元件、电子设备以及元件的制造方法技术

元件(1)包括包含纳米粒子(170)的电子传输层(17)、包含QD荧光体粒子(150)的QD层(15)以及以与电子传输层(17)和QD层(15)相邻的方式被夹持的混合层(16)。混合层(16)包括QD荧光体粒子(150m)和纳米粒子(170m)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】元件、电子设备以及元件的制造方法
本专利技术的一形态关于一种包括量子点(QuantumDot，QD)荧光体粒子的元件。
技术介绍
近年来，已经使用了包括QD荧光体粒子(也称为半导体纳米粒子荧光体)的元件(更具体地，光电转换元件)。专利文献1公开了一种作为该元件的示例的发光元件。专利文献1的发光元件包括(i)包含QD荧光体粒子的层(发光层)，(ii)包含无机纳米粒子的层(电子注入/传输层或空穴注入/传输层)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本公表专利公报“特表2012-533156号”
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题本专利技术的一形态的目的在于，与现有元件相比元件的性能提高。用于解决技术问题的技术方案为了解决上述问题，本专利技术一形态的元件包括第一层，其包括第一纳米粒子；第二层，其包括与所述第一纳米粒子不同种类的纳米粒子即第二纳米粒子；以及第三层，其以与所述第一层和所述第二层相邻的方式被夹持，所述第一纳米粒子或所述第二纳米粒子中的一个为量子点荧光体粒子，所述第三层包括所述第一纳米粒子和所述第二纳米粒子。有益效果根据本专利技术一形态的元件，与现有相比，可以改善性能。附图说明图1是表示第一实施方式的元件的概略构成的图。图2的(a)和(b)分别是用于说明第一实施方式中的混合层的作用的图。图3是表示第二实施方式的元件的概略构成的图。图4的(a)和(b)分别是用于说明第二实施方式中的混合层的作用的图。图5是表示第三实施方式的元件的概略构成的图。图6的(a)和(b)分别是用于说明第三实施方式中的混合层的作用的图。图7是表示第四实施方式中的实施例1～8中的每一个的构成的图。图8是表示适用于第五实施方式中的各层纳米粒子的材料的配体的示例的图。具体实施方式〔第一实施方式〕图1表示第一实施方式的元件1(光电转换元件)的概略构成。包括元件1的电子设备称为电子设备100。在第一实施方式中，主要例示了元件1是发光元件的情况。作为发光元件的元件1也可以作为电子设备100(例如，显示装置)的光源使用。将省略元件1包括的各构件中的与第一实施方式无关的构件的说明。也可以理解为，这些省略了说明的构件与公知的构件相同。此外，应当注意的是，各附图以概略性地说明各构件的形状、结构以及位置关系，未必按比例描绘。(元件1的构成)在元件1中，QD层15(量子点荧光体层，第一层)设置在第一电极12与第二电极18之间。在第一实施方式中，第一电极12是阳极(阳极电极)，第二电极18是阴极(阴极电极)。在本说明书中，从下面描述的基板11朝向第一电极12(或第二电极18)的方向称为上方。此外，与上方相反的方向称为下方。QD层15包括QD荧光体粒子150(量子点荧光体粒子，第一纳米粒子)(参照后述的图2)。QD荧光体粒子150通过从第一电极12(阳极)供给的空穴(hole)和从第二电极18(阴极)供给的电子的重组发光。第一实施方式的QD层15用作发光层。元件1从图1的基板11朝向上方依次包括第一电极12、空穴注入层(HoleInjectionLayer，HIL)13、空穴传输层(HoleTransportationLayer，HTL)14、QD层15、混合层16(第三层)、电子传输层(ElectronTransportationLayer，ETL)17(第二层)以及第二电极18。第一电极12和第二电极18中的每一个可以连接到未图示的电源(例如，直流电源)。在第一实施方式中，将由QD层15、混合层16和电子传输层17构成的结构体称为层叠结构体LS。在层叠结构体LS中，将配置在最靠近基板11的层称为第一层(下层)。在第一实施方式中，QD层15是第一层。此外，在层叠结构体LS中，将配置在距基板11最远的位置的层称为第二层(上层)。在第一实施方式中，电子传输层17是第二层。这样，第一层配置在与第二层相比更靠近基板11的位置。在层叠结构体LS中，将以与第一层和第二层相邻的方式被夹持的层称为第三层(中间层)。在第一实施方式中，混合层16是第三层。如下所述，第一层和第二层中的每一个均包含纳米粒子。以下，包含在第一层中的纳米粒子称为第一纳米粒子。此外，包含在第二层中的纳米粒子称为第二纳米粒子。第一纳米粒子和第二纳米粒子分别是不同种类的纳米粒子。基板11支承第一电极12～第二电极18。基板11可以由透光性材料(例如，玻璃)构成，也可以由光反射性材料构成。第一电极12和第二电极18的每一个均由导电性材料构成。第一电极12电连接到空穴注入层13。第二电极18兼具促进电子从该第二电极18注入到QD层15中的电子注入层(ElectronInjectionLayer，EIL)的作用。第一电极12和第二电极18是导电性电极(导电层)。第一电极12和第二电极18中的至少一个也可以是透射光(例如，从QD层15发出的光)的透光性电极。作为透光性电极的材料可以例举例如，ITO、IZO、ZnO、AZO和BZO。第一电极12和第二电极18中的一个也可以是反射光的反射性电极。作为示例，作为反射性电极的材料可以例举Al、Cu、Au和Ag。由于这些金属材料相对于可见光具有高反射率(光透射率)，因此，适合于反射性电极。通过利用电源在第一电极12(阳极)与第二电极18(阴极)之间施加顺向电压(使第一电极12与第二电极18相比位于高电位)，(i)可以将电子从第二电极18供给到QD层15，并且(ii)可以将空穴从第一电极12供给到QD层15。结果，在QD层15中，可以随着空穴和电子的重组产生光。通过电源施加电压也可以由未图示的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)控制。空穴注入层13促进空穴从第一电极12注入到QD层15中。作为空穴注入层13的材料可以例举，例如PEDOT：PSS、氧化镍、掺杂锂的氧化镍、氧化钨以及ITO(铟锡氧化物)等。空穴传输层14包含空穴传输性优异的材料。作为第一实施方式中的空穴传输层14的材料，可以使用的例如：PVK(Poly(N-vinylcarbazole))、α-NPD(N,N'-Di-1-naphthyl-N,N'-diphenylbenzidine)、poly-TPD(Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]以及氧化镍等。如后所述，空穴传输层14也可以包含空穴传输性优异的材料作为纳米粒子140(参照图6)。QD层15内的QD荧光体粒子150的材料是具有价带能级和导带能级的发光材料(例如，无机发光材料)。作为示例，QD荧光体粒子150的粒径也可以为4nm～16nm左右(参照后述的第四实施方式)。在QD荧光体粒子150中，当注入空穴和电子时，产生通过库仑相互作用将空穴和电子结合的激子(Exciton)。QD荧光体粒子150随着激子消本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种元件，其特征在于，所述元件包括：/n第一层，其包括第一纳米粒子；/n第二层，其包括与所述第一纳米粒子不同种类的纳米粒子即第二纳米粒子；以及/n第三层，其以与所述第一层和所述第二层相邻的方式被夹持，/n所述第一纳米粒子或所述第二纳米粒子中的一个为量子点荧光体粒子，/n所述第三层包括所述第一纳米粒子和所述第二纳米粒子。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种元件，其特征在于，所述元件包括：
第一层，其包括第一纳米粒子；
第二层，其包括与所述第一纳米粒子不同种类的纳米粒子即第二纳米粒子；以及
第三层，其以与所述第一层和所述第二层相邻的方式被夹持，
所述第一纳米粒子或所述第二纳米粒子中的一个为量子点荧光体粒子，
所述第三层包括所述第一纳米粒子和所述第二纳米粒子。


