减缓存储器子系统中存储器单元的电压状况技术方案

可以识别已对紧邻存储器组件的特定存储器单元的一或多个存储器单元执行的操作的数量。可以基于操作的所识别数量来关于所述特定存储器单元是否已从与降低的错误率相关联的状态转变到与增加的错误率相关联的另一种状态作出确定。响应于确定所述特定存储器单元已从与所述降低的错误率相关联的所述状态转变到与所述增加的错误率相关联的所述另一种状态，可以对所述特定存储器单元执行操作以将所述特定存储器单元从与所述增加的错误率相关联的所述另一种状态转变到与所述降低的错误率相关联的所述状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】减缓存储器子系统中存储器单元的电压状况
本公开总体上涉及一种存储器子系统，并且更具体地，涉及减缓存储器子系统中存储器单元的电压状况。
技术介绍
存储器子系统可以是如固态驱动器(SSD)等存储系统，并且可以包含一或多个存储数据的存储器组件。存储器组件可以是例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。通常，主机系统可以利用存储器子系统来将数据存储在存储器组件处并从存储器组件中检索数据。附图说明根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施方案的附图，将更充分地理解本公开。图1展示了根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的示例计算环境。图2是根据本公开的一些实施例的用于对存储器单元执行操作以改变存储器单元的电压状况的示例方法的流程图。图3展示了根据本公开的一些实施例的存储器单元的电压状况或状态。图4是根据本公开的一些实施例的用于基于其它存储器单元来确定是否对存储器单元执行操作以改变电压状况的示例方法的流程图。图5A展示了根据本公开的一些实施例的针对紧邻的存储器单元的操作，所述操作改变特定存储器单元的电压状况。图5B展示了根据本公开的一些实施例的针对紧邻的存储器单元的操作，所述操作改变特定存储器单元的电压状况，使得将要减缓电压状况。图6是根据本公开的一些实施例的用于基于经过的时间来确定是否对存储器单元执行操作以改变电压状况的示例方法的流程图。图7是根据本公开的一些实施例的用于基于读取偏移来减缓存储器单元的电压状况的示例方法的流程图。图8是本公开的实施方案可以在其中操作的示例计算机系统的框图。具体实施方式本公开的各方面涉及减缓存储器子系统中的存储器单元的电压状况。存储器子系统在下文中也被称为“存储器装置”。存储器子系统的实例是如固态驱动器(SSD)等存储系统。在一些实施例中，存储器子系统是混合存储器/存储子系统。通常，主机系统可以利用包含一或多个存储器组件的存储器子系统。主机系统可以提供要存储在存储器子系统中的数据，并且可以请求从存储器子系统中检索数据。每个存储器组件可以包含多个存储器单元，其中每个存储器单元可以存储与从主机系统接收的数据相对应的二进制数据的一或多个位。常规的存储器子系统可以通过执行两个编程遍(或任意数量的编程遍)来将数据存储在特定存储器单元处，所述两个编程遍各自在存储器单元处对数据进行编程或将数据存储在存储器单元处。例如，第一编程遍可以在特定时间在存储器单元处对数据进行编程。在稍后的时间，可以对存储器单元执行第二编程遍以将另外的数据存储在存储器单元处，并且第二编程遍需要并使用在第一遍编程中存储的信息。在存储器子系统对相同的存储器单元执行第一编程遍与执行第二编程遍之间可以经过一定的时间。在存储器子系统对存储器单元执行第一编程遍与第二编程遍之间已经过的时间量期间，存储器单元的状态或状况可以改变。例如，在使用第一编程遍对存储器单元执行编程操作之后，存储器单元可以处于初始电压状况。初始电压状况对应于瞬时阈值电压(Vt)状态。在一些实施例中，瞬时Vt状态可以是存储器单元的物理状态，其中存储器单元的电子分布在整个存储器单元中。在已经执行第一编程遍并经过了一定时间但未对存储器单元执行其它操作之后，存储器单元可以从初始电压状况或状态转变到另一种电压状况或状态。例如，存储器单元可以转变到稳定阈值电压(Vt)状态，所述稳定Vt状态对应于存储器单元的另一种物理状态，其中存储器单元的电子未分布在整个存储器单元中。相反，电子可以朝存储器单元的边缘或外部分布。存储器单元的电压状况从瞬时Vt状态到稳定Vt状态的改变可能导致在执行第二编程遍时，错误地读取或检索通过第一编程遍存储在存储器单元中的数据。例如，通过第一编程遍被编程到存储器单元的数据将随后从存储器单元中被读取，并且在第二编程遍期间用于将另外的数据存储在存储器单元处。