一种等离子体诱导透明超材料传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种等离子体诱导透明超材料传感器，属于石墨烯材料在中红外波段传感器件，利用了石墨烯表面等离子体特性及等离子体诱导透明理论。该传感器件为三维周期性结构，其结构组成为：顶层为石墨烯开口谐振环和石墨烯双纳米带结构，中间层为二氧化硅介质，底层为掺杂硅基底层，由上往下堆叠而成的三层结构。本发明专利技术主要通过有限元方法计算模拟出等离子体诱导透明超材料传感器的谐振光谱，对传感器结构进行优化，具有在中红外频段激发出等离子体诱导透明共振的能力，并可以有效调谐等离子体诱导透明共振的线形和谐振频率。本发明专利技术结构简单、紧凑合理，便于加工。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体诱导透明超材料传感器
本专利技术涉及一种等离子体诱导透明超材料传感器，属于石墨烯材料在中红外波段传感器件应用领域。
技术介绍
电磁感应透明(EIT)是一种由量子干涉引起的吸收透射增强的现象，可以实现用电磁场控制材料的光学响应。这种现象首先在原子系统中被观察到，它可以在三能级系统中实现。原子EIT效应已经广泛应用于慢光、非线性光学等领域。但是，原子EIT效应的实现是很困难的，需要非常苛刻的环境和操作条件，这极大地限制了传统原子EIT的应用与发展。为了克服这些问题，人们研究出了类似于原子EIT系统的新的系统。而等离子体诱导透明(PIT)便是一种类EIT效应，引起了人们的广泛关注，并应用在传感、慢光、光学存储等领域。PIT效应的实现通常使用明暗模耦合，即利用明态模式和暗态模式之间直接的相消干涉产生。中红外的频率主要是15—150THz(2μm—20μm)范围的光谱，中红外光谱在环境监测，传感和天文检测等各个领域具有非常巨大的潜力，因为许多材料的指纹落在该光谱区域。尤其是在传感领域，很多分子指纹分布在中红外波段内，这些分子指纹可以通过传感器非常精准地判断出来，这种特性让中红外波段传感器在近几年受到广泛的关注。但是，传统的传感器一般运用金属和半导体材料，具有较大的欧姆和辐射损耗，性能会受到严重的损耗，品质因数和灵敏度普遍较低。为了在中红外区域减少的损耗，等离子体激元共振(PFR)应当表现出高质量因子。该特征对于表面增强红外吸收(SEIRA)具有很强的作用，由于中红外指纹区域中的材料特异性振动吸收，可以提供分子信息。而等离子体诱导透明现象作为等离子体激元中一种共振形式，在中红外波段表现出了超高品质因数和高灵敏度，这表明了其在传感等领域具有巨大的潜力。近年来随着研究者们对石墨烯的研究，基于石墨烯的等离子体诱导透明效应也吸引了大家的关注。众所周知，基于传统金属超材料激发的等离子体透明效应，具有一个严重的缺点，即一旦制造结构，透明窗口的工作波长就固定了。而基于石墨烯的等离子体诱导透明效应，可以通过调控石墨烯的费米能级来控制透明窗口，因此在如慢光器件、传感器等领域展现了很大的应用潜力。本传感器通过偏置调整单层石墨烯的费米能级，可以实现对谐振光谱进行动态调谐，这样可以使光学共振与分子振动指纹重叠。作为新型的石墨烯材料，其加工技术也得到了广大科研工作者的研究变得日趋的成熟，最常用的加工技术是CVD法。因此本专利技术具有重要的科学意义和实际应用价值，在中红外谐振领域实际应用中也有着一定的前景。此外本专利技术也可以为中红外波段传感器的设计和发展提供重要的理论和技术支持。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种结构简单、能够在中红外波段方便地激发高性能等离子体诱导透明的超材料传感器。考虑到了结构难易等要求，本专利技术提出了一种等离子体诱导透明超材料传感器，为基于石墨烯超材料的高可调和高灵敏度传感器的发展提供了重要的帮助。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种等离子体诱导透明超材料传感器，该传感器为三维周期性结构，采用石墨烯开口谐振环和石墨烯双纳米带结构用于激发等离子体诱导透明谐振；其特征在于：结构组成自下而上分别为一层掺杂硅基底层，一层二氧化硅介质层，顶层为石墨烯开口谐振环和石墨烯双纳米带结构。本技术方案中的中红外波段等离子体诱导透明传感器以石墨烯材料为基础，可以通过氧化石墨还原法来制作，器件的加工还包括光刻及刻蚀技术。