量子点材料、制备方法、发光器件及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种量子点材料、制备方法、发光器件及显示装置，量子点材料包括：量子点核，所述量子点核包括内核体、包裹在所述内核体外部的过渡层和包裹在所述过渡层外部的外核层，所述内核体为无镉材料结构，所述外核层中具有镉。在本发明专利技术的量子点材料中，将内核体设置为无镉材料结构，通过在外核层中加有镉，能够降低量子点材料中镉的含量，减少镉的污染和对人体的危害，同时能够保证量子点材料的性能，提高荧光量子产率，延长寿命，通过在内核体的外部与外核层之间设置过渡层能够调节晶格匹配程度，降低应力。

Quantum dot material, preparation method, light emitting device and display device

【技术实现步骤摘要】
量子点材料、制备方法、发光器件及显示装置
本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种量子点材料、制备方法、发光器件及显示装置。
技术介绍
由于镉易产生污染，对人体具有危害，目前，含镉的量子点材料受到了严格的使用限制，但是无镉量子点的性能难以达到有镉量子点的性能，比如，用于背光增强的无镉量子点的荧光量子产率较低，寿命较短，难以满足性能要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种量子点材料、制备方法、发光器件及显示装置，用以解决现有量子点材料含镉量较高，无镉量子点材料性能难以满足要求的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：第一方面，根据本专利技术实施例的量子点材料，包括：量子点核，所述量子点核包括内核体、包裹在所述内核体外部的过渡层和包裹在所述过渡层外部的外核层，所述内核体为无镉材料结构，所述外核层中具有镉。其中，所述过渡层的带隙大于所述内核体的带隙和所述外核层的带隙，所述内核体的带隙小于所述外核层的带隙。其中，还包括：壳层，所述壳层包裹在所述外核层的外部。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点材料，其特征在于，包括：/n量子点核，所述量子点核包括内核体、包裹在所述内核体外部的过渡层和包裹在所述过渡层外部的外核层，所述内核体为无镉材料结构，所述外核层中具有镉。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点材料，其特征在于，包括：
量子点核，所述量子点核包括内核体、包裹在所述内核体外部的过渡层和包裹在所述过渡层外部的外核层，所述内核体为无镉材料结构，所述外核层中具有镉。


2.根据权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述过渡层的带隙大于所述内核体的带隙和所述外核层的带隙，所述内核体的带隙小于所述外核层的带隙。


3.根据权利要求1或2所述的量子点材料，其特征在于，还包括：
壳层，所述壳层包裹在所述外核层的外部。


4.根据权利要求3所述的量子点材料，其特征在于，所述壳层的带隙大于所述内核体的带隙，所述壳层的带隙大于所述外核层的带隙。


5.根据权利要求3所述的量子点材料，其特征在于，所述内核体为InP结构，所述过渡层中包括ZnSe、ZnS或ZnTe中的至少一种；和/或
所述外核层中包括CdSe、CdS或CdTe中的至少一种；和/或
所述壳层中包括Zn...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振琦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11