太阳跟踪传感方法技术

本发明专利技术涉及太阳跟踪的技术领域，公开了太阳跟踪传感方法，提供顶部以及外周遮光的遮光块，遮光块顶部下陷形成上端开口的槽井，槽井的底部设置多个水平布置的上硅光电池，槽井具有纵向布置且透光的槽侧壁，上硅光电池输出模拟电压与其阳段的面积成正比；当太阳垂直槽井底部时，多个上硅光电池输出的模拟电压值一致，当太阳与槽井倾斜时，根据多个上硅光电池输出的模拟电压值，控制器计算获得所述太阳相对于槽井的倾斜角度，当太阳相对于槽井倾斜时，由于各个上硅光电池的阳段及阴段的面积不同，根据多个上硅光电池的模拟电压值的不同，控制器则可以计算获得太阳相对于槽井的倾斜角度，计算精准，为光伏板的调整提供准确数据。

【技术实现步骤摘要】
太阳跟踪传感方法
本专利技术专利涉及太阳跟踪的
，具体而言，涉及太阳跟踪传感方法。
技术介绍
在光伏发电装置中，当光伏板与太阳光垂直时，光伏板接收太阳光的有效面积最大，发电效率最高。现有技术中，由于太阳一直处于运动中，太阳光与光伏板之间的角度则会时刻变化，往往都是根据人为判断太阳光的角度，进而调节光伏板的朝向，这样，则存在较大的误差，且效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供太阳跟踪传感方法，旨在解决现有技术中，人为判断太阳光角度存在较大误差的问题。本专利技术是这样实现的，太阳跟踪传感方法，提供顶部以及外周遮光的遮光块，所述遮光块顶部下陷形成上端开口的槽井，所述槽井的底部设置多个水平布置的上硅光电池，所述槽井具有纵向布置且透光的槽侧壁，多个所述上硅光电池沿着所述槽井的周向均匀间隔布置，多个所述上硅光电池分别电性连接控制器；所述上硅光电池具有被阳光照射到的阳段以及未被太阳照射到的阴段；所述上硅光电池输出模拟电压与其阳段的面积成正比；当太阳垂直槽井底部时，多个所述上硅光电池输出的模拟电压值一致，当太阳与槽井倾斜时，根据多个所述上硅光电池输出的模拟电压值，所述控制器计算获得所述太阳相对于槽井的倾斜角度。进一步的，沿着太阳倾斜照射方向，背光的所述上硅光电池的面积为S1＝b*向光的所述上硅光电池的面积为b为上硅光电池的宽度；L为太阳垂直照射槽井底部时，所述上硅光电池的阳段的长度；h为所述槽井的槽侧壁的高度；为太阳的倾斜角度。>进一步的，提供侧向不透光且具有内腔的纵向筒，所述纵向筒的顶部具有顶部开口，所述顶部开口连通所述纵向筒的内腔，所述纵向筒的顶部开口嵌入有所述遮光块。进一步的，所述上硅光电池具有延伸至所述槽井内的槽内段以及延伸处所述槽井外且置于遮光块内的槽外段。进一步的，所述遮光块的顶部下陷，形成下陷槽，所述下陷槽形成在所述槽井的外周，所述下陷槽中填充有透光板，所述透光板覆盖了槽井的上端开口。进一步的，所述槽井的中心位置设置有透光孔，所述透光孔贯穿所述遮光块的底部；所述纵向筒的内腔的底部设置有多个水平布置的下硅光电池，多个所述下硅光电池沿着内腔的中心位置的周向均匀间隔布置，多个所述下硅光电池分别电性连接控制器；当所述太阳垂直于所述槽井底部时，太阳光照射到多个所述下硅光电池。进一步的，所述槽井的底部设置有水平布置的上电路板，所述上电路板与控制器电性连接，多个所述上硅光电池连接在所述上电路板上，所述上电路板的中心位置设置有通孔，所述通孔位于所述透光孔的正下方，且形状一致。进一步的，所述纵向筒的底部具有底部开口，所述纵向筒的底部开口嵌入有底座，所述下硅光电池设置在所述底座上。进一步的，所述下硅光电池具有延伸至通孔正下方的通孔内段以及延伸处通孔正下方外侧的通孔外段。进一步的，所述底座上设置有水平布置的下电路板，所述下电路板与控制器电性连接，多个所述下硅光电池连接在所述下电路板上。与现有技术相比，本专利技术提供的太阳跟踪传感方法，当太阳垂直槽井的底部时，多个上硅光电池输出的模拟电压值是一致的，当太阳相对于槽井倾斜时，由于各个上硅光电池的阳段及阴段的面积不同，根据多个上硅光电池的模拟电压值的不同，控制器则可以计算获得太阳相对于槽井的倾斜角度，计算精准，为光伏板的调整提供准确数据。附图说明图1是本专利技术提供的太阳跟踪传感器的立体示意图；图2是本专利技术提供的太阳跟踪传感器的剖切示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。以下结合具体实施例对本专利技术的实现进行详细的描述。本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本专利技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。参照图1-2所示，为本专利技术提供的较佳实施例。本实施例提供的太阳跟踪传感方法，可以运用在光伏发电以及太阳光导入设备中，用于判断太阳的照射倾斜角度。太阳跟踪传感方法，提供顶部以及外周遮光的遮光块101，遮光块101顶部下陷形成上端开口的槽井102，也就是说，太阳光只能通过槽井102的上端开口，才能进入槽井102的内部。槽井102的底部设置多个水平布置的上硅光电池109，槽井102具有纵向布置且透光的槽侧壁，进入槽井102内部，且照射在槽侧壁上的阳光，则可以穿过槽侧壁。多个上硅光电池109沿着槽井102的周向均匀间隔布置，多个上硅光电池109分别电性连接控制器；上硅光电池109具有被阳光照射到的阳段以及未被太阳照射到的阴段；上硅光电池109输出模拟电压与其阳段的面积成正比；当太阳垂直槽井102底部时，多个上硅光电池109输出的模拟电压值一致，当太阳与槽井102倾斜时，根据多个上硅光电池109输出的模拟电压值，控制器计算获得太阳相对于槽井102的倾斜角度。上述提供的太阳跟踪传感方法，当太阳垂直槽井102的底部时，多个上硅光电池109输出的模拟电压值是一致的，当太阳相对于槽井102倾斜时，由于各个上硅光电池109的阳段及阴段的面积不同，根据多个上硅光电池109的模拟电压值的不同，控制器则可以计算获得太阳相对于槽井102的倾斜角度，计算精准，为光伏板的调整提供准确数据。沿着太阳倾斜照射方向，背光的上硅光电池109的面积为向光的上硅光电池109的面积为b为上硅光电池109的宽度；L为太阳垂直照射槽井102底部时，所述上硅光电池109的阳段的长度；h为所述槽井102的槽侧壁的高度；为太阳的倾斜角度。当太阳90°照射时，也就是垂直于槽井102的底部，太阳光未被遮光块101的顶部阻挡，上硅光电池109的阳段相同，光照强度相同，上硅光电池109输出的模拟电压值相同。当阳光相对于槽井102呈倾斜时，由于遮光块101的顶部的遮挡，背光的上硅光电池109的阳段减少，由于槽侧壁是透光的，向光的上硅光电池109的阳段增加。提供侧向不透光且具有内腔的纵向筒100，纵向筒100的顶部具有顶部开口，顶部开口连通纵向筒100的内腔，纵向筒100的顶部开口嵌入有遮光块101，这样，便于遮光块101的安装布置。上硅光电池109具有延伸至槽井102内的槽内段以及延伸处槽井102外且置于遮光块101内的槽外段。将上硅光电池109的部分隐藏在遮光块101内部，这样，当太阳的照射角度发生变化时，向光部分的上硅光电池109的阳段才会发生变化，便于计算。遮光块101本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.太阳跟踪传感方法，其特征在于，提供顶部以及外周遮光的遮光块，所述遮光块顶部下陷形成上端开口的槽井，所述槽井的底部设置多个水平布置的上硅光电池，所述槽井具有纵向布置且透光的槽侧壁，多个所述上硅光电池沿着所述槽井的周向均匀间隔布置，多个所述上硅光电池分别电性连接控制器；所述上硅光电池具有被阳光照射到的阳段以及未被太阳照射到的阴段；所述上硅光电池输出模拟电压与其阳段的面积成正比；当太阳垂直槽井底部时，多个所述上硅光电池输出的模拟电压值一致，当太阳与槽井倾斜时，根据多个所述上硅光电池输出的模拟电压值，所述控制器计算获得所述太阳相对于槽井的倾斜角度。/n

