一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法及二维材料半导体薄膜技术

本发明专利技术属二维半导体薄膜制备技术领域，具体涉及一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法，包括如下步骤：基板预处理；在预处理后的基板上用负胶光刻目标图案；在带有光刻胶图案的基板上用溶液自组装技术制备二维半导体薄膜：基板首先浸泡在聚二烯丙基二甲基氯化铵水溶液，然后浸泡在MoS

【技术实现步骤摘要】
一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法及二维材料半导体薄膜
本专利技术属二维半导体薄膜制备
，具体涉及一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法。
技术介绍
现代硅基半导体领域的发展推动了微电子、光电子
的快速发展。半导体电子器件朝着更小、更密集、更快、更强大的信息处理和存储和更大、更轻、更便宜、更灵活的信息显示的方向发展。在众多半导体材料中，二维半导体薄膜由于其出色的电荷传输和机械性能在薄膜电子领域更具吸引力。但是均匀二维半导体薄膜的大面积制备一直是个挑战，严重限制了其应用。现有技术中，通常采用化学气相沉积法或溶液法制备二维半导体薄膜。化学气相沉积法在一定程度上解决了上述问题，化学气相沉积法制备的二维半导体薄膜结晶性好、尺寸可扩展、厚度可调、电子器件性能优异。但这种合成方法成本和能耗都比较高，一般需要在高温和高真空度的条件下完成，对基板的要求比较苛刻，这些二维半导体薄膜还需要复杂的步骤，转移到合适基板上。转移过程不仅繁琐耗时，而且可能给半导体带来性能上不可逆转的损坏，降低器件的成品率。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1，基板预处理：先用有机溶剂清洗基板，然后用氧等离子体处理基板；/n步骤2，在预处理后的基板上用负胶光刻目标图案：在紫外光未曝光的地方光刻胶去除基板暴露出来，紫外光曝光的地方光刻胶仍然留在基板表面上；/n步骤3，在带有光刻胶图案的基板上用溶液自组装的方法制备二维半导体薄膜：基板首先浸泡在聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)水溶液，然后浸泡在MoS

【技术特征摘要】
1.一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，基板预处理：先用有机溶剂清洗基板，然后用氧等离子体处理基板；
步骤2，在预处理后的基板上用负胶光刻目标图案：在紫外光未曝光的地方光刻胶去除基板暴露出来，紫外光曝光的地方光刻胶仍然留在基板表面上；
步骤3，在带有光刻胶图案的基板上用溶液自组装的方法制备二维半导体薄膜：基板首先浸泡在聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)水溶液，然后浸泡在MoS2水溶液中；
步骤4，将步骤3中基板上得到的薄膜在丙酮中浸泡去除光刻胶，最终得到目标MoS2图案。


2.根据权利要求1所述的二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法，其特征在于，所述步骤3可重复进行，重复在PDDA溶液和MoS2溶液中的浸泡过程可以得到(MoS2/PDDA)n薄膜，n代表步骤3重复的次数。


3.根据权利要求1所述的二维材料半导体薄膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱剑，高香香，尹君，卞刚，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：天津;12