【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】开环脉冲宽度调制驱动器的双自举电路
本公开总体上涉及用于音频和触觉设备的电路,所述音频和触觉设备包括但不限于个人音频设备,诸如无线电话和媒体播放器,或包括触觉模块的设备。
技术介绍
个人音频设备,包括无线电话(诸如移动/蜂窝电话)、无绳电话、mp3播放器和其他消费者音频设备,正被广泛使用。这样的个人音频设备可以包括用于驱动一对耳机或一个或多个扬声器的电路。这种电路通常包括功率放大器,其用于驱动到耳机或扬声器的音频输出信号。一般来说,功率放大器通过从电源中获取能量并控制音频输出信号以匹配输入信号的形状但振幅更大,来放大音频信号。音频放大器的一个示例是D类放大器。D类放大器(也称为“开关放大器”)可以包括电子放大器,其中,放大设备(例如,晶体管,通常为金属氧化物半导体场效应晶体管)作为电子开关进行操作。在D类放大器中,可以通过脉冲宽度调制(PWM)、脉冲密度调制或另一种调制方法将要放大的信号转换为一系列脉冲,从而将该信号转换为调制信号,其中调制信号的脉冲的特性(例如,脉冲宽度,脉冲密度等)是信号幅度的函数。经过D类放大器放大后,输出脉冲序列可以通过穿过无源低通滤波器而被转换为未调制的模拟信号,其中,该低通滤波器可以在D类放大器中是固有的或是由D类放大器驱动的负载。D类放大器被经常使用是因为它们可能比线性模拟放大器功率效率更高,因为与线性模拟放大器相比,由于有源器件中的热量,D类放大器可能耗散的功率更少。通常,选择闭环PWM放大器,以便提供具有期望的总谐波失真(THD)和电源抑制比(PSRR)的精确负载电压 ...
【技术保护点】
1.一种驱动器系统,包括:/n第一n型场效应晶体管,该第一n型场效应晶体管在其非栅极端子处耦合在所述驱动器系统的输出端与电源电压的第一端子之间,并且被配置为在所述第一n型场效应晶体管被激活时驱动所述输出端;/n第二n型场效应晶体管,该第二n型场效应晶体管在其非栅极端子处耦合在所述驱动器系统的输出端与所述电源电压的第二端子之间,并且被配置为在所述第二n型场效应晶体管被激活时驱动所述输出端;/n高侧电容器,该高侧电容器被耦合到所述驱动器系统的输出端;/n低侧电容器,该低侧电容器被耦合到所述电源电压的第二端子;/n其中,所述高侧电容器和所述低侧电容器被配置为跟踪并校正所述第一n型场效应晶体管的第一电阻和所述第二n型场效应晶体管的第二电阻之间的失配。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180219 US 62/632,291;20181017 US 16/162,9601.一种驱动器系统,包括:
第一n型场效应晶体管,该第一n型场效应晶体管在其非栅极端子处耦合在所述驱动器系统的输出端与电源电压的第一端子之间,并且被配置为在所述第一n型场效应晶体管被激活时驱动所述输出端;
第二n型场效应晶体管,该第二n型场效应晶体管在其非栅极端子处耦合在所述驱动器系统的输出端与所述电源电压的第二端子之间,并且被配置为在所述第二n型场效应晶体管被激活时驱动所述输出端;
高侧电容器,该高侧电容器被耦合到所述驱动器系统的输出端;
低侧电容器,该低侧电容器被耦合到所述电源电压的第二端子;
其中,所述高侧电容器和所述低侧电容器被配置为跟踪并校正所述第一n型场效应晶体管的第一电阻和所述第二n型场效应晶体管的第二电阻之间的失配。
2.根据权利要求1所述的驱动器系统,其中,所述高侧电容器还跟踪在所述第一n型场效应晶体管的栅极端子处发生的第一偏移量,并在所述输出端处校正所述第一偏移量。
3.根据权利要求2所述的驱动器系统,其中,所述低侧电容器还跟踪在所述第二n型场效应晶体管的栅极端子处发生的第二偏移量,并在所述输出端处校正所述第二偏移量。
4.根据权利要求3所述的驱动器系统,其中,所述低侧电容器还以校正所述第一偏移量的方式跟踪所述第二偏移量。
5.根据权利要求1所述的驱动器系统,其中,所述跟踪和校正包括:在所述输出端处的输出信号的每个边沿过渡期间和之后,控制所述第一n型场效应晶体管和所述第二n型场效应晶体管中的至少一个。
6.根据权利要求5所述的驱动器系统,其中,所述控制包括:基于通过所述第一n型场效应晶体管的栅极的电压反馈和通过所述输出端的电流反馈中的一个,在所述输出信号的第一边沿过渡期间控制所述第一电阻。
7.根据权利要求6所述的驱动器系统,其中,所述控制包括:基于通过所述第二n型场效应晶体管的栅极的电压反馈和通过所述输出端的电流反馈中的一个,在所述输出信号的第二边沿过渡期间控制所述第二电阻。
8.根据权利要求5所述的驱动器系统,其中,在边沿过渡之后进行的控制对所述第一电阻和所述第二电阻中的至少一个进行控制,以便校正所述第一电阻和所述第二电阻之间的失配。
9.根据权利要求1所述的驱动器系统,还包括双自举子系统,该双自举子系统被配置为跟踪并校正所述第一电阻和所述第二电阻之间的失配,其中,所述双自举子系统包括:
高侧自举开关,该高侧自举开关在其非栅极端子处耦合在第二电源电压和高侧自举电容器之间,使得所述高侧自举电容器被耦合在所述高侧自举开关与所述输出端之间;
高侧预驱动器,该高侧预驱动器被配置为驱动所述第一n型场效应晶体管的栅极,其中,所述高侧预驱动器的各个电源端子被耦合至所述高侧电容器的各个端子;
低侧自举开关,该低侧自举开关在其非栅极端子处耦合在所述第二电源电压和低侧自举电容器之间,使得所述低侧自举电容器被耦合在所述低侧自举开关与所述电源电压的第二端子之间;
低侧预驱动器,该低侧预驱动器被配置为驱动所述第二n型场效应晶体管的栅极,其中,所述低侧预驱动器的各个电源端子被耦合至所述低侧电容器的各个端子。
10.根据权利要求9所述的驱动器系统,其中,所述电源...
【专利技术属性】
技术研发人员:白婧,特贾斯维·达斯,赵欣,朱磊,费晓凡,
申请(专利权)人:思睿逻辑国际半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:英国;GB
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