本专利技术所述的石墨烯材料选用的费米能级能在0.5eV～1.0eV之间，这在实验上进行掺杂是很容易实现的。本专利技术所述的有效增益是：(1)本传感器结构简单紧凑，能够在中红外波段激发出高性能的等离子体诱导透明谐振。(2)本传感器激发出的等离子体诱导透明的透明窗口非常尖锐，证明激发出了性能优异的等离子体诱导透明谐振。(3)利用作为明态模式的石墨烯双纳米带和作为暗态模式的石墨烯开口谐振环之间的相消干涉，从而激发出高性能的等离子体诱导透明谐振。(4)本传感器的激发出的等离子体诱导透明谐振可以通过添加偏振电压的方式来调节石墨烯的费米能级，从而改变等离子体诱导透明的谐振频率和谐振强度，以满足传感器不同的需求。附图说明图1为该传感器单元结构示意图；图2为该传感器顶部石墨烯结构结构示意图；图3为该传感器在不同石墨烯费米能级下等离子体诱导透明谐振的透射光谱；图4为该传感器在不同物质折射率下等离子体诱导透明谐振的透射光谱；以上图片中含有：px＝py＝200nm，R＝80nm，G＝20nm，W＝20nm，L＝80nm，S＝20nm，P＝30nm，d＝30nm，h＝30nm。附图标记说明：1-掺杂硅基底层；2-二氧化硅介质层；3-石墨烯开口谐振环；4-石墨烯双纳米带。具体实施方式以下是本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术的技术方案作进一步的描述，但本专利技术并不限于该实施例。附图1为等离子体诱导透明超材料传感器的一个单元结构示意图。采用结构单元的长和宽为px与py，掺杂硅基底层的厚度为h，二氧化硅介质层的厚度为d，石墨烯开口谐振环和石墨烯双纳米带厚度为1nm，石墨烯开口谐振环半径长度为R，开口谐振环的缺口宽度为G，开口谐振环的宽度为W，双纳米带的长度为L，双纳米带的宽度为S，双纳米带之间的间距为P，石墨烯开口谐振环-双纳米带结构如附图2所示。该传感器的工作原理或工作过程可通过如下内容来解释。由于石墨烯材料具有非常高的电子迁移率特性，通过对石墨烯添加偏置电压，调节石墨烯的费米能级，增强了石墨烯层的电导率，使其呈现金属的性质，与二氧化硅介质和空气介质作用激发出表面等离子体共振。在这里可以采用氧化石墨还原法制作一层厚度为1nm的石墨烯薄膜，再转移到二氧化硅介质层上，通过掩膜光刻法得到石墨烯开口谐振环-双纳米带结构阵列。为了调谐石墨烯的费米能级，在石墨烯层上方旋涂离子凝胶层，与掺杂硅基底层共同添加偏振电压，这种顶部门控的方法可以方便地调节石墨烯的费米能级。在中红外波段，当中红外电磁波垂直入射到石墨烯开口谐振环-双纳米带表面时，可以直接激发石墨烯双纳米带中的表面等离子体激元(SPPs)，并在29.2THz附近产生偶极共振。而石墨烯开口谐振环在29.2THz附近无法直接激发共振，但是利用石墨烯双纳米带的偶极共振可以在此频率点间接激发出石墨烯开口谐振环的六级共振。此时石墨烯双纳米带和石墨烯开口谐振环之间产生相消干涉，因此激发出等离子体诱导透明共振。而等离子体诱导透明共振的透明窗口具有高灵敏度和品质因数的特点，可以实现高性能的传感应用。当传感器上方通入不同的气体或者滴上不同的液体，由于这些气体或液体的折射率不同，使得传感器在中红外频段的谐振激发频率发生偏移，从而可以对这些气体或液体进行探测，最终实现传感应用。附图3是在不同石墨烯费米能级EF下等离子体诱导透明超材料传感器的透射光谱。等离子体诱导透明共振的典型特征为非对称线型，即图中两个谐振谷和中间的透明窗口便表示激发出了典型的等离子体诱导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体诱导透明超材料传感器，其特征在于：结构组成自下而上分别为一层掺杂硅基底层，一层二氧化硅介质层，顶层为石墨烯开口谐振环和石墨烯双纳米带结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子体诱导透明超材料传感器，其特征在于：结构组成自下而上分别为一层掺杂硅基底层，一层二氧化硅介质层，顶层为石墨烯开口谐振环和石墨烯双纳米带结构。


2.根据权利要求1所述的一种等离子体诱导透明超材料传感器，其特征在于：掺杂硅基底厚度h为30nm，二氧化硅介质层厚度d...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖丙刚，宫绍康，蔡万钧，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33