一种贴片式微型滤波电容器的制备方法与应用技术

技术编号:26175710 阅读:36 留言:0更新日期:2020-10-31 14:10
本发明专利技术属于滤波电容、微纳制造技术与电子电路的交叉技术领域,公开了一种贴片式微型滤波电容器的制备方法与应用,采用图形化的3D硅基框架(100),进行集流体(101)和活性材料(102)的包覆,制得电容器的电极,将其固定于封装外壳下部(103a),涂覆电解质(104);最后封装外壳上部(103b)并预留导电连接点,将导电引脚(105)内嵌入壳中,实现电容器的贴片设计导电引脚。本发明专利技术对贴片式微型滤波电容器整体流程工艺进行设计,通过半导体工艺实现其贴片电极的定制化制作;采用了简易的封装结构,便于密封;制作尺寸可调的内嵌式导电引脚对电路板进行点焊式电连接,保证了连接可靠性和微缩化集成。最终,将其实际应用于贴片的电路板,实现了滤波功能。

【技术实现步骤摘要】
一种贴片式微型滤波电容器的制备方法与应用
本专利技术属于滤波电容、微纳制造技术与电子电路的交叉
,更具体地,涉及一种贴片式微型滤波电容器的制备方法与应用,是一种凭借微纳加工技术定制化制造贴片式微型滤波电容器的方法。
技术介绍
滤波器是用来减少或消除谐波对电力系统影响的电气部件,由电容、电感和电阻组成滤波电路。利用它的选频功能,可以滤除干扰噪声或进行频谱分析。对于电容器来说,其应用领域非常广泛,在电子线路中起着滤波、储能、旁路、耦合、计时等重要作用。在这些应用中,滤波应用是电容器最为常见的应用。通过滤波能减少脉动的直流电压中的交流成分,保留直流成分,使输出电压的纹波降低,让波形更平滑。从而达到消除干扰杂讯、降低损耗的目的。用于滤波的电容器通常为电解电容器,是一种储能器件,安装在直流稳压电路中。滤波电容器在设计、制造后具有特定的参数,包括电容、电阻、额定电压、额定电流等,决定了电容器的应用场景。将其与电路中的电感、电阻元件进行匹配,形成滤波器,具备特定的中心频率、截止频率、纹波等,以适用于特定的电路中。目前,商业的电解电容器应用成熟且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种贴片式微型滤波电容器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1:按预先设计的光刻图形,利用半导体工艺对硅片进行半导体图形化加工,形成梳齿状的交叉结构,从而制备得到图形化的3D硅基框架(100);/nS2:在所述步骤S1得到的所述3D硅基框架(100)表面形成导电材料,所述导电材料为碳材料、金属、金属氧化物或金属氮化物的其中一种,使所述导电材料完全覆盖所述3D硅基框架(100)的表面,从而制备得到能够导电的集流体(101);/nS3:在所述步骤S2得到的所述3D硅基框架(100)表面继续制备活性材料(102),用于参与超级电容器在电场下的电荷排布或电化学反应;/nS4:将所述步骤S3...

【技术特征摘要】
1.一种贴片式微型滤波电容器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:按预先设计的光刻图形,利用半导体工艺对硅片进行半导体图形化加工,形成梳齿状的交叉结构,从而制备得到图形化的3D硅基框架(100);
S2:在所述步骤S1得到的所述3D硅基框架(100)表面形成导电材料,所述导电材料为碳材料、金属、金属氧化物或金属氮化物的其中一种,使所述导电材料完全覆盖所述3D硅基框架(100)的表面,从而制备得到能够导电的集流体(101);
S3:在所述步骤S2得到的所述3D硅基框架(100)表面继续制备活性材料(102),用于参与超级电容器在电场下的电荷排布或电化学反应;
S4:将所述步骤S3得到的依次形成有活性材料(102)、导电材料的3D硅基框架(100)固定在预先加工成型的封装外壳下部(103a)上,并用于作为梳齿状对电极;该对电极中同时包括用于作为正极的电极和用于作为负极的电极,且两者相互绝缘;
S5:在所述步骤S4得到的所述对电极上填充电解质(104),用于提供电荷排布的媒介或电化学反应的离子;
S6:利用封装外壳上部(103b)与所述封装外壳下部(103a)的配合,同时利用密封胶,对所述对电极和所述电解质(104)一同进行封装,使所述对电极和所述电解质(104)受到保护,同时保留导电连接点用于从外部连接所述对电极;最后,在所述导电连接点上制作用于贴片连接的导电引脚(105),使导电引脚(105)嵌入封装外壳上部(103b)的凹孔中,即可得到贴片式微型滤波电容器。


2.如权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述方法还包括步骤:
S7:将所述步骤S6得到的所述贴片式微型滤波电容器连接到滤波电路板上,使所述贴片式微型滤波电容器的导电引脚(105)与所述滤波电路板的导电引脚相连,从而形成滤波电容器功能器件。


3.如权利要求2所述制备方法,其特征在于,所述步骤S7中,所述贴片式微型滤波电容器的导电引脚(105)与所...

【专利技术属性】
技术研发人员:王玉容孙雷蒙赵纯肖东阳杜欢欢涂良成
申请(专利权)人:华中科技大学
类型:发明
国别省市:湖北;42

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