PSM4/AOC光发射芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PSM4/AOC光发射芯片，该芯片集成有四个MZ电光调制器和四个激光器，四个激光器依次键合在衬底上，所述衬底上设有SiO

【技术实现步骤摘要】
PSM4/AOC光发射芯片
本技术涉及集成光收发芯片
，具体涉及一种PSM4/AOC光发射芯片。
技术介绍
集成光收发芯片是光收发模块中的核心器件，在光通信、数据互连系统中有重要和广泛的应用，集成光收发芯片技术也是目前我国打破国外技术垄断实现核心芯片自主化迫切需要突破的关键技术。硅基集成光收发芯片支持100G/400G乃至800G的高速率传输，同时支持COB封装工艺，在集成度、成本方面具有较大优势。100G/400G硅基集成光发射(TX)芯片中集成了光波导、4个MZ电光调制器、以及4个波长不同的激光器。目前，基于纯硅波导的集成光发射芯片在单通道调制速率、可集成通道数、整个芯片集成度方面相比于其它技术方案具有较大优势，其中单通道调制速率可以达到50Gbps以上，运用PAM4调制技术，4通道集成的光发射芯片可以实现400Gbps以上的单纤光发射。不过，基于纯硅波导的集成光发射芯片也有一个不足之处就是光损耗太大，导致发射光信号太弱或者功耗过大，应用方面受到很大限制。芯片中的光损耗主要来自于MZ电光调制器的损耗，以及激光器与硅波导的耦合损本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PSM4/AOC光发射芯片，包括四个MZ电光调制器和四个波长不同的激光器，其特征在于：四个激光器依次键合在衬底上，所述衬底上设有SiO

【技术特征摘要】
1.一种PSM4/AOC光发射芯片，包括四个MZ电光调制器和四个波长不同的激光器，其特征在于：四个激光器依次键合在衬底上，所述衬底上设有SiO2层，所述SiO2层上设有Si层；
所述MZ电光调制器均包括PLC波导合路器、PLC波导分路器和一对硅波导相移臂；所述四个MZ电光调制器的PLC波导合路器和PLC波导分路器均设置在SiO2层内，所述四个MZ电光调制器的硅波导相移臂均设置在Si层上；
构成MZ电光调制器的PLC波导分路器的两路分支基于倏逝波耦合分别与所述一对硅波导相移臂光路连通，构成MZ电光调制器的PLC波导合路器的两路分支基于倏逝波耦合分别与所述一对硅波导相移臂光路连通；
所述四个激光器输出的光信号分别端面耦合进入所述四个MZ电光调制器的PLC波导分路器。


2.如权利要求1所述的PSM4/AOC光发射芯片，其特征在于：所述衬底上刻蚀有台阶槽，所述四个激光器依次键合在所述台阶槽上。


3.如权利要求1所述的PSM4/AOC光发射芯片，其特征在于：所述SiO2层内还设有四个PLC波导，所述四个PLC波导分别连接四个MZ电光调制器的PLC波导合路器。


4.如权利要求1所述的PSM4/AOC光发射芯片，其特征在于：所述一对硅波导相移臂在SiO2层上的正投影分别与所述PLC波导分路器两路分支的近输出端重叠；该重叠的长度或/宽度与倏逝波耦合的耦合效率相关。


5.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王皓，朱宇，陈奔，施伟明，吴邦嘉，沈笑寒，张拥建，洪小刚，邢园园，陈红涛，
申请(专利权)人：亨通洛克利科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32