一种基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，向钙钛矿材料中掺杂含氯化合物，制得卤化物钙钛矿薄膜。本发明专利技术的卤化物钙钛矿薄膜具有晶粒尺寸增加、结晶性增强、晶体取向可调控的特点。基于本发明专利技术可制得性能较高且稳定性较好的钙钛矿光电器件。

【技术实现步骤摘要】
一种基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法
本专利技术涉及钙钛矿材料的制备方法，特别涉及一种基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法。
技术介绍
钙钛矿材料具有合适的光学带隙、较高的消光系数、极佳的双极性载流子传输能力以及超过1μm的电子/空穴扩散长度，是开发高效光电器件的理想材料。使用钙钛矿材料制备的薄膜已经广泛应用于钙钛矿太阳能电池、钙钛矿发光二极管、光探测器等领域。然而，钙钛矿薄膜对水氧敏感，容易分解导致器件失效。为了解决这一问题，可以引入一些大尺寸的有机阳离子，使钙钛矿从三维结构转化二维或准二维结构钙钛矿，阻止水分进入界面，抑制分解，提升器件的稳定性。但这些绝缘长链有机阳离子的引入也导致了钙钛矿晶体生长出现各向异性的特征，阻碍了载流子沿垂直方向的传输，降低了器件性能。因此，需要解决二维材料引入带来的载流子传输问题。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术目的是提供一种具有晶粒尺寸大、薄膜结晶性强、稳定性高等性能的基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，其特征在于：向钙钛矿材料中掺杂含氯化合物，制得卤化物钙钛矿薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，其特征在于：向钙钛矿材料中掺杂含氯化合物，制得卤化物钙钛矿薄膜。


2.根据权利要求1所述的基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)将含氯化合物、金属源化合物和有机/无机源卤化物混合，溶于有机溶剂中，配制成前驱体溶液；
(2)将上述前驱体溶液旋涂在ITO/空穴传输层/玻璃基片上，旋涂过程中滴加反溶剂，热退火后得到卤化物钙钛矿薄膜。


3.根据权利要求2所述的基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，其特征在于：所述步骤(1)中金属源化合物为铅基源化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈淑芬，顾雯文，陈俊文，曹昆，黄维，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32