【技术实现步骤摘要】
本技术涉及用于薄膜非接触热膨胀测量技术，具体为一种用于薄膜非接触热膨胀观糧的低能糊氐温装置(-130 °C 250 °C)。
技术介绍
薄膜材料在微电子和航天等领域应用广泛，例如计算机芯片结构中既有金属 薄膜作电极，又有高聚物作为介电层。这两种薄膜的热膨胀系数相差很大， 一般 要在高聚物薄膜中添加低膨胀物质降低其膨胀系数，使之与金属薄膜的膨胀系数 相匹配，无疑它们的膨胀系数需要准确测定。随着芯片集成度的提高和运算速度 的加快，热膨胀系数的匹配问题尤为突出，而且这些薄膜的使用环境应该有较宽 的温度范围，不仅要在室温以上使用，低于室温的热膨胀系数也有迫切的需求。测量高分子薄膜热膨胀的相关文献有和; 用热机械分析法(TMA方法)，也并未见至,标准参考试样进行标定的结果。低温热膨胀的相关文献有和。虽然也采用非接触方法测量热膨 胀，但并未见到用标准参考试样进行标定的结果。我们前期已经获有专利中国专利技术专利， 一种热膨胀系数的非接触测量方法 及装置，申请号961153253，公开号CN1152124A，温度范围为室温到250°C， 并发表过论文和[Wang H， Zha...
【技术保护点】
一种用于薄膜非接触热膨胀测量的低温装置，设有低温－高温炉系统、试样架系统，其特征在于：低温－高温炉系统采用两级真空双层结构，置于低温－高温炉系统中的加热器采用锥型－沟槽型结构，置于加热器中的试样架系统采用弹性夹持结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王宝全，陈新贵，何冠虎，郭敬东，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：实用新型
国别省市：89[中国|沈阳]
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