偏置电路、放大装置以及功率放大电路制造方法及图纸

本公开提供一种偏置电路、放大装置以及功率放大电路。所述偏置电路包括：电流产生电路，基于参考电流产生反映环境温度变化的第一补偿电流和第二补偿电流；第一温度补偿电路，基于所述第一补偿电流产生第一基极偏置电流，以将所述第一基极偏置电流输出到放大电路的基极节点；以及第二温度补偿电路，基于所述第二补偿电流产生第二基极偏置电流，以将所述第二基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点。

【技术实现步骤摘要】
偏置电路、放大装置以及功率放大电路本申请要求于2019年4月18日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0045557号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种具有双重补偿功能的偏置电路和放大装置。
技术介绍
通常，无线通信系统包括用于放大发送的信号的放大装置。为了满足对无线通信系统的多媒体服务的扩散和高速通信功能的需求，针对技术的不断发展以及宽带特性和非线性特性的改善的研究正在继续进行。在放大装置中，诸如异质结双极晶体管(HBT)的功率放大器的线性度和偏置电平具有强相关性。通常，当功率晶体管偏置到高电平时，它具有优异的线性性能。然而，当放大装置在高温下操作时，基极与发射极(基极-发射极)之间的PN结的导通电压Vth由于HBT的器件的温度特性而下降。在这种情况下，基极偏置电平也变低。因此，由于基极偏置电平在高温操作期间下降，所以可能会存在功率放大器的线性度劣化的问题。为了克服这样的问题，已经提出了一种解决方案，在所述解决方案中，当放大器在高温下操作时，使用用于增大外部偏置电流的与绝对温度成比例(PTAT)偏置。然而，在这样的方法中，可能存在技术困难(诸如，准确地感测HBT功率晶体管的温度)，并且另外需要外部电路来实现这一点，因此包括在放大装置中的电路可能变得更复杂。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述选择的构思。本
技术实现思路
并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。提供一种双重补偿偏置电路和一种放大装置，所述双重补偿偏置电路和所述放大装置能够使用反映环境温度变化的双重温度补偿功能有效地补偿电流偏置电路中的可根据环境温度而变化的基极偏置电流。在一个总体方面，一种偏置电路包括：电流产生电路，基于参考电流产生反映环境温度变化的第一补偿电流和第二补偿电流；第一温度补偿电路，基于所述第一补偿电流产生第一基极偏置电流，以将所述第一基极偏置电流输出到放大电路的基极节点；以及第二温度补偿电路，基于所述第二补偿电流产生第二基极偏置电流，以将所述第二基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点。在另一总体方面，一种放大装置包括：放大电路，具有放大晶体管；以及偏置电路，产生补偿温度的基极偏置电流，以将所述基极偏置电流输出到所述放大电路的基极节点，并且所述偏置电路包括：电流产生电路，基于参考电流产生反映环境温度变化的第一补偿电流和第二补偿电流；第一温度补偿电路，基于所述第一补偿电流产生第一基极偏置电流，以将所述第一基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点；以及第二温度补偿电路，基于所述第二补偿电流产生第二基极偏置电流，以将所述第二基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点。所述电流产生电路可包括：第一电阻器，具有连接到所述参考电流的端子的第一端；第二电阻器，具有连接到所述第一电阻器的第二端的第一端；以及温度补偿晶体管，连接在所述第二电阻器的第二端与地之间，并且连接到所述放大电路的放大晶体管，同时具有电流镜结构。所述电流产生电路可在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间的第一连接节点处输出所述第一补偿电流，并且可在所述第二电阻器与所述温度补偿晶体管的集电极之间的第二连接节点处输出所述第二补偿电流。所述温度补偿晶体管可具有与所述放大晶体管的温度特性相同的温度特性。所述第一温度补偿电路可包括：第一补偿晶体管，具有连接到所述第一连接节点的基极、连接到电源电压的端子的集电极以及连接到所述放大电路的所述基极节点的发射极。所述第一补偿晶体管可放大输入到所述基极的所述第一补偿电流，以将所述第一基极偏置电流通过所述发射极输出到所述放大电路的所述基极节点。所述第二温度补偿电路可包括：第二补偿晶体管，具有连接到所述第二连接节点的基极、连接到所述第一补偿晶体管的所述集电极的集电极以及连接到所述放大电路的所述基极节点的发射极。所述第二补偿晶体管可放大输入到所述第二补偿晶体管的所述基极的所述第二补偿电流，以将所述第二基极偏置电流通过所述第二补偿晶体管的所述发射极输出到所述放大电路的所述基极节点。一种三级功率放大电路可包括：第一功率放大电路；第二功率放大电路；以及包括所述偏置电路的第三功率放大电路。在另一总体方面，一种功率放大电路包括：放大电路，包括第一晶体管；以及偏置电路，包括作为所述第一晶体管的电流镜的第二晶体管，并且基于环境温度的变化产生第一基极偏置电流和第二基极偏置电流并将所述第一基极偏置电流和所述第二基极偏置电流输出到所述放大电路的基极节点，所述第二晶体管的基极连接到所述基极节点。所述偏置电路可包括用于产生所述第一基极偏置电流的第三晶体管以及用于产生所述第二基极偏置电流的第四晶体管。所述功率放大电路可包括连接在所述第二晶体管的所述基极与所述基极节点之间的电阻器。通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其它特征和方面将是显而易见的。附图说明图1是根据示例的放大装置的示图。图2是根据示例的双重补偿偏置电路和放大电路的示图。图3是根据示例的双重补偿偏置电路和放大电路的示图。图4是应用根据示例的放大装置的示图。图5是示出第一内部电流特性和第二内部电流特性的曲线图。图6是示出第一补偿电流特性和第二补偿电流特性的曲线图。图7是示出温度-静态电流特性的曲线图。图8A和图8B是示出根据温度变化的输出功率-增益特性的曲线图。图9A和图9B是示出根据温度变化的输出功率-AM-AM失真特性的曲线图。图10A和图10B是示出根据温度变化的输出功率-AM-PM失真特性的曲线图。图11A和图11B是示出根据温度变化的输出功率-ACLR特性的曲线图。在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明以及方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物对于本领域普通技术人员而言将是显而易见的。在此所描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此所阐述的操作的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出对于本领域普通技术人员将显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域普通技术人员所公知的功能和结构的描述。在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于在此所描述的示例。更确切地说，已经提供了在此所描述的示例以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域普通技术人员传达本公开的全部范围。这里，应注意的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括什么或实现什么)意味着存在至少一个包括或实现这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏置电路，包括：/n电流产生电路，被配置为基于参考电流产生反映环境温度变化的第一补偿电流和第二补偿电流；/n第一温度补偿电路，被配置为基于所述第一补偿电流产生第一基极偏置电流，并且将所述第一基极偏置电流输出到放大电路的基极节点；以及/n第二温度补偿电路，被配置为基于所述第二补偿电流产生第二基极偏置电流，并且将所述第二基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点。/n