然而，如果在对存储器单元执行第一编程遍之后并且在对存储器单元执行第二编程遍之前，存储器单元已经从瞬时Vt状态转变到稳定Vt状态，则从存储器单元读取的数据中的错误可能更频繁。由此，瞬时Vt状态可以对应于存储器单元的一种状态，在所述状态下，当与可能以增加的错误率读取或检索存储在存储器单元处的数据的稳定Vt状态相比，可以以降低的错误率读取或检索存储在存储器单元处的数据。因此，在常规的存储器子系统中，在作为第二编程遍的一部分将另外的数据编程到存储器单元之前，应该执行错误检测和校正操作(即，错误控制操作)的增加使用以校正数据中的错误。错误控制操作的增加使用可能导致常规的存储器子系统的性能下降，因为在存储器子系统正在执行另外的错误控制操作的同时，可以执行的来自主机系统的读取操作和写入操作较少。此外，在其它常规的存储器系统中，如果在执行第二遍编程之前未对由于第一遍编程而存储的数据执行错误控制操作，则如果对应的存储器单元处于稳定Vt状态，则数据可以包含大量的位错误，从而导致数据的写入错误。此类写入错误可以降低使用与数据相关联的软(即，可靠性)信息的错误校正操作的校正能力。本公开的各方面通过减缓存储器子系统处的存储器单元的电压状况来解决上述和其它缺点。例如，可以在对存储器单元执行第一编程遍与对存储器单元执行第二编程遍之间对存储器单元执行操作(即，读取操作)，以开始存储器单元从稳定Vt状态到瞬时Vt状态的转变。因此，当存储器单元处于瞬时Vt状态并且与降低的错误率相关联时，然后可以执行第二编程遍。在一些实施例中，用于转变特定存储器单元的状态的操作的执行可以基于已对紧邻特定存储器单元的其它存储器单元执行的其它编程遍或操作。例如，可以执行第一编程遍以将数据存储在特定存储器单元处，并且随后可以对在位置上紧邻特定存储器单元的其它存储器单元执行其它编程遍或操作(例如，写入操作或擦除操作)。对其它存储器单元执行的此类操作可以影响存储器单元从瞬时Vt状态转变到稳定Vt状态。例如，对邻近或紧邻的存储器单元(例如，特定存储器单元的同一平面或管芯上的其它存储器单元)执行的写入操作可以有助于特定存储器单元从瞬时Vt状态转变到稳定Vt状态。随着对紧邻的存储器单元执行更多的操作，则特定存储器单元可以更快地转变到稳定Vt状态。在一些实施例中，在对紧邻的存储器单元执行阈值数量的编程和擦除操作之后，可以对特定存储器单元执行读取操作。因此，读取操作可以启动特定存储器单元从稳定Vt状态到瞬时Vt状态的转变。在相同或替代实施例中，如果从对特定存储器单元执行第一编程遍起并且在对特定存储器单元执行任何第二编程遍之前已经经过了阈值时间量，则可以对特定存储器单元执行读取操作。本公开的优点包含但不限于存储器子系统的性能增加，这是因为当将数据写入存储器子系统时要执行的错误控制操作更少。例如，当存储器单元处于可以以更少的错误读取由于第一编程遍而存储在存储器单元处的数据的瞬时Vt状态时，可以对存储器单元执行第二编程遍。另外，然后由于在存储器单元处于瞬时Vt状态时对存储器单元执行第二编程遍，可以提高存储器单元处存储的数据的可靠性。图1展示了根据本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种系统，其包括：/n存储器组件；以及/n处理装置，所述处理装置与所述存储器组件操作性地耦接，所述处理装置用于：/n基于已对紧邻所述存储器组件的特定存储器单元的一或多个存储器单元执行的操作的数量来确定所述特定存储器单元是否已从与第一错误率相关联的状态转变到与第二错误率相关联的另一种状态，与所述第一错误率相比，所述第二错误率对应于更高的错误数量；并且/n响应于确定所述特定存储器单元已从与所述第一错误率相关联的所述状态转变到与所述第二错误率相关联的所述另一种状态，对所述特定存储器单元执行操作以将所述特定存储器单元从与所述第二错误率相关联的所述另一种状态转变到与所述第一错误率相关联的所述状态。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180208 US 62/628,198;20180725 US 16/045,6411.一种系统，其包括：
存储器组件；以及
处理装置，所述处理装置与所述存储器组件操作性地耦接，所述处理装置用于：
基于已对紧邻所述存储器组件的特定存储器单元的一或多个存储器单元执行的操作的数量来确定所述特定存储器单元是否已从与第一错误率相关联的状态转变到与第二错误率相关联的另一种状态，与所述第一错误率相比，所述第二错误率对应于更高的错误数量；并且
响应于确定所述特定存储器单元已从与所述第一错误率相关联的所述状态转变到与所述第二错误率相关联的所述另一种状态，对所述特定存储器单元执行操作以将所述特定存储器单元从与所述第二错误率相关联的所述另一种状态转变到与所述第一错误率相关联的所述状态。


