测定硬化催化剂的扩散距离的方法技术

本发明专利技术涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明专利技术课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法，包括下列步骤：由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf)；将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上，然后予以加热，制得形成含硅膜及树脂膜的基板；对基板照射高能射线或电子束使酸产生，将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度；用碱显影液将树脂膜溶解；测定残留的树脂的膜厚。

【技术实现步骤摘要】
测定硬化催化剂的扩散距离的方法
本专利技术是关于测定在使热硬化性含硅材料(Sx)硬化而形成含硅膜(Sf)时使用的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法。
技术介绍
伴随LSI的高整合化及高速化，图案规则的微细化急速进展。尤其智能手机等中使用的逻辑器件引领着微细化，已有人使用以ArF光刻所为的多重曝光(多重图案化光刻)处理来量产10nm节点的逻辑器件。之后的7nm节点、5nm节点的光刻已浮现因多重曝光所致的高成本、多重曝光的重叠精度的问题，期待能减少曝光次数的极端紫外线光刻到来。波长13.5nm的极端紫外线(EUV)和波长193nm的ArF准分子激光相比，前者的波长为后者的1/10以下之短，故EUV光刻的光对比度高，期待有高解像。另一方面，EUV因短波长而能量密度高，少量的光子即会使酸产生剂感光。EUV曝光时的光子数目据说为ArF曝光的1/14，因此光子的变异导致线边缘粗糙度(LWR)、孔洞的尺寸均一性(CDU)劣化的现象被视为问题(非专利文献1)。此外，也有人指摘可能对基础聚合物、酸产生剂的集中、凝聚、从酸产生剂产生的酸的扩散造成影本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法，其特征为包括下列步骤：/n(1)将含有所述热硬化性含硅材料(Sx)、所述硬化催化剂(Xc)及溶剂(a)的含硅膜形成用组成物涂布于基板上，然后予以加热而形成含硅膜(Sf)；/n(2)将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、会因300nm以下的波长的高能射线或电子束而产生酸的酸产生剂、及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于所述含硅膜(Sf)上，然后予以加热而除去溶剂(b)，制得形成有所述含硅膜(Sf)及树脂膜的基板；/n(3)对所述基板照射所述高能射线或电子束而将所述酸产生剂分解，并使酸产生；/n(4)将所述基...

【技术特征摘要】
20190426 JP 2019-0865051.一种测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法，其特征为包括下列步骤：
(1)将含有所述热硬化性含硅材料(Sx)、所述硬化催化剂(Xc)及溶剂(a)的含硅膜形成用组成物涂布于基板上，然后予以加热而形成含硅膜(Sf)；
(2)将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、会因300nm以下的波长的高能射线或电子束而产生酸的酸产生剂、及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于所述含硅膜(Sf)上，然后予以加热而除去溶剂(b)，制得形成有所述含硅膜(Sf)及树脂膜的基板；
(3)对所述基板照射所述高能射线或电子束而将所述酸产生剂分解，并使酸产生；
(4)将所述基板进行热处理并通过所述树脂膜中的酸的作用来提高所述树...

【专利技术属性】
技术研发人员：荻原勤，渡边司，河合义夫，小林知洋，美谷岛祐介，金山昌广，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP