一种离子轰击减薄装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种新的离子轰击减薄装置，它既可以选用氩离子束流轰击样品，又可以选用碘离子束流轰击样品，设在样品室两侧的碘蒸气升华腔为形成碘离子束提供碘蒸气流。利用这种装置能够制备更多种材料的薄膜样品，满足透射电子显微镜的观测需求。（*该技术在1998年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种供制备透射电子显微镜观测样品用的离子轰击减薄装置，其特征为，在所设样品室两侧各接一个气流选通阀，选通阀的一个气流选择通道连通样品室与设在两侧的氩气入口，它的另一选择通道连通样品室与设在两侧的碘蒸气升华腔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王凤莲，褚一鸣，陆珉华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]