一种硅片基硫化铋纳米花阵列的半导体光电材料的制备方法和应用技术

本发明专利技术属于化工材料技术领域，具体为一种硅片基硫化铋纳米花阵列的制备方法和应用。本发明专利技术方法包括：通过简单的水热法即可在硅片基底上进行硫化铋纳米花阵列的组装，经过充分和烘干处理得到硅片基硫化铋阵列结构。硅片上生长的硫化铋纳米花晶体，形貌均一，尺寸约为800nm，化学式为Bi

【技术实现步骤摘要】
一种硅片基硫化铋纳米花阵列的半导体光电材料的制备方法和应用
本专利技术属于化工材料合成
，具体涉及硅片基硫化铋纳米花阵列半导体光电材料的制备方法，和其在光电检测方面的应用。
技术介绍
近年来，经特殊设计的各类结构的纳米材料在很多中纳米器件和纳米系统的构建模块中的应用越来越突出，因此人们对其的制备工艺的研究也越来越重视。对纳米结构的研究也从简单的结构到有序结构的组装，旨在实现增加结构复杂性和功能。例如，四足结构由于其多分枝的机械强化优势可能成为纤维和棒作结构重要的替代结构，多分枝纳米晶也存在很多优势，因为它不仅具备一维结构材料所有的性能特点，同时还具有分阶结构的优势。但是，发展简单、新颖的分阶结构构建方法仍然具有很大的挑战。硫化铋(Bi2S3)是一种直接带隙半导体，带宽Eg为1.3eV。最早关于硫化铋的光致导电性能的报道是在1917年基于对矿物样品辉铋矿的研究。对于硫化铋在最早的一批光致导电材料中重要地位的描述也是在1920年。由于1.25eV-1.7eV的禁带宽度，硫化铋的大尺寸晶粒薄膜已经被应用于电子设备。到目前为止，B本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片基硫化铋纳米花阵列的制备方法，其特征在于，具体步骤为：/n(1)硅片的清洗、羟基化和表面巯基化修饰：首先将硅片裁剪成所设置的尺寸，依次用丙酮、乙醇和去离子水分别超声20mins，吹风机冷风吹干后置于提前配置好的浓硫酸溶液中(30％H

【技术特征摘要】
1.一种硅片基硫化铋纳米花阵列的制备方法，其特征在于，具体步骤为：
(1)硅片的清洗、羟基化和表面巯基化修饰：首先将硅片裁剪成所设置的尺寸，依次用丙酮、乙醇和去离子水分别超声20mins，吹风机冷风吹干后置于提前配置好的浓硫酸溶液中(30％H2O2和浓H2SO4体积比为3：7)，90℃烘箱中静止30nins，该步骤目的是羟基化硅片表面。结后用离子水充分淋洗后，用氮气吹干后放入到浓度为2vol％的3-MPTES溶液中，分散溶剂为体积比9：1的乙醇和水的混合溶液，全部硅片放入后滴加数滴冰醋酸催化反应进行，室温下密封静置24h。最后将修饰巯基之后的硅片取出后用无水乙醇淋洗后，用氮气流吹干备用。
(2)采用水热法在巯基化的硅片基上生长Bi2S3纳米花阵列：首先配置反应溶液，将10mL浓度为0.1M的Bi(NO3)3溶液混合于60mL的0.1M的NH2CSNH2溶液中，然后边搅拌边滴加1M的硝酸溶液调节PH为0.5。然后将上述处理过的硅片基底正面朝下固定在定制的硅片固定装置上并置于100mL的聚四氟乙烯反应釜内胆中，加入70mL配置好的反应溶剂。密封后置于150℃烘箱中反应24h。
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【专利技术属性】
技术研发人员：蒋颖畅，孙士斌，常雪婷，王东胜，
申请(专利权)人：上海海事大学，
类型：发明
国别省市：上海;31