2.根据权利要求1所述的系统，其中与所述第一错误率相关联的所述状态对应于所述特定存储器单元的瞬时阈值电压状态并且与所述第二错误率相关联的所述另一种状态对应于所述特定存储器单元的稳定阈值电压状态，并且其中与所述特定存储器单元处于所述稳定阈值电压状态时相比，当所述特定存储器单元处于所述瞬时阈值电压状态时，以更少的错误检索存储在所述特定存储器单元处的数据。


3.根据权利要求1所述的系统，其中为了基于操作的所述数量来确定所述特定存储器单元是否已从与第一错误率相关联的所述状态转变到与所述第二错误率相关联的另一种状态，所述处理装置进一步用于：
确定已对所述一或多个存储器单元执行的操作的所述数量是否等于或超过操作的阈值数量，其中当操作的所识别数量等于或超过操作的所述阈值数量时，确定所述特定存储器单元已转变到与所述第二错误率相关联的所述另一种状态。


4.根据权利要求1所述的系统，其中所述操作是读取操作或电压的施加。


5.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步用于：
识别出已对所述特定存储器单元执行第一编程操作并且尚未对所述特定存储器单元执行第二编程操作，其中对所述特定存储器单元执行所述操作进一步响应于对所述特定存储器单元执行所述第一编程操作并且尚未对所述特定存储器单元执行所述第二编程操作。


6.根据权利要求1所述的系统，其中紧邻所述特定存储器单元的所述一或多个存储器单元与所述特定存储器单元定位于同一字线上，其中紧邻所述特定存储器单元的所述一或多个存储器单元对应于在包含所述特定存储器单元的另一个数据块的同一平面处的数据块。


7.根据权利要求1所述的系统，其中已对所述一或多个存储器单元执行的所述操作是写入操作或擦除操作。


8.一种方法，其包括：
确定已对存储器单元执行编程操作；
识别从对所述存储器单元执行所述编程操作起经过的时间量；
确定所述经过的时间量是否满足阈值时间条件；以及
响应于确定所述经过的时间量满足所述阈值时间条件，由处理装置对所述存储器单元执行操作以改变或维持所述存储器单元的电压状况。


9.根据权利要求8所述的方法，其中针对所述存储器单元的用于改变或维持所述存储器单元的所述电压状况的所述操作对应于将所述存储器单元从与增加的错误率相关联的状态改变为与降低的错误率相关联的另一种状态或者将所述存储器单元维持在与所述降低的错误率相关联的所述另一种状态。


10.根据权利要求9所述的方法，其中与所述增加的错误率相关联的所述状态是所述存储器单元的稳定阈值电压状态，并且其中与所述降低的错误率相关联的所述另一种状态是所述存储器单元的瞬时阈值电压状态。


11.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
确定尚未对所述存储器单元执行第二编程操作，其中对所述存储器单元执行所述操作以改变或维持所述存储器单元的所述电压状况进一步响应于确定尚未对所述存储器单元执行所述第二编程操作。


12.根据权利要求8所述的方法，其中当所述经过的时间量等于或超过阈值时间量时...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·K·姆奇尔拉，V·P·拉亚普鲁，P·费利，S·K·瑞特南，S·帕塔萨拉蒂，林其松，S·诺埃尔，M·N·凯纳克，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US