一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置。所述装置包括：依次连接的待测气体罐、气体检测腔室、尾气处理腔室；以及与气体检测腔室连接的测量电路；其中，所述气体检测腔室包括AlGaN/GaN基HEMT气体传感器，以及设置于所述气体传感器上方的紫外光束发射器件。通过紫外光束照射AlGaN/GaN基HEMT气体传感器来提高气体传感器的灵敏度，同时也能降低气体传感器的测量阈值。

【技术实现步骤摘要】
一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置
本技术涉及半导体器件
，特别是涉及一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置。
技术介绍
近年来，由于氮化镓(GaN)材料的禁带宽度大、耐高温、抗腐蚀性强、电子迁移率高，铝镓氮/氮化镓(AlGaN/GaN)基的高电子迁移率晶体管(HEMT)气体传感器在气体传感领域具有非常好的发展前景，可用于氢气、氧气、氨气、二氧化碳、一氧化碳、甲烷、硫化氢、二氧化氮和一氧化氮等许多气体的探测。在HEMT器件中，由于AlGaN和GaN均具有很强的极化效应，无需引入故意杂质掺杂就能在AlGaN/GaN异质结界面处形成二维电子气(2DEG)沟道，通过界面处的2DEG沟道进行电子的输运。又由于2DEG接近传感表面并且具有非常高的载流子浓度，所以对表面态或环境的改变非常敏感。故当表面态或环境发生改变，会改变2DEG载流子浓度的变化，进而改变所测得的源漏电流。尽管AlGaN/GaN基的HEMT气体传感器具有比基于金属氧化物的薄膜或纳米结构的气体传感器相对较高的灵敏度和较低的检测阈值，但是当气体传感器在应用到需要能检测出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置，其特征在于，所述装置包括：/n依次连接的待测气体罐(100)、气体检测腔室(200)、尾气处理腔室(300)；以及与所述气体检测腔室(200)连接的测量电路；/n其中，所述气体检测腔室(200)包括AlGaN/GaN基HEMT气体传感器(201)，以及设置于所述气体传感器上方的紫外光束发射器件(202)。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置，其特征在于，所述装置包括：
依次连接的待测气体罐(100)、气体检测腔室(200)、尾气处理腔室(300)；以及与所述气体检测腔室(200)连接的测量电路；
其中，所述气体检测腔室(200)包括AlGaN/GaN基HEMT气体传感器(201)，以及设置于所述气体传感器上方的紫外光束发射器件(202)。


2.根据权利要求1所述的气体检测装置，其特征在于，所述气体传感器(201)包括：
蓝宝石衬底(1)；
依次形成于所述蓝宝石衬底(1)上的氮化镓外延层(2)、铝镓氮外延层(3)和帽层(4)；其中，所述氮化镓外延层(2)与所述铝镓氮外延层(3)交界面形成铝镓氮/氮化镓异质结界面；
形成于所述帽层(4)和所述氮化镓外延层(2)上的源极(5)和漏极(6)；
形成在所述帽层(4)上的栅极(7)；其中，所述源极(5)、漏极(6)和栅极(7...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海定，邢宠，许磊，张昊宸，宋康，杨磊，谢东成，刘睿晨，薛峰，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：新型
国别省市：安徽;34