一种用于光电催化的g-C制造技术

本发明专利技术公开一种用于光电催化的g‑C

A G-C for photocatalysis

【技术实现步骤摘要】
一种用于光电催化的g-C3N4复合薄膜材料的制备方法
本专利技术属于光电催化薄膜材料制备
，具体为一种用于光电催化的g-C3N4复合薄膜料的制备方法。
技术介绍
自1972年日本学者Fujishima和Honda报告了TiO2光电极用作光电催化材料以来，基于半导体光电极的光电催化(PEC)是将太阳能直接转化为可以储存的化学能的关键技术并有望缓解不断增长的能源危机和相关的环境问题，引起了全世界的研究兴趣。TiO2由于其优异的稳定性，可用性，无毒性和低价格的特点，TiO2已经成为传统的光电阳极材料用于光电催化。然而，由于其较宽的带隙3.2eV，使其仅吸收占太阳光百分之四的紫外光，导致太阳光的利用效率较低。因此，吸收可见光的新型光电极材料引起人们的广泛研究兴趣，特别是价格低廉的非金属光电极材料。与传统的二氧化钛(TiO2)光电催化剂相比(带隙(Eg)：3.2eV)，g-C3N4具有更窄的带隙(2.7eV)和更宽的光吸收区域。此外，g-C3N4也有具有无毒，性质稳定，耐酸碱腐蚀，成本低的优点。使得人们对其的研究兴趣日益增加。具有高比表面积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于光电催化的g-C

【技术特征摘要】
1.一种用于光电催化的g-C3N4复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括按顺序进行的下列步骤：
(1)将双氰胺溶于去离子水中，制备g-C3N4前驱体反应液，在一定温度下水热反应一定时间后，将反应后的样品进行干燥处理。取适量的样品装满到坩埚或者方舟中，将FTO导电玻璃以导电面朝下的方式盖压在坩埚或者方舟上，转移到马弗炉中处理，制得附在FTO导电玻璃上的棒状结构的g-C3N4薄膜。
(2)将五水硝酸铋溶于乙二醇中，制备硝酸铋溶液，将九水硫化钠溶于去离子水中，制备硫化钠溶液作为连续离子层吸附(SILAR)的反应液。将制得的生长了一维g-C3N4纳米管薄膜的玻璃经过数次的SILAR循环，制得了g-C3N4/Bi2S3薄膜。
(3)将制得的g-C3N4/Bi2S3复合薄膜通过光电化学沉积法沉积Co-Pi纳米颗粒，将步骤(2)中制得的g-C3N4/Sb2S3薄膜作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，Pt片作为对电极，电解液为Co-Pi生长溶液，在一定沉积条件下制得g-C3N4/Bi2S3/Co-Pi光电催化复合薄膜材料。


2.根据权利要求1所述的用于光电催化的g-C3N4复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述的双...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志锋，钱红霞，贾小丽，
申请(专利权)人：天津城建大学，
类型：发明
国别省市：天津;12