一种可用于化学强化的低介电常数的玻璃、强化玻璃制造技术

本发明专利技术公开了一种可用于化学强化的低介电常数的玻璃、强化玻璃。所述玻璃经化学强化后在室温和频率为50GHz下的介电常数为4.8～6.5介电损耗角正切小于或等于3×10

【技术实现步骤摘要】
一种可用于化学强化的低介电常数的玻璃、强化玻璃
本专利技术涉及玻璃
，具体涉及一种可用于化学强化的低介电常数的玻璃、强化玻璃。
技术介绍
目前的电子设备(如智能手机、手提电脑、平板电脑等)的前后盖保护材料的普遍为玻璃。以智能手机为例，其具有在高或超高频率下运行的电子系统，而玻璃暴露于这种高频或超高频电磁场中时会吸收至少一部分能量并将吸收的能量转化为热，这种被玻璃吸收的热形式的能量称为介电损耗能量。该介电损耗能量与玻璃组合物的“介电常数”和“介电损耗角正切”成正比，如下列表达式所示：W＝kfv2ε(tanδ)。其中“W”是玻璃中的介电损耗能量，“k”是常数，“f”是频率，“v2”是电位梯度，“ε”是介电常数，“tanδ”是介电损耗角正切。如以上表达式所示，介电损耗能量“W”随着玻璃的介电常数和介电损耗角正切的增大和/或频率的增大而增大。也就是说，玻璃的介电常数越大，介电损耗能量越大，越不利于信号传输，信号传输速度减慢、信号强度衰减以及信号传输时间延迟等现象将会越严重。而在不久之后的5G时代，这种信号传输速度减慢、信号强度衰减以及信号传输时间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可用于化学强化的低介电常数的玻璃，其特征在于，所述玻璃经化学强化后在室温和频率为50GHz下的介电常数为4.8～6.5、介电损耗角正切小于或等于3×10

【技术特征摘要】
1.一种可用于化学强化的低介电常数的玻璃，其特征在于，所述玻璃经化学强化后在室温和频率为50GHz下的介电常数为4.8～6.5、介电损耗角正切小于或等于3×10-2，所述玻璃包含SiO2、Al2O3、Na2O，其中，按摩尔百分数计，Na2O的含量在1～6mol％之间，SiO2+Al2O3的含量大于等于78mol％。


2.根据权利要求1所述的可用于化学强化的低介电常数的玻璃，其特征在于，所述玻璃经化学强化后在室温和频率为20GHz下的介电常数为4.8～6.5、介电损耗角正切小于或等于2×10-2。


3.根据权利要求1所述的可用于化学强化的低介电常数的玻璃，其特征在于，所述玻璃经化学强化后在室温和频率为2GHz下的介电常数为4.8～6.5、介电损耗角正切小于或等于8×10-3。


4.根据权利要求1所述的可用于化学强化的低介电常数的玻璃，其特征在于，所述玻璃经化学强化后在室温和频率为5000MHz下的介电常数为4.8～6.5、介电损耗角正切小于或等于5×10-3。


5.根据权利要求1所述的可用于化学强化的低介电常数的玻璃，其特征在于，所述玻璃经化学强化后在室温和频率为3000MHz下的介电常数为4.8～6.5、介电损耗角正切小于或等于3×10-3。


6.根据权利要求1所述的可用于化学强化的低介电常数的玻璃，其特征在于，所述玻璃按摩尔百分数计包含65～75mol％的SiO2，所述玻璃按摩尔百分数计包含1mol％～4mol％的Na2O，Na2O与Li2O的总量小于12mol％。


7.根据权利要求6所述的可用于化学强化的低介电常数的玻璃，其特征在于，所述玻璃按摩尔百分数计包含69～75mol％的SiO2，1.5％～3mol％的Na2O，Na2O+Li2O的含量在2～12mol％之间。


8.根据权利要求7所述的可用于化学强化的低介电常数的玻璃，其特征在于，Na2O+Li2O的含量在3～10mol％之间。


9.根据权利要求7所述的可用于化学强化的低介电常数的玻璃，其特征在于，SiO2+Al2O3的含量大于等于80mol％。


10.根据权利要求1-9中任意一项所述的可用于化学...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡伟，覃文城，谈宝权，陈芳华，
申请(专利权)人：重庆鑫景特种玻璃有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50