【技术特征摘要】
20190418 KR 10-2019-00455571.一种偏置电路，包括：
电流产生电路，被配置为基于参考电流产生反映环境温度变化的第一补偿电流和第二补偿电流；
第一温度补偿电路，被配置为基于所述第一补偿电流产生第一基极偏置电流，并且将所述第一基极偏置电流输出到放大电路的基极节点；以及
第二温度补偿电路，被配置为基于所述第二补偿电流产生第二基极偏置电流，并且将所述第二基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点。


2.根据权利要求1所述的偏置电路，其中，所述电流产生电路包括：
第一电阻器，具有连接到所述参考电流的端子的第一端；
第二电阻器，具有连接到所述第一电阻器的第二端的第一端；以及
温度补偿晶体管，连接在所述第二电阻器的第二端与地之间，并且连接到所述放大电路的放大晶体管，同时具有电流镜结构。


3.根据权利要求2所述的偏置电路，其中，所述电流产生电路被配置为在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间的第一连接节点处输出所述第一补偿电流，并且在所述第二电阻器与所述温度补偿晶体管的集电极之间的第二连接节点处输出所述第二补偿电流。


4.根据权利要求3所述的偏置电路，其中，所述温度补偿晶体管被配置为具有与所述放大晶体管的温度特性相同的温度特性。


5.根据权利要求4所述的偏置电路，其中，所述第一温度补偿电路包括：
第一补偿晶体管，具有连接到所述第一连接节点的基极、连接到电源电压的端子的集电极以及连接到所述放大电路的所述基极节点的发射极。


6.根据权利要求5所述的偏置电路，其中，所述第一补偿晶体管被配置为放大输入到所述基极的所述第一补偿电流，以将所述第一基极偏置电流通过所述发射极输出到所述放大电路的所述基极节点。


7.根据权利要求6所述的偏置电路，其中，所述第二温度补偿电路包括：
第二补偿晶体管，具有连接到所述第二连接节点的基极、连接到所述第一补偿晶体管的所述集电极的集电极以及连接到所述放大电路的所述基极节点的发射极。


8.根据权利要求7所述的偏置电路，其中，所述第二补偿晶体管被配置为放大输入到所述第二补偿晶体管的所述基极的所述第二补偿电流，以将所述第二基极偏置电流通过所述第二补偿晶体管的所述发射极输出到所述放大电路的所述基极节点。


9.一种放大装置，包括：
放大电路，包括放大晶体管；以及
偏置电路，被配置为产生对温度进行补偿的基极偏置电流，并且将所述基极偏置电流输出到所述放大电路的基极节点，
其中，所述偏置电路包括：
电流产生电路，被配置为基于参考电流产生反映环境温度变化的第一补偿电流和第二补偿电流；
第一温度补偿电路，被配置为基于所述第一补偿电流产生第一基极偏置电流，以将所述第一基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点；以及
第二温度补偿电路，被配...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔圭珍，赵济熙，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR