【技术实现步骤摘要】
氧化还原格芳烃及合成方法、基于该氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器及制备方法
本专利技术属于有机存储和信息
，具体涉及氧化还原格芳烃及其合成以及该格芳烃分子在有机场效应晶体管存储器中的应用。
技术介绍
随着人类社会快速步入互联时代，随之而来的是数据的爆炸增长，存储器作为数据的家园是信息技术与人工智能不可或缺的元素。这就要求存储器拥有更快的读写速度、尺寸更小、存储密度更高以及制作工艺更简单。并且具有柔性化、轻便易携带等特点。非易失性有机场效应晶体管存储器具有存储速度快和存储容量大等特点，而且具有成本低、可低温及大面积喷墨打印加工、可与柔性衬底相兼容易于集成、单只晶体管驱动、非破坏性读取等诸多优点，且与目前CMOS电路兼容度高，有望成为新一代存储器的主流替代方案，在存储芯片、柔性集成电路和柔性显示等方面展现出了广阔的应用前景。有机场效应晶体管存储器较之传统的有机场效应晶体管在半导体层和栅极之间加入了载流子俘获层。而俘获层根据俘获特性的不同可以分为三种类型：铁电型、浮栅型、驻极体型，三种有各自的优劣势。铁...
【技术保护点】
1.一种氧化还原格芳烃，其特征在于：其结构式如下：/n
【技术特征摘要】
1.一种氧化还原格芳烃，其特征在于：其结构式如下：
其中，X为O、N、S、Se的一种或多种；K为芳烃、烷基链、烷氧基链的一种或多种；G1、G2是以下结构中的一种：
其中，R1、R2、R3、R4为氢或具有4到18个碳原子的直链、支链烷基或其烷氧基；M为Fe、Cu、Mn、Ni的一种。
2.一种权利要求1所述氧化还原格芳烃的合成方法，其特征在于：通过格式、Suzuki、傅克或薗头偶合反应合成所述氧化还原格芳烃，其合成路线如下：
3.一种基于权利要求1所述氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层、衬底及形成于该衬底之上的栅电极，所述电荷存储层的材质为氧化还原格芳烃。
4.根据权利要求3所述的氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述电荷存储层的厚度为10～30nm。
5.根据权利要求3所述的氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：
所述源漏电极的材质为金属，有机材料或无机材料，厚度为50-100nm；
所述有机半导体层的材质为并五苯、并四苯、酞菁铜、氟化酞菁铜、红荧烯、并三苯或3-己基噻吩的一种，厚度为30～50nm；
所述栅绝缘层的材质为二氧化硅、氧化铝、氧化锆、聚苯乙烯或聚乙烯吡咯烷酮的一种，厚度为50～300nm；
所选衬底的材质为高掺杂硅片、玻璃片或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
6.一种权利要求3-5任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：卞临沂，张忍，解蒙，余洋，解令海，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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