电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法制造方法及图纸

电阻测量装置为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的电阻测量装置，该电阻测量装置具有：两个探测器，该两个探测器以不与导电性膜相接触而能够使导电性膜介于该两个探测器之间的方式，隔有间隔而相对地配置；扫描单元，其使两个探测器沿与一方向交叉的交叉方向扫描；以及运算单元，其基于由两个探测器测量的电压来计算导电性膜的薄层电阻。运算单元具有存储器，该存储器用于存储在不使导电性膜介于两个探测器之间的情况下使两个探测器沿交叉方向扫描而测量出的参照电压。运算单元基于参照电压校正使导电性膜介于两个探测器之间并使两个探测器沿交叉方向扫描而测量出的实际电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法
本专利技术涉及电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法。
技术介绍
以往通过卷对卷方式在基材膜上层叠导电膜来制造导电性膜。所制造的导电性膜要求其表面电阻(薄层电阻)处于期望的范围内，因此，需要测量表面电阻来发现表面电阻的品质不良。作为其方法，众所周知一种在卷取导电性膜之前使用非接触式电阻测量装置来测量导电性膜的表面电阻的方法(例如参照专利文献1)。专利文献1的非接触式表面电阻测量装置具有：涡流传感器，其由涡流产生部和涡流检测部构成；以及分隔距离传感器，其检测涡流传感器与导电膜之间的距离。在专利文献1的装置中，分隔距离传感器对涡流传感器与导电膜之间的距离进行检测，考虑与该检测结果相对应的校正值，对导电性膜的表面电阻进行计算。因此，在导电性膜的输送过程中，能够减小因涡流传感器与导电膜之间的距离的不均引起的测量误差。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003-197034号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题另外，从探测器的观点来看，非接触式电阻测量装置具有双面探测器类型和单面探测器类型这两种。双面探测器类型(探测器相对型)在导电性膜的两侧(上侧和下侧)具有以不与导电性膜接触的方式隔有间隔而相对地配置的两个探测器。另一方面，单面探测器类型仅在导电性膜的一侧(上侧)具有以不与导电性膜接触的方式隔有间隔而配置的1个探测器。通常情况下，单面探测器类型与双面探测器类型相比，需要在非常靠近导电性膜的位置配置探测器。因此，有可能因输送导电性膜时的上下方向的抖动导致探测器与导电性膜相接触。因此，研究采用双面探测器类型。另外，从测量位置可变的观点来看，电阻测量装置具有固定式和横动式这两种。在固定式中，使探测器的位置固定来测量导电性膜。在横动式中，一边使探测器沿导电性膜的宽度方向(与输送方向交叉的正交方向)移动，一边测量导电性膜。在横动方式中，除了能够测量导电性膜的输送方向的任意部位，还能够测量宽度方向的任意部位，在这一点上是有优势的。综合上述的点，研究使用双面探测器类型且是横动式的电阻测量装置来测量导电性膜的方法。然而，在该方法中，在使用引导件等移动器具使相对地配置的两个探测器分别沿宽度方向移动时，发生两个探测器的上下方向距离稍微偏离这样的不良。移动器具被设计为彼此的上下方向距离一定，但非接触式电阻测量装置对于移动器具的公差(例如小于0.1mm)以内的极微小的上下方向距离的不均也反应敏感。因此，得到的表面电阻产生误差，测量精度下降。对于这一点，研究使用专利文献1所述的分隔距离传感器的方法。然而，在该方法中，虽然能够测量导电膜与一侧的探测器之间的距离，但无法测量两个探测器之间的距离，因此无法消除上述不良。本专利技术在于提供如下的电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法：在使用探测器相对型的非接触式表面测量装置一边沿导电性膜的宽度方向移动一边测量薄层电阻时，能够提高测量精度。用于解决问题的方案本专利技术[1]包括一种电阻测量装置，其为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，该电阻测量装置具有：两个探测器，该两个探测器以不与所述导电性膜相接触而能够使所述导电性膜介于该两个探测器之间的方式，隔有间隔而相对地配置；扫描单元，其使所述两个探测器沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描；以及运算单元，其基于由所述两个探测器测量的电压来计算所述导电性膜的薄层电阻，所述运算单元具有存储器，该存储器用于存储在不使所述导电性膜介于所述两个探测器之间的情况下使所述两个探测器沿所述交叉方向扫描而测量出的参照电压，基于所述参照电压来校正使所述导电性膜介于所述两个探测器之间、并使所述两个探测器沿所述交叉方向扫描而测量出的实际电压。在该电阻测量装置中，首先，在不使导电性膜介于两个探测器之间的情况下使该两个探测器沿交叉方向扫描来测量参照电压，并存储该参照电压。即，将在扫描时因探测器之间的上下方向距离的偏离而引起的电压的变化设为参照电压并预先存储。然后，基于存储的参照电压，校正导电性膜的实际电压，计算薄层电阻。因此，能够计算考虑到探测器之间的上下方向距离的偏离的影响的导电性膜的薄层电阻，能够提高导电性膜的薄层电阻的测量精度(测量的准确性)。本专利技术[2]包括[1]所述的电阻测量装置，所述两个探测器之间的距离可变。在该电阻测量装置中，由于能够使探测器之间的距离变化，因此，能够与导电性膜的厚度相应地将探测器之间的上下方向距离调整为最合适的距离。因此，容易对电阻测量装置的设定进行调整。另外，即使变更探测器之间的距离，也会基于参照电压来校正实际电压，因此，不论探测器之间的距离如何，都能够得到准确的薄层电阻。本专利技术[3]包括一种膜制造装置，其为制造在一方向上较长的导电性膜的装置，该膜制造装置具有：层叠单元，其将导电层层叠于在所述一方向上较长的基材膜来制作导电性膜；输送单元，其输送所述导电性膜；以及[1]或[2]所述的电阻测量装置，其测量由所述输送单元输送的所述导电性膜的薄层电阻。在该膜制造装置中，由于具有上述的电阻测量装置，因此，能够准确地检测薄层电阻的不良。因而，能够可靠地考虑到具有不良的薄层电阻的导电性膜。因此，能够制造出具有更均匀的薄层电阻的导电性膜。本专利技术[4]包括一种导电性膜的制造方法，其为制造在一方向上较长的导电性膜的方法，该导电性膜的制造方法具有：层叠工序，在该工序中，将导电层层叠于在所述一方向上较长的基材膜来制作导电性膜；以及电阻测量工序，在该工序中，一边将所述导电性膜沿所述一方向输送，一边测量所述导电性膜的薄层电阻，所述电阻测量工序具有：参照电压测量工序，在该工序中，在不使所述导电性膜介于隔有间隔而相对地配置的两个探测器之间的情况下，使所述两个探测器沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描来测量参照电压；实际电压测量工序，在该工序中，一边使所述导电性膜在所述导电性膜不与所述两个探测器相接触的情况下介于所述两个探测器之间、并使所述两个探测器沿所述交叉方向扫描，一边测量所述导电性膜的实际电压；以及计算工序，在该工序中，基于所述参照电压校正所述实际电压，计算所述导电性膜的薄层电阻。在该导电性膜的制造方法中，首先，在不使导电性膜介于两个探测器之间的情况下使该两个探测器沿交叉方向扫描来测量参照电压。即，将在扫描时因探测器之间的上下方向距离而引起的电压的变化设为参照电压并预先进行测量。然后，基于测量出的参照电压，校正导电性膜的实际电压，计算薄层电阻。因此，能够计算考虑到探测器之间的上下方向距离的偏离的影响的导电性膜的薄层电阻，导电性膜的薄层电阻的测量精度(测量的准确性)提高。因而，能够准确地检测导电性膜的薄层电阻的不良，能够可靠地考虑到具有不良的薄层电阻的导电性膜。其结果是，能够制造出具有均匀的薄层电阻的导电性膜。专利技术的效果根据本专利技术的电阻测量装置，能够提高导电性膜的薄层电阻的测量精度。根据本专利技术的膜制造装置和导电性膜的制造方法，能够制造出具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻测量装置，其为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，/n该电阻测量装置的特征在于，具有：/n两个探测器，该两个探测器以不与所述导电性膜相接触而能够使所述导电性膜介于该两个探测器之间的方式，隔有间隔而相对地配置；/n扫描单元，其使所述两个探测器沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描；以及/n运算单元，其基于由所述两个探测器测量的电压来计算所述导电性膜的薄层电阻，/n所述运算单元具有存储器，该存储器用于存储在不使所述导电性膜介于所述两个探测器之间的情况下使所述两个探测器沿所述交叉方向扫描而测量出的参照电压，/n基于所述参照电压来校正使所述导电性膜介于所述两个探测器之间、并使所述两个探测器沿所述交叉方向扫描而测量出的实际电压。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180327 JP 2018-0597801.一种电阻测量装置，其为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，
该电阻测量装置的特征在于，具有：
两个探测器，该两个探测器以不与所述导电性膜相接触而能够使所述导电性膜介于该两个探测器之间的方式，隔有间隔而相对地配置；
扫描单元，其使所述两个探测器沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描；以及
运算单元，其基于由所述两个探测器测量的电压来计算所述导电性膜的薄层电阻，
所述运算单元具有存储器，该存储器用于存储在不使所述导电性膜介于所述两个探测器之间的情况下使所述两个探测器沿所述交叉方向扫描而测量出的参照电压，
基于所述参照电压来校正使所述导电性膜介于所述两个探测器之间、并使所述两个探测器沿所述交叉方向扫描而测量出的实际电压。


2.根据权利要求1所述的电阻测量装置，其特征在于，
所述两个探测器之间的距离可变。


3.一种膜制造装置，其为制造在一方向上较长的导电性膜的装置，
该膜制造装置的特征在于，具有：
层叠单元，...

【专利技术属性】
技术研发人员：森光大树，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP