切割芯片接合薄膜制造技术

提供在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层的粘接剂层，前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理，前述基材与前述粘合剂层之间的、‑15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。(‑15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1(1)。

【技术实现步骤摘要】
切割芯片接合薄膜
本专利技术涉及切割芯片接合薄膜。更详细而言，本专利技术涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割芯片接合薄膜。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，在得到具有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合用粘接剂层的半导体芯片的过程中有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有对应于作为加工对象的半导体晶圆的尺寸，例如具有由基材和粘合剂层构成的切割带、和可剥离地密合在该粘合剂层侧的芯片接合薄膜(粘接剂层)。近年来，半导体晶圆正在薄型化，在经薄型化的半导体晶圆的切割时，以往的刀具切割方式有芯片容易缺损、芯片容易受损这样的问题。因此，已知有经过如下工序的方法：使用切割芯片接合薄膜，用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展从而使芯片接合薄膜及半导体晶圆割断。该方法首先在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。该半导体晶圆例如按照之后与芯片接合薄膜一起被割断、能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。然后，为了割断切割带上的芯片接合薄膜，使用扩展装置沿着包含半导体晶圆的径向和圆周方向的二维方向拉伸切割芯片接合薄膜的切割带。在该扩展工序中，在芯片接合薄膜中的相当于割断位置的位置处，位于芯片接合薄膜上的半导体晶圆也产生割断，半导体晶圆在切割芯片接合薄膜或切割带上被单片化为多个半导体芯片。然后，对于切割带上的割断后的多个带有芯片接合薄膜的半导体芯片，为了拓宽间隔距离而再次进行扩展工序。然后，例如在经过清洗工序后，利用拾取机构的针状构件将各半导体芯片和与其密合的尺寸与芯片相当的芯片接合薄膜一起从切割带的下侧顶起，从切割带上进行拾取。由此得到带有芯片接合薄膜即粘接剂层的半导体芯片。该带有粘接剂层的半导体芯片借助其粘接剂层通过芯片接合固定到安装基板等被粘物上。关于涉及如以上那样使用的切割芯片接合薄膜的技术，例如记载于下述专利文献1～3。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-2173号公报专利文献2：日本特开2010-177401号公报专利文献3：日本特开2016-115804号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，想要使用扩展装置沿包含半导体晶圆的径向和圆周方向的二维方向对切割芯片接合薄膜的切割带进行拉伸来将粘接剂层割断时，有时切割带中的粘合剂层会破裂。若在基于扩展的粘接剂层的割断时粘合剂层发生破裂，则有时对切割带进行拉伸时产生的应力不会高效地传到粘接剂层，不能适当地将粘接剂层割断。本专利技术是鉴于上述问题而作出的，其目的在于，提供在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂的切割芯片接合薄膜。用于解决问题的方案本专利技术人等为了达成上述目的而进行了深入研究，结果发现，使用如下的切割芯片接合薄膜时，在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂，所述切割芯片接合薄膜具备：切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及粘接剂层，以可剥离的方式密合于上述切割带中的上述粘合剂层，上述基材的上述粘合剂层侧表面实施了表面处理，上述基材与上述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力为25℃下的剥离力以上。本专利技术是基于所述见解而完成的。即，本专利技术提供切割芯片接合薄膜，其具备：切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及粘接剂层，以可剥离的方式密合于上述切割带中的上述粘合剂层，上述基材的上述粘合剂层侧表面实施了表面处理，上述基材与上述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1(1)本专利技术的切割芯片接合薄膜具备切割带及粘接剂层。切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构。粘接剂层以可剥离的方式密合于切割带中的粘合剂层。这种构成的切割芯片接合薄膜可以在半导体装置的制造过程中用于得到带有粘接剂层的半导体芯片。在半导体装置的制造过程中，如上所述，为了得到带有粘接剂层的半导体芯片，有时实施使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序、即用于割断的扩展工序。在该扩展工序中，需要使割断力适宜地作用于切割芯片接合薄膜中的切割带上的粘接剂层。对于本专利技术的切割芯片接合薄膜中的切割带，上述基材的上述粘合剂层侧表面实施了表面处理，并且上述基材与上述粘合剂层间的-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足上述式(1)。利用具有这种构成的本专利技术的切割芯片接合薄膜，在用于将粘接剂层割断的扩展时(特别是低温下的扩展时)粘合剂层不易破裂。另外，通过满足上述式(1)，有无论基材的种类怎样均可得到这种效果的倾向。另外，对于本专利技术的切割芯片接合薄膜，基材与粘合剂层之间的-15℃下的剥离力优选超过6.5N/10mm。利用具有这种构成的本专利技术的切割芯片接合薄膜，低温下粘合剂层被牢固地保持于基材，在用于将粘接剂层割断的扩展时(特别是低温下的扩展时)，粘合剂层更不易破裂。另外，对于本专利技术的切割芯片接合薄膜，粘合剂层优选为丙烯酸系粘合剂层。利用具有这种构成的本专利技术的切割芯片接合薄膜，容易设计满足上述式(1)的粘合剂层。专利技术的效果利用本专利技术的切割芯片接合薄膜，在制造半导体装置的过程中的用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂。因此，在粘接剂层的割断时对切割带进行拉伸时产生的应力高效地传到粘接剂层，能够更适当地将粘接剂层割断。附图说明图1为示出本专利技术的切割芯片接合薄膜的一实施方式的截面示意图。图2示出使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法中的一部分工序。图3示出图2所示的工序的后续工序。图4示出图3所示的工序的后续工序。图5示出图4所示的工序的后续工序。图6示出图5所示的工序的后续工序。图7示出图6所示的工序的后续工序。图8示出使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法的变形例中的一部分工序。图9示出使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法的变形例中的一部分工序。图10示出使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法的变形例中的一部分工序。图11示出使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法的变形例中的一部分工序。附图标记说明1切割芯片接合薄膜10切割带11基材12粘合剂层20、21粘接剂层W、30A、30C半导体晶圆30B半导体晶圆分割体30a分割槽30b改性区域31半导体芯片具体实施方式[切割芯片接合薄膜]本专利技术的切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其以可剥离的方式密合于上述切割带中的上述粘合剂层。以下对本专利技术的切割芯片接合薄膜的一实施方式进行说明。需要说明的是，本说明书中，也对如下的关于切割芯片接合薄膜的技术方案进行说明，所述切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及粘接剂层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：/n切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及/n粘接剂层，以可剥离的方式密合于所述切割带中的所述粘合剂层，/n所述基材的所述粘合剂层侧表面实施了表面处理，/n所述基材与所述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)，/n(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1 (1)。/n

【技术特征摘要】
20190417 JP 2019-0787281.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及
粘接剂层，以可剥离的方式密合于所述切割带中的所述粘合剂层，
所述基材的所述粘合剂层侧表面实施了表面处理，
所述基材与所述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与...

【专利技术属性】
技术研发人员：福井章洋，杉村敏正，大西谦司，高本尚英，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP