【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、电力变换装置
本申请说明书公开的技术涉及半导体装置,例如涉及电力用半导体装置。
技术介绍
为了能够实现半导体装置的高耐压化、低损耗化以及高温环境下的使用等,在向金属-氧化膜-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor、即MOSFET)或者肖特基势垒二极管(Schottkybarrierdiode、即SBD)等电力用半导体装置的应用中利用耐电压以及耐热性比使用硅(Si)的半导体基板的半导体装置更优良的使用碳化硅(SiC)的半导体基板的半导体装置。例如,在耐压1kV以上且1.2kV以下程度的SiC-MOSFET的情况下,得到5mΩcm2以下的导通电阻,在与同耐压的Si-MOSFET或者Si-绝缘栅极型双极性晶体管(insulatedgatebipolartransistor、即IGBT)比较时,电阻值是一半以下。通过使用SiC的半导体基板,相比于使用Si的情况能够大幅降低导通电阻的理由在于,SiC具有高的绝缘破坏电场,所以能够比使用Si的情况使用于实现同耐压的耐压层(即漂移层)薄,进而能够提高耐压层的杂质掺杂量等。认为今后,通过实现在制造成本的方面的改善、工艺技术的提高以及其他性能的提高,作为逆变器零件而使用Si的IGBT的大半的置换会发展。另一方面,在将这样的表背导通型的电力用半导体装置安装到电路基板等的情况下,通过在电路基板上焊接电力用半导体装置的背面并用铝线等对电力用半导体装置的表面进行线键合来电连接 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,具备:/n第1导电类型的半导体层(1、2、2Y);/n上表面构造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z),形成于所述半导体层(1、2、2Y)的至少表层;以及/n上表面电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y、10、10Y),至少覆盖所述上表面构造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z)地形成,/n所述上表面电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y、10、10Y)具备:/n第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y),形成于所述半导体层(1、2、2Y)的至少上表面;以及/n第2电极(10、10Y),覆盖所述第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面地形成,/n在所述第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面形成至少1个第1凹部(8、8Y),/n所述第1凹部(8、8Y)的侧面是锥形形状,/n所述第2电极(10、10Y)覆盖包括所述第1凹部(8、8Y)内的所述第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面地形成。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180315 JP 2018-0475391.一种半导体装置,具备:
第1导电类型的半导体层(1、2、2Y);
上表面构造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z),形成于所述半导体层(1、2、2Y)的至少表层;以及
上表面电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y、10、10Y),至少覆盖所述上表面构造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z)地形成,
所述上表面电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y、10、10Y)具备:
第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y),形成于所述半导体层(1、2、2Y)的至少上表面;以及
第2电极(10、10Y),覆盖所述第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面地形成,
在所述第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面形成至少1个第1凹部(8、8Y),
所述第1凹部(8、8Y)的侧面是锥形形状,
所述第2电极(10、10Y)覆盖包括所述第1凹部(8、8Y)内的所述第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面地形成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
还具备第2凹部(15),该第2凹部(15)形成于包括所述第1凹部(8、8Y)内的所述第1电极(7A、7G)的上表面,并且宽度比所述第1凹部(8、8Y)窄。
3.一种半导体装置,具备:
第1导电类型的半导体层(1、2、2Y);
上表面构造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z),形成于所述半导体层(1、2、2Y)的至少表层;以及
上表面电极(7A、7G、10、10Y),至少覆盖所述上表面构造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z)地形成,
所述上表面电极(7A、7G、10、10Y)具备:
第1电极(7A、7G),形成于所述半导体层(1、2、2Y)的至少上表面;以及
第2电极(10、10Y),覆盖所述第1电极(7A、7G)的上表面地形成,
在所述第1电极(7A、7G)的上表面形成至少1个第1凹部(8、8Y)和宽度比所述第1凹部(8、8Y)窄的至少1个第2凹部(15),
所述第2电极(10、10Y)覆盖包括所述第1凹部(8、8Y)和所述第2凹部(15)的所述第1电极(7A、7G)的上表面地形成。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:中田和成,田口健介,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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