一种功率半导体器件用硅片清洗液制造技术

本发明专利技术涉及一种功率半导体器件用硅片清洗液。包括一种功率半导体器件用硅片清洗液，其特征在于：包括C12脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基二苯醚二磺酸盐、氢氧化钠和烷基苯磺酸钠，配制方法如下：先将烷基二苯醚二磺酸盐和C12脂肪醇聚氧乙烯醚按质量比1：2~3复配，制成复配剂；然后将烷基苯磺酸钠、氢氧化钠和复配剂按1：8~10：2~3的比例复配，配制成功率半导体器件用硅片清洗液。使用本发明专利技术的功率半导体器件用硅片清洗液可明显降低硅片表面粗糙度、改善硅片表面划痕处的腐蚀损伤，使硅片的外观及性能都得到改善。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件用硅片清洗液
本专利技术涉及半导体器件的清洗领域，特别涉及一种功率半导体器件用硅片清洗液。
技术介绍
硅片经研磨和腐蚀工艺后广泛应用于功率半导体器件中，但由于刚研磨后的晶片表面附着不同种类的玷污物，而现今广泛应用的传统的清洗工艺使用的清洗剂是氢氧化钾水溶液，清洗后的硅片再经氢氟酸腐蚀后表面的粗糙度较大，划痕处的腐蚀损伤严重，使硅片的外观及性能都受到影响。
技术实现思路
针对传统的清洗工艺存在的问题，本专利技术通过分析硅单晶在加工过程中污染物的种类和其表面的吸附性质，配制出一种功率半导体器件用硅片清洗液，使用功率半导体器件用硅片清洗液可明显降低硅片表面粗糙度、改善硅片表面划痕处的腐蚀损伤。本专利技术的技术方案是：一种功率半导体器件用硅片清洗液，其特征在于：包括C12脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基二苯醚二磺酸盐、氢氧化钠和烷基苯磺酸钠，配制方法如下：一、将烷基二苯醚二磺酸盐和C12脂肪醇聚氧乙烯醚按质量比1：2~3复配，制成复配剂；二、将烷基苯磺酸钠、氢氧化钠和复配剂按1：8~10：2~3的比例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体器件用硅片清洗液，其特征在于：包括C12脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基二苯醚二磺酸盐、氢氧化钠和烷基苯磺酸钠，配制方法如下：/n一、将烷基二苯醚二磺酸盐和C12脂肪醇聚氧乙烯醚按质量比1：2~3复配，制成复配剂；/n二、将烷基苯磺酸钠、氢氧化钠和复配剂按质量1：8~10：2~3的比例复配，配制成功率半导体器件用硅片清洗液。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件用硅片清洗液，其特征在于：包括C12脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基二苯醚二磺酸盐、氢氧化钠和烷基苯磺酸钠，配制方法如下：
一、将烷基二苯醚二磺酸盐和C12脂肪醇聚氧乙烯醚按质量比1：2~3复配，制成复配剂；
二、将烷基苯磺酸钠、氢氧化钠和复配剂按质量1：8~10：2~3的比例复配，配制成功率半导体器件用硅片清洗液。


2.如权利要求1所述的一种功率半导体器件用硅片清洗液，其特征在于：
一、烷基二苯醚二磺酸盐和C12脂肪醇聚氧乙烯醚按质量比1：2.5复配，制成复配剂；
二、烷基苯磺酸钠、氢氧化钠和复配剂按1：9：2.5的比例复配，和步骤一的复配剂配制成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明智，张颖武，韩焕鹏，常耀辉，莫宇，张伟才，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12