辐射屏蔽装置和包括这样的屏蔽装置的设备制造方法及图纸

一种设备包括：热敏装置(F)；辐射元件(RE)，辐射元件在操作中生成第一电磁辐射(ER)，第一辐射朝向热敏装置传播；以及辐射屏蔽装置(20)，布置在辐射元件与热敏装置之间使得在操作中第一辐射入射在辐射屏蔽装置上。辐射屏蔽装置包括：具有布置在其中的第一流体通道(215)的第一屏蔽元件(21)，第一屏蔽元件具有第一表面(213)和第二表面(214)，第一表面被布置为比第二表面更靠近辐射元件；以及具有布置在其中的第二流体通道(225)的第二屏蔽元件(22)，第二屏蔽元件具有第三表面(223)和第四表面(224)，第三表面被布置为比第四表面靠近辐射元件。第一屏蔽元件被布置为比第二屏蔽元件靠近辐射元件，并且第二屏蔽元件被布置为比第一屏蔽元件靠近热敏装置，第一屏蔽元件和第二屏蔽元件彼此间隔开并且第二表面和第三表面彼此相对。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射屏蔽装置和包括这样的屏蔽装置的设备相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月6日提交的欧洲专利申请18160096.6的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及辐射屏蔽装置和包括这种屏蔽装置的设备。特别地，辐射屏蔽装置涉及流体可以流过辐射屏蔽装置以去除由于入射辐射生成的热的辐射屏蔽装置。
技术介绍
光刻设备是一种被构造为将期望图案应用到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案从图案形成装置(例如，掩模)投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。由光刻设备用来将图案投影到衬底上的辐射的波长确定了可以在该衬底上形成的特征的最小尺寸。与传统光刻设备(其可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)相比，使用EUV辐射(其为波长在4-20nm的范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的电磁辐射)的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。在应用了这样的较小的特征的情况下，光刻设备还必须被设计为准确地应用特征以具有足够的覆盖性能，即，层的准确定位，这些层相对于彼此分别应用在彼此之上。任何意外的或不受控制的机械变形和振动都可能导致正在图案化和制造的电路发生缺陷，这可能对所制造的集成电路的功能有害。然而，在光刻设备中，存在生成热量和由此辐射电磁辐射的部件和装置。由于使用EUV辐射的上述光刻设备可以在内部保持基本真空，即处于非常低的压力下，并且因此对流热传输可能很低，所以所辐射的电磁辐射可能会入射在热敏部件和装置上。电磁辐射可能会被吸收，并且结果，热敏部件可能仍然被加热。不可避免地，加热导致机械膨胀和潜在的机械变形。已知的是，采用一种具有内部的板状屏蔽装置，诸如但不限于水等冷却液流动通过其内部。屏蔽装置可以布置在辐射元件(即，在光刻设备的操作期间可以辐射的部件和装置)与热敏装置之间。辐射入射在屏蔽装置上。由于入射和所吸收的辐射而在屏蔽装置中生成的热量被冷却液去除，从而防止了屏蔽装置被加热到屏蔽装置成为辐射装置的程度。然而，屏蔽装置在实际使用中受到限制，因为冷却液流会生成可以影响准确度的振动，该振动随着进一步减小热敏装置中的温度变化所需要的流的增加(这是上述较小特征所必需的)而变得更加不利。类似地，已知的屏蔽装置的封闭的板状结构在分开的环境中划分上述内部，这在某些应用中可能是不利的。通常，已知的屏蔽装置具有有限的适用范围。
技术实现思路
期望提供一种能够解决上述问题或与现有技术相关联的一些其他问题的光刻设备。特别地，可以期望有一种具有更大适用范围的屏蔽装置。根据本专利技术的一个实施例，提供一种设备，该设备包括热敏装置、辐射元件和辐射屏蔽装置。当辐射元件在操作中时，辐射元件生成第一电磁辐射。第一电磁辐射至少朝向热敏装置传播。辐射屏蔽装置布置在辐射元件与热敏装置之间使得在操作中第一辐射入射在辐射屏蔽装置上。辐射屏蔽装置包括第一屏蔽元件，该第一屏蔽元件具有布置在其中的第一流体通道，并且具有第一表面和第二表面。第一表面被布置为比第二表面靠近辐射元件。辐射屏蔽装置还包括第二屏蔽元件，该第二屏蔽元件具有布置在其中的第二流体通道，并且具有第三表面和第四表面。第三表面被布置为比第四表面靠近辐射元件。第一屏蔽元件被布置为比第二屏蔽元件靠近辐射元件，并且第二屏蔽元件被布置为比第一屏蔽元件靠近热敏装置。第一屏蔽元件和第二屏蔽元件彼此间隔开，并且第二表面和第三表面彼此相对。通过这种方式，由于具有至少两个屏蔽层，因此可以实现用于屏蔽电磁辐射的更多的应用，下面将详细描述其中的一些。但是，也预期其他应用。在一个实施例中，第一屏蔽元件设置有用于使流体流过第一流体通道的第一流体端口和第二流体端口，并且第二屏蔽元件设置有用于使流体流过第二流体通道的第三流体端口和第四流体端口。因此，屏蔽元件可以耦接到流体供应装置和流体排放装置，以使流体(即，液体介质或气态介质)流过屏蔽元件的至少一个以进行温度控制。特别地，例如由于电磁辐射入射在屏蔽元件上而接收或生成的任何热量可以通过流过屏蔽元件的流体通道的流体被去除。