍薄膜表面，然后进行干燥处理。


5.如权利要求4所述的氧化镍复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述烷基硫酸盐溶液中的溶剂选自醇溶剂；和/或，
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵维巍，王浩然，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学深圳，深圳石墨烯创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44