2.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，
所述元件进一步包括基板，其支承所述第一层、所述第二层以及所述第三层，
所述第一层配置在与所述第二层相比靠近所述基板的位置，
将包含在所述第一层的所述第一纳米粒子的粒径分布的中央值设为第一中央值，
将包含在所述第二层的所述第二纳米粒子的粒径分布的中央值设为第二中央值，
所述第一中央值小于所述第二中央值。


3.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，
所述元件进一步包括基板，其支承所述第一层、所述第二层以及所述第三层，
所述第一层配置在与所述第二层相比靠近所述基板的位置，
将包含在所述第一层的所述第一纳米粒子的粒径分布的中央值设为第一中央值，
将包含在所述第二层的所述第二纳米粒子的粒径分布的中央值设为第二中央值，
所述第一中央值大于所述第二中央值。


4.根据权利要求2或3所述的元件，其特征在于，
所述第三层至少在所述第三层和所述第一层的界面处包括所述第二纳米粒子，
所述第三层至少在所述第三层和所述第一层的界面处包括所述第一纳米粒子。


5.根据权利要求2～4中任一项所述的元件，其特征在于，
将所述第一中央值和所述第二中央值中的大的一方的中央值设为Dm,
将所述第一层的膜厚度和所述第二层的膜厚度中的大的一方的膜厚度设为dm，
所述第三层的膜厚度大于Dm的2倍，且小于dm。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的元件，其特征在于，
在包含在所述第三层的所述第一纳米粒子和所述第二纳米粒子中，
将粒径分布的中央值更大的...

【专利技术属性】
技术研发人员：木本贤治，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP