【技术实现步骤摘要】
一种具有高温磁稳定性的软磁颗粒膜及其制备方法
本专利技术属于电磁材料
，具体涉及一种具有高温磁稳定性的软磁颗粒膜及其制备方法。
技术介绍
在计算机和通讯领域，随着信息处理速度和传输频率越来越高，相关器件的性能以及支撑器件的材料性能正在经受着越来越严峻的考验。在实现了电阻、电容、半导体和光电器件集成化后，如何使得软磁材料应用在GHz频段并实现磁性电子器件的集成，已经成为制约电子信息技术高频化和集成化的瓶颈。其主要原因就是，用于电感器、变压器的磁性材料在高频和高温情况时磁导率下降。研究结果表明，为了维持优良的高频特性，磁性材料的电阻率ρ和饱和磁化强度Ms都要大，并且还要具有适度大小的各向异性场Hk。而在另一个方面，现在的集成电子器件在运行中产生的高密度、宽频谱的电磁信号充满整个空间，形成复杂的电磁环境，这就要求电子设备及电源在各个频段和使用温度范围内都具有很好的电磁兼容性，这就给抗电磁干扰技术带来了一系列的挑战。
技术实现思路
本专利技术针对上述缺陷，提供一种能够在高温下具有良好的磁导率、电阻率...
【技术保护点】
1.一种具有高温磁稳定性的软磁颗粒膜，其特征在于，所述软磁颗粒膜为多层结构，为中间的双相纳米晶软磁薄膜(1)和位于所述双相纳米晶软磁薄膜(1)上侧的多个交叠重复结构(2)和下侧的多个交叠重复结构(2)；所述一个交叠重复结构(2)包括一层纳米SiO
【技术特征摘要】
1.一种具有高温磁稳定性的软磁颗粒膜，其特征在于，所述软磁颗粒膜为多层结构，为中间的双相纳米晶软磁薄膜(1)和位于所述双相纳米晶软磁薄膜(1)上侧的多个交叠重复结构(2)和下侧的多个交叠重复结构(2)；所述一个交叠重复结构(2)包括一层纳米SiO2层(2-1)和一层纳米石墨烯层(2-2)；所述双相纳米晶软磁薄膜的结构式为((FezA1-z)aCrbMcNbd)1-x-(R2O3)x，其中，30≤a≤60，50≤b≤70，10≤c≤30，0.5≤d≤1，0.1≤x≤0.6，0.5≤z≤0.75；所述A元素为铁磁性过渡金属元素，所述M元素为非磁性过渡金属元素，所述R元素为B、Al或Fe中的一种或几种；所述双相纳米晶软磁薄膜的厚度为25μm～35μm，所述纳米石墨烯层厚度为15μm～20μm，所述纳米SiO2层为10μm～15μm，所述双相纳米晶软磁薄膜为α-Fe相纳米颗粒与A基非晶相纳米基体组成，所述α-Fe相纳米颗粒弥散于A基非晶相纳米基体之中，所述α-Fe相纳米颗粒的直径为5nm～8nm。
2.根据权利要求1所述的一种具有高温磁稳定性的软磁颗粒膜，其特征在于，所述A元素为Co、Ni、Ti中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种具有高温磁稳定性的软磁颗粒膜，其特征在于，所述M元素为Zr、Hf、Ta中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种具有高温磁稳定性的软磁颗粒膜，其特征在于，所述软磁颗粒膜的于2.45T的磁场强度下的饱和磁化强度为956kA/m～1512kA/m。
5.根据权利要求1所述的一种具有高温磁稳定性的软磁颗粒膜，其特征在于，所述软磁颗粒膜的电阻率为60μΩ·cm～70μΩ·cm。
6.根据权利要求1所述的一种具有高温磁稳定性的软磁颗粒膜，其特征在于，所述中间的双相纳米晶软磁薄膜(1)上侧的多个交叠重复结构(2)所组成的整体结构和所述中间的双相纳米晶软磁薄膜(1)下侧的多个交叠重复结构(2)所组成的整体结构以中间的双相纳米晶软磁薄膜(1)轴对称，所述中间的双相纳米晶软磁薄膜(1)外侧为所述纳米SiO2层(2-1)，所述交叠重复结构(2)中所述纳米SiO2层外侧为所述纳米石墨烯层(2-2)。
7.根据权利要求1所述的一种具有高温磁稳定性的软磁颗粒膜，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓毕力，张朋，王波，王玉川，潘振海，罗顶飞，晋立从，徐敏义，
申请(专利权)人：安徽智磁新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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