在一个实施例中，采用流体将屏蔽元件的至少一个保持在预定温度或者至少保持在预定温度范围内的温度。在一个实施例中，流体调节系统耦接到第一屏蔽元件和第二屏蔽元件中的至少一者的流体端口，用于调节流体并且使流体流过第一屏蔽元件和第二屏蔽元件中的至少一者的流体通道。在另一实施例中，第二流体端口和第三流体端口耦接，并且流体调节系统耦接到第一流体端口和第四流体端口，用于调节流体并且使流体流过第一流体通道和第二流体通道。这些实施例中的任何一个都能够用于辐射屏蔽装置的准确温度控制，以防止辐射屏蔽装置在热敏装置上提供不希望的热负荷。在一个实施例中，辐射屏蔽装置在屏蔽平面中延伸，其中屏蔽平面沿辐射方向的横向。辐射方向从辐射元件延伸到热敏装置。在该实施例中，辐射屏蔽装置被配置和布置为阻止任何电磁辐射直接从辐射元件传播到热敏装置。电磁辐射将入射在辐射屏蔽装置上，而不是入射在热敏装置上。电磁辐射可以被辐射屏蔽装置完全或部分吸收，从而加热辐射屏蔽装置。所生成的热量可以通过流过流体通道的流体被去除。注意，在一个实施例中，屏蔽平面可以处于不同于(准确地)90度的角度下。根据要求，可以选择任何其他合适的角度以将热敏装置与电磁辐射屏蔽。此外，如果存在一个以上的辐射元件，则可以相对于两个辐射元件适当地选择屏蔽平面的取向使得最终的朝向热敏装置的热传递保持在预定限制内。注意，通过使用流体流过的单个屏蔽元件，可以去除所生成的热量。特别地，通过增加流体的流量，可以去除更多的热量。但是，随着流量的增加，由流动引起的振动也会增加。在振动敏感系统中，这样的振动的增加是不希望的。流过根据本专利技术的辐射屏蔽装置的流体的流量被显著减少了，同时增加了辐射屏蔽装置的散热能力。因此，令人惊讶地，根据本专利技术的辐射屏蔽装置具有改善的散热能力，并且减少了振动生成。在特定实施例中，第一屏蔽元件设置有第一通孔，通孔平行于屏蔽平面延伸，并且第二屏蔽元件设置有第二通孔，第二通孔平行于屏蔽平面延伸。此外，第一通孔和第二通孔被布置为使得在辐射方向上传播并且穿过第一通孔的电磁辐射入射在第二屏蔽元件上。换言之，防止了电磁辐射穿过第一通孔和第二通孔两者。在辐射方向上从辐射元件朝向热敏装置传播的电磁辐射没有到达热敏装置，而是入射在第一屏蔽元件上或者穿过第一通孔以入射在第二屏蔽元件上。但是，诸如气态介质等任何流体都可以流过第一通孔和第二通孔使得辐射屏蔽装置两侧的环境特性(诸如气压和气体混合物)基本相同。在示例性实施例中，干涉仪系统布置在辐射屏蔽装置的第一侧上，并且波长跟踪系统布置在热敏装置上位于辐射屏蔽装置的第二侧，其中第二侧是第一侧的相反侧。可以采用波长跟踪系统用于校准干涉仪。但是，为了实现准确校准，需要应用相似的环境条件，即相似的气压、气体温度、气体混合物等。具有从辐射屏蔽装置的第一侧延伸到相对的第二侧的通孔允许这些条件在两侧上相似，同时阻挡了会对热敏装置的温度稳定性产生负面影响的电磁辐射并且去除了所有生成的热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，包括：/na.热敏装置；/nb.辐射元件，所述辐射元件在操作中生成电磁辐射，所述电磁辐射朝向所述热敏装置传播；/nc.辐射屏蔽装置，被布置在所述辐射元件与所述热敏装置之间，使得在操作中所述电磁辐射入射在所述辐射屏蔽装置上；/n其中所述辐射屏蔽装置包括：/nd.第一屏蔽元件，具有被布置在所述第一屏蔽元件中的第一流体通道，所述第一屏蔽元件具有第一表面和第二表面，所述第一表面被布置为比所述第二表面靠近所述辐射元件；/ne.第二屏蔽元件，具有被布置在所述第二屏蔽元件中的第二流体通道，所述第二屏蔽元件具有第三表面和第四表面，所述第三表面被布置为比所述第四表面靠近所述辐射元件；并且/n其中所述第一屏蔽元件被布置为比所述第二屏蔽元件靠近所述辐射元件，并且所述第二屏蔽元件被布置为比所述第一屏蔽元件靠近所述热敏装置，所述第一屏蔽元件和所述第二屏蔽元件彼此间隔开并且所述第二表面和所述第三表面彼此相对。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180306 EP 18160096.61.一种设备，包括：
a.热敏装置；
b.辐射元件，所述辐射元件在操作中生成电磁辐射，所述电磁辐射朝向所述热敏装置传播；
c.辐射屏蔽装置，被布置在所述辐射元件与所述热敏装置之间，使得在操作中所述电磁辐射入射在所述辐射屏蔽装置上；
其中所述辐射屏蔽装置包括：
d.第一屏蔽元件，具有被布置在所述第一屏蔽元件中的第一流体通道，所述第一屏蔽元件具有第一表面和第二表面，所述第一表面被布置为比所述第二表面靠近所述辐射元件；
e.第二屏蔽元件，具有被布置在所述第二屏蔽元件中的第二流体通道，所述第二屏蔽元件具有第三表面和第四表面，所述第三表面被布置为比所述第四表面靠近所述辐射元件；并且
其中所述第一屏蔽元件被布置为比所述第二屏蔽元件靠近所述辐射元件，并且所述第二屏蔽元件被布置为比所述第一屏蔽元件靠近所述热敏装置，所述第一屏蔽元件和所述第二屏蔽元件彼此间隔开并且所述第二表面和所述第三表面彼此相对。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一屏蔽元件设置有用于使流体流过所述第一流体通道的第一流体端口和第二流体端口，并且所述第二屏蔽元件设置有用于使流体流过所述第二流体通道的第三流体端口和第四流体端口。


3.根据权利要求2所述的设备，其中流体调节系统耦接到所述第一屏蔽元件和所述第二屏蔽元件中的至少一个屏蔽元件的所述流体端口，用于调节所述流体并且使所述流体流过所述第一屏蔽元件和所述第二屏蔽元件中的所述至少一个屏蔽元件的所述流体通道。


4.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二流体端口和所述第三流体端口耦接，并且其中流体调节系统耦接到所述第一流体端口和所述第四流体端口，用于调节所述流体并且使所述流体流过所述第一流体通道和所述第二流体通道。


5.根据权利要求1所述的设备，其中所述辐射屏蔽装置在屏蔽平面中延伸，所述屏蔽平面与辐射方向横切，所述辐射方向从所述辐射元件延伸到所述热敏装置。


6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第一屏蔽元件设置有第一通孔，所述通孔平行于所述屏蔽平面延伸，并且所述第二屏蔽元件设置有第二通孔，所述第二通孔平行于所述屏蔽平面延伸，以及其中所述第一通孔和所述第二通孔被布置为使得在所述辐射方向上传播并且穿过所述第一通孔的所述电磁辐射入射在所述第二屏蔽元件上。


7.根据权利要求6所述的设备，其中干涉仪系统被布置在所述辐射屏蔽装置的第一侧上，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·J·J·简森，P·J·J·H·A·哈贝茨，G·纳基伯格鲁，R·W·A·H·施米茨，R·范德梅伦唐克，J·D·B·J·范登博姆，N·P·瓦特森，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL