盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室制造技术

本发明专利技术提供一种盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室，包括：托盘主体、盖板及中间介质，其中：托盘主体用于承载晶片；盖板设置于托盘主体上，在盖板上设置有压合部，压合部与晶片的边缘接触；中间介质设置于托盘主体与盖板之间，且中间介质的上表面和下表面分别与盖板和托盘主体接触，用于使托盘主体与盖板之间形成一空间，以能够降低压合部与晶片之间的电势差。应用本申请，可以降低压合部上表面与晶片上表面的鞘层电势差，从而降低压合部和晶片的连接处形成的电场偏转程度，避免造成现有技术中晶片压爪区域发生底部黏连，导致底宽过大、靠近压爪边缘图形对称性差等，继而有效改善了PPS工艺过程中的边缘形貌问题。

【技术实现步骤摘要】
盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室
本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种的盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室。
技术介绍
图形化衬底技术(PatternedSapphireSubstrates，PSS)是目前普遍采用的一种提高氮化镓(GaN)基LED器件出光效率的方法，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用电感耦合等离子体InductivelyCoupledPlasma，ICP)刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。该方法可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小了有源区的非辐射复合，减小了反向漏电流，提高了LED的寿命。有源区发出的光，经由GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，从而提高了光的提取效率。现有技术中，通常采用包括托盘主体和盖板的盖板托盘组件进行PSS工艺，其中，托盘主体具有放置晶片的晶片槽，盖板底部具有压爪，压爪用于固定晶片，防止晶片由于背氦的吹里作用而发生移动。而对于圆锥形的PSS工艺，其参本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种盖板托盘组件，其特征在于，包括：托盘主体、盖板及中间介质，其中：/n所述托盘主体用于承载晶片；/n所述盖板设置于所述托盘主体上，且所述盖板上设置有压合部，所述压合部与所述晶片的边缘接触；/n所述中间介质设置于所述托盘主体与所述盖板之间，且所述中间介质的上表面和下表面分别与所述盖板和所述托盘主体接触，用于使所述托盘主体与所述盖板之间形成一空间，以降低所述压合部与所述晶片之间的电势差。/n

【技术特征摘要】
1.一种盖板托盘组件，其特征在于，包括：托盘主体、盖板及中间介质，其中：
所述托盘主体用于承载晶片；
所述盖板设置于所述托盘主体上，且所述盖板上设置有压合部，所述压合部与所述晶片的边缘接触；
所述中间介质设置于所述托盘主体与所述盖板之间，且所述中间介质的上表面和下表面分别与所述盖板和所述托盘主体接触，用于使所述托盘主体与所述盖板之间形成一空间，以降低所述压合部与所述晶片之间的电势差。


2.根据权利要求1所述的盖板托盘组件，其特征在于，所述空间内含有气体，在所述托盘主体与所述盖板之间形成第一电容。


3.根据权利要求2所述的盖板托盘组件，其特征在于，所述中间介质包括至少一个垫片。


4.根据权利要求3所述的盖板托盘组件，其特征在于，所述盖板上开设有密封圈槽，所述密封圈槽内设置有用于密封所述空间的密封圈。


5.根据权利要求2-4任一项所述的盖板托盘组件，其特征在于，所述第一电容的取值范围为50pF～1000pF。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张君，刘珊珊，王春，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11