一种硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料的制备方法技术

技术编号:26153834 阅读:44 留言:0更新日期:2020-10-31 12:00
本发明专利技术提供一种硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料的制备方法,所述方法通过结晶‑原位水解‑结晶三步法,即通过水热法获得硒化铟前驱体,在前驱体上对钛酸正丁酯进行原位水解,再经过煅烧后得到硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料。本发明专利技术提供的方法通过几个简单步骤,在不使用导电基底的条件下获得纯相的硒化铟/二氧化钛复合纳米片材料,得到的产物结晶性好、纯度高,所用制备方法具有绿色环保、操作简单、可控性强等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料的制备方法
本专利技术属于环境友好型纳米材料合成
,涉及一种硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料的可控制备方法。
技术介绍
硒化物金属半导体纳米材料由于其独特的物理和化学性能,在能源、医药、传感器等诸多领域具有广泛的应用前景。其中,硒化铟(In2Se3)是一种重要的III-VI直接带隙半导体材料,具有明显的层状结构,其晶体结构中存在着层内强共价键和层间弱范德华相互作用,具有高度的各向异性、电学、光学和磁学、催化和气敏等性能,这些优势使得硒化铟在太阳能电池、锂离子电池、相变存储器、催化和光电传感器等领域都有应用。在光催化
,硒化铟由于具有合适的能带结构,成为一种非常有潜力的热门材料。硒化铟虽然可以吸收可见光,但是光激发电荷载体的分离效率还比较差,载流子迁移能力低,导致纯硒化铟的光催化活性较低。因此,以硒化铟为基点开发一种新的光催化剂以提高光催化性能成为一种新思路。近年来,二氧化钛因具有氧化还原能力强、化学稳定性好、无毒副作用和成本低等特点而被广泛应用于复合催化材料研究。在原有光催化材料基础上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:/n步骤一、通过水热法制备硒化铟前驱体;/n步骤二、在前驱体上对钛酸正丁酯进行原位水解;/n步骤三、将步骤二所得产物经煅烧后得到硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
步骤一、通过水热法制备硒化铟前驱体;
步骤二、在前驱体上对钛酸正丁酯进行原位水解;
步骤三、将步骤二所得产物经煅烧后得到硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料。


2.根据权利要求1所述的硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、以水为溶剂,乙二胺为还原剂,将醋酸铟、硒粉进行水热合成反应,将水热合成反应的产物依次经离心、分离、干燥后制得硒化铟前驱体;
步骤二、将硒化铟前驱体超声分散在无水乙醇中,在氮气保护下加入钛酸正丁酯,然后在搅拌下加入少量水对钛酸正丁酯进行原位水解;
步骤三、将原位水解所得产物煅烧后制得硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料。


3.根据权利要求2所述的硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员:韦丁甘云丹严文荣梁磊赵晓梅
申请(专利权)人:西安近代化学研究所
类型:发明
国别省市:陕西;61

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