【技术特征摘要】
1.太阳跟踪传感方法，其特征在于，提供顶部以及外周遮光的遮光块，所述遮光块顶部下陷形成上端开口的槽井，所述槽井的底部设置多个水平布置的上硅光电池，所述槽井具有纵向布置且透光的槽侧壁，多个所述上硅光电池沿着所述槽井的周向均匀间隔布置，多个所述上硅光电池分别电性连接控制器；所述上硅光电池具有被阳光照射到的阳段以及未被太阳照射到的阴段；所述上硅光电池输出模拟电压与其阳段的面积成正比；当太阳垂直槽井底部时，多个所述上硅光电池输出的模拟电压值一致，当太阳与槽井倾斜时，根据多个所述上硅光电池输出的模拟电压值，所述控制器计算获得所述太阳相对于槽井的倾斜角度。


2.如权利要求1所述的太阳跟踪传感方法，其特征在于，沿着太阳倾斜照射方向，背光的所述上硅光电池的面积为向光的所述上硅光电池的面积为
b为上硅光电池的宽度；
L为太阳垂直照射槽井底部时，所述上硅光电池的阳段的长度；
h为所述槽井的槽侧壁的高度；

为太阳的倾斜角度。


3.如权利要求1或2所述的太阳跟踪传感方法，其特征在于，提供侧向不透光且具有内腔的纵向筒，所述纵向筒的顶部具有顶部开口，所述顶部开口连通所述纵向筒的内腔，所述纵向筒的顶部开口嵌入有所述遮光块。


4.如权利要求1或2所述的太阳跟踪传感方法，其特征在于，所述上硅光电池具有延伸至所述槽井内的槽内段以及延伸处所述槽井外且置于遮光块内的槽外段。


5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：简思鑫，赵伟，王洪宣，
申请(专利权)人：重庆浪尖智能科技研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50