具有温度补偿的偏置电路、放大装置以及放大设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具有温度补偿的偏置电路、放大装置以及放大设备。所述偏置电路包括：电流产生电路、偏置输出电路和温度补偿电路，所述电流产生电路基于参考电流产生内部基极电流，所述偏置输出电路基于所述内部基极电流产生基极偏置电流并且将所述基极偏置电流输出到放大电路，所述温度补偿电路基于反映周围温度改变的温度电压来调节所述基极偏置电流。

【技术实现步骤摘要】
具有温度补偿的偏置电路、放大装置以及放大设备本申请要求于2019年4月18日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0045558号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种具有温度补偿功能的偏置电路和放大装置。
技术介绍
通常，无线通信系统包括用于放大传输的信号的放大装置。为了满足用于扩散无线通信系统的多媒体服务和高速通信功能的需求，正在为了技术的不断发展以及宽带特性和非线性特性的改善进行持续研究。在放大装置中，诸如异质结双极晶体管(HBT)的功率放大器的线性度和偏置电平具有强相关性。通常，当功率晶体管偏置为高电平时，它具有优异的线性性能。然而，当放大装置在高温下操作时，由于HBT装置的温度特性导致在基极与发射极(基极-发射极)之间的PN结的导通电压Vth降低。在这种情况下，基极偏置电平也变低。因此，由于在高温操作期间基极偏置电平变低，因而可能存在功率放大器的线性度劣化的问题。为了克服这样的问题，已经提出了一种这样的解决方案：使用与绝对温度成比例(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏置电路，包括：/n电流产生电路，被配置为基于参考电流产生内部基极电流；/n偏置输出电路，被配置为基于所述内部基极电流产生基极偏置电流并且将所述基极偏置电流输出到放大电路；以及/n温度补偿电路，被配置为基于反映周围温度改变的温度电压来调节所述基极偏置电流。/n

【技术特征摘要】
20190418 KR 10-2019-00455581.一种偏置电路，包括：
电流产生电路，被配置为基于参考电流产生内部基极电流；
偏置输出电路，被配置为基于所述内部基极电流产生基极偏置电流并且将所述基极偏置电流输出到放大电路；以及
温度补偿电路，被配置为基于反映周围温度改变的温度电压来调节所述基极偏置电流。


2.根据权利要求1所述的偏置电路，其中，所述电流产生电路包括：
第一电阻器，具有连接到所述参考电流的端子的第一端；
第一二极管和第二二极管，彼此串联连接在所述第一电阻器的第二端与第二电阻器的第一端之间；以及
所述第二电阻器，连接在所述第二二极管与地之间。


3.根据权利要求2所述的偏置电路，其中，所述电流产生电路被配置为在所述第一二极管与所述第二二极管之间的连接节点处输出所述温度电压。


4.根据权利要求3所述的偏置电路，其中，所述第二二极管被配置为具有与包括在所述放大电路中的放大晶体管的基极-发射极PN结的温度特性相同的温度特性。


5.根据权利要求4所述的偏置电路，其中，所述偏置输出电路包括：
输出晶体管，具有与所述第一电阻器与所述第一二极管之间的连接节点连接的基极、连接到电源电压的端子的集电极以及连接到所述放大电路的发射极。


6.根据权利要求5所述的偏置电路，其中，所述输出晶体管被配置为放大所述内部基极电流的输入到所述基极的电流，并且通过所述发射极输出所述基极偏置电流。


7.根据权利要求6所述的偏置电路，其中，所述温度补偿电路包括：
第三电阻器，具有与所述第一二极管与所述第二二极管之间的所述连接节点连接的第一端；
第四电阻器，具有连接到所述输出晶体管的所述基极的第一端；
补偿晶体管，具有连接到所述第三电阻器的第二端的基极、连接到所述第四电阻器的第二端的集电极以及连接到地的发射极；以及
第一电容器，连接在所述补偿晶体管的所述基极与地之间，
其中，所述第四电阻器被配置为在所述补偿晶体管的所述集电极与所述输出晶体管的所述基极之间提供隔离功能，并且
所述第三电阻器和所述第一电容器被配置为形成低通滤波器。


8.根据权利要求7所述的偏置电路，其中，所述补偿晶体管被配置为根据所述温度电压的幅值来调节所述内部基极电流的吸收到地的电流。


9.一种放大装置，包括：
电流产生电路，被配置为基于参考电流产生内部基极电流；
偏置输出电路，被配置为基于所述内部基极电流产生基极偏置电流；
放大电路，包括被配置为接收所述基极偏置电流的放大晶体管；以及
温度补偿电路，被配置为基于反映周围温度改变的温度电压来调节所述基极偏置电流。


10.根据权利要求9所述的放大装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔圭珍，赵济熙，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR