【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于转换光束的光模式的光子器件
本专利技术总体上涉及紧凑型光子器件,更具体地,涉及宽带模式转换器。
技术介绍
片上模分复用(MDM)已进行了数十年的深入研究,片上模分复用在一个共享的多模式总线波导中传输多个信道以增强传输容量。已经开发了许多MDM器件,包括复用器/解复用器(MUX/DEMUX)、模阶滤波器和模阶转换器。模阶转换器用于在处理之前首先将高阶模式转换为横向电场基本模式(TE0),而高阶模式转换过程是片上MDM的一大挑战。因此,期望实现紧凑尺寸的高阶模式转换器。
技术实现思路
本公开的一些实施方式是基于以下认识:通过使用机器学习辅助优化方法,根据设计优化,能够获得基于超紧凑(~4μm长)SOI模阶转换器家族的紧凑型光子器件。TE0、TE1和TE2模式波束能够在100nm带宽上以~85%的效率相互转换。原则上,优化技术能够用于设计任意模阶转换器。此外,拓扑优化的模阶转换器能够帮助建立具有紧凑型覆盖区(footprint)的高阶模式的替代功能(诸如,交叉和弯曲)。根据本公开的一些实施方式,提供了一种用于转换光束的光模式的光子器件。该光子器件包括:第一端口,其接收具有第一模式的第一波束;模式转换器,其被配置为加宽第一波束以在模式转换器的中间部分处将第一模式转换为第二模式,并且在模式转换器的输出侧处对经加宽的第一波束进行缩窄,其中模式转换器包括具有第一折射率的导引材料和各自具有第二折射率的扰动段(perturbationsegment),其中第一折射率大于第二折射率,其中,扰动段被布置在导 ...
【技术保护点】
1.一种用于转换光束的光模式的光子器件,该光子器件包括:/n第一端口,该第一端口接收具有第一模式的第一波束;/n模式转换器,该模式转换器被配置为加宽所述第一波束以将所述第一模式转换为第二模式并在所述模式转换器的输出侧处对经加宽的第一波束进行缩窄,其中,所述模式转换器包括具有第一折射率的导引材料和各自具有第二折射率的扰动段,其中,所述第一折射率大于所述第二折射率,其中,所述扰动段被布置在所述导引材料中以与所述第一波束交叉;以及/n第二端口,该第二端口传输具有所述第二模式的所述第一波束,其中,所述模式转换器的宽度大于所述第一端口和所述第二端口的宽度,其中,所述第二端口的宽度与所述第一端口的宽度不相同,其中,所述第一端口和所述第二端口以及所述模式转换器具有相同厚度。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180309 US 15/916,5631.一种用于转换光束的光模式的光子器件,该光子器件包括:
第一端口,该第一端口接收具有第一模式的第一波束;
模式转换器,该模式转换器被配置为加宽所述第一波束以将所述第一模式转换为第二模式并在所述模式转换器的输出侧处对经加宽的第一波束进行缩窄,其中,所述模式转换器包括具有第一折射率的导引材料和各自具有第二折射率的扰动段,其中,所述第一折射率大于所述第二折射率,其中,所述扰动段被布置在所述导引材料中以与所述第一波束交叉;以及
第二端口,该第二端口传输具有所述第二模式的所述第一波束,其中,所述模式转换器的宽度大于所述第一端口和所述第二端口的宽度,其中,所述第二端口的宽度与所述第一端口的宽度不相同,其中,所述第一端口和所述第二端口以及所述模式转换器具有相同厚度。
2.根据权利要求1所述的光子器件,该光子器件还包括顶层和底层,其中具有第三折射率的所述顶层和所述底层夹着所述第一端口和所述第二端口以及所述模式转换器,其中,所述第一折射率大于所述第三折射率。
3.根据权利要求1所述的光子器件,其中,每个所述扰动段由所述导引材料的孔表示。
4.根据权利要求1所述的光子器件,其中,所述扰动段之间的最小节距d被确定为满足以下条件,
d<λ/(2neff)
其中,neff是所述导引材料的波导模式的最高有效折射率,其中,λ是所述第一波束的波长。
5.根据权利要求1所述的光子器件,其中,所述扰动段之间的最小节距d被确定满足以下条件,
d<λ/(2neff)
并且,所述扰动段是非周期性布置的。
6.根据权利要求1所述的光子器件,其中,所述第一折射率与所述第一端口和所述第二端口的折射率相同。
7.根据权利要求1所述的光子器件,其中,当所述第一模式和所述第二模式分别是由TEm和TEn表示的第m模式和第n模式,m和n是偶数时,其中所述扰动段被布置为沿着从所述第一端口到所述第二端口绘制的波束方向中心线近似对称。
8.根据权利要求1所述的光子器件,其中,当所述第一模式和所述第二模式分别是由TEm和TEn表示的第m模式和第n模式,m和n中的至少一个是奇数时,其中所述扰动段被布置为沿着从所述第一端口到所述第二端口绘制的波束方向中心线不对称。
9.根据权利要求1所述的光子器件,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:小岛启介,滕旻,秋浓俊昭,王炳南,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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