自耦变压器的器身结构及自耦变压器制造技术

本实用新型专利技术公开一种自耦变压器的器身结构，包括铁心和绕组单元，铁心包括变磁通铁心柱和恒磁通铁心柱，绕组单元包括串联绕组、公共绕组、低压绕组、分接绕组和激磁绕组，激磁绕组和串联绕组分别绕制在同一所述变磁通铁心柱上，低压绕组、分接绕组和公共绕组分别绕制在同一所述恒磁通铁心柱上，其中，串联绕组与公共绕组串联连接，激磁绕组与分接绕组串联，且激磁绕组与分接绕组形成的串联结构与低压绕组并联。相应地，还提供一种自耦变压器。该结构通过使用低电压等级的分接开关对高电压侧绕组进行调压，从而可降低分接开关的制造难度，降低变压器成本。

【技术实现步骤摘要】
自耦变压器的器身结构及自耦变压器
本技术属于变压器
，具体涉及一种自耦变压器的器身结构及自耦变压器。
技术介绍
自耦电力变压器由于其成本和能耗的领先性被广泛应用于电力系统中。自耦电力变压器通常是将高压侧和中压侧的绕组自耦连接。对应的高压侧线圈部分一般称为串联绕组，对应的中压侧线圈称为公共绕组。为了能满足高压侧电网电压变化的需要，通常需要在串联绕组或公共绕组串接分接绕组，通过调节分接绕组串入匝数的数量实现电压调整。目前的自耦电力变压器的调压技术常采用如下解决方案：(1)在中性点进行电压调节(即公共绕组末端带分接绕组)的变磁通调压方式，其相对调压容量大，调压开关的级容量也超大，造成调压开关选型困难，开关采购成本较高；另外，这种变磁通调压方式会造成低压绕组的电压大幅波动。如果变压器的低压绕组带无功补偿装置或者带负荷，则还需要增设补偿线圈，以稳定低压绕组的电压，这样就进一步增加了制造成本和制造难度。(2)串联线圈尾端调压，在串联线圈尾部接入分接线圈，通过调整分接线圈的匝数来调节高压侧电压。这种调压方式的缺点：分接线圈和分接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自耦变压器的器身结构，包括铁心和绕组单元，其特征在于，所述铁心包括变磁通铁心柱(8)和恒磁通铁心柱(7)，/n绕组单元包括串联绕组(1)、公共绕组(5)、低压绕组(4)、分接绕组(3)和激磁绕组(2)，所述激磁绕组(2)和所述串联绕组(1)分别绕制在同一所述变磁通铁心柱(8)上，所述低压绕组(4)、所述分接绕组(3)和所述公共绕组(5)分别绕制在同一所述恒磁通铁心柱(7)上，/n其中，串联绕组(1)与公共绕组(5)串联连接，激磁绕组(2)与分接绕组(3)串联，且激磁绕组(2)与分接绕组(3)形成的串联结构与低压绕组(4)并联。/n

【技术特征摘要】
1.一种自耦变压器的器身结构，包括铁心和绕组单元，其特征在于，所述铁心包括变磁通铁心柱(8)和恒磁通铁心柱(7)，
绕组单元包括串联绕组(1)、公共绕组(5)、低压绕组(4)、分接绕组(3)和激磁绕组(2)，所述激磁绕组(2)和所述串联绕组(1)分别绕制在同一所述变磁通铁心柱(8)上，所述低压绕组(4)、所述分接绕组(3)和所述公共绕组(5)分别绕制在同一所述恒磁通铁心柱(7)上，
其中，串联绕组(1)与公共绕组(5)串联连接，激磁绕组(2)与分接绕组(3)串联，且激磁绕组(2)与分接绕组(3)形成的串联结构与低压绕组(4)并联。


2.根据权利要求1所述的自耦变压器的器身结构，其特征在于，激磁绕组(2)和串联绕组(1)按照由内到外的顺序依次绕制在所述变磁通铁心柱(8)上。


3.根据权利要求2所述的自耦变压器的器身结构，其特征在于，所述恒磁通铁心柱的数量为完全相同的多个，每个恒磁通铁心柱上的低压绕组、分接绕组和公共绕组的绕制顺序相同，所述变磁通铁心柱的数量为一个。


4.根据权利要求3所述的自耦变压器的器身结构，其特征在于，在各个恒磁通铁心柱上，各个低压绕组依次串联连接，或者，各个低压绕组依次并联连接，且各个低压绕组的匝数相同。


5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙银年，赵国峰，马勇，杨炜，伊新萍，高娃，
申请(专利权)人：特变电工京津冀智能科技有限公司，特变电工智能电气有限责任公司，
类型：新型
国别省市：天津;12