抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈制造技术

技术编号:25967561 阅读:38 留言:0更新日期:2020-10-17 04:03
本实用新型专利技术公开了一种抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈。所述抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,通过将第一亥姆霍兹线圈固定安装在第二亥姆霍兹线圈中,且两者的几何中心和轴线重合设置,并且两者反向串联,且展开面积相等,当受到远端磁场的波动干扰而分别产生感应时,第一亥姆霍兹线圈的感应与第二亥姆霍兹线圈的感应可以直接抵消,从而使外部磁场的波动不再对积分有贡献,从而隔离了远端磁场的波动干扰,从而可以使用到更恶劣的环境中,并且相较于现有亥姆霍兹线圈连接磁通计进行自动或手动漂移偏置调节时准确度也更高。

【技术实现步骤摘要】
抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈
本技术涉及亥姆霍兹线圈
,特别地,涉及一种抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈。
技术介绍
亥姆霍兹线圈具有开敞性质,方便永磁材料样品置入或移出,适合用于对永磁材料样品的磁矩测量。现有利用亥姆霍兹线圈对永磁样品或永磁器件的磁矩进行测量的过程具体为:采用提拉法将永磁磁体从线圈的中心移除到线圈的外部,在此过程中因磁场的变化,亥姆霍兹线圈将有感应电压输出V,通过与线圈输出端连接的积分器将获得磁通量φ,将磁通量乘以线圈的磁矩线圈常数K,可获得样品的磁矩M。这也是大家所共知的传统方法。但是,测试亥姆霍兹线圈不光对永磁磁体的提拉进行感应积分,同时也会对空间磁场的波动进行感应积分,例如地磁波动、远端铁磁物移动引起的磁场变化、远端永磁材料移动引起的磁场变化等,这些远端磁场的波动干扰会对测试亥姆霍兹线圈的感应积分带来干扰,在有远端磁场波动的环境中不能保证测试结果的准确性和重复性。因此,现有的亥姆霍兹线圈无法适用于周围磁场变化的恶劣环境,在利用磁通计进行自动或手动漂移偏置调节时的准确度也无法控制,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,其特征在于,/n包括第一亥姆霍兹线圈(1)和第二亥姆霍兹线圈(2),所述第一亥姆霍兹线圈(1)固定安装在第二亥姆霍兹线圈(2)中,两者的几何中心和轴线均重合,所述第一亥姆霍兹线圈(1)和第二亥姆霍兹线圈(2)反向串联,且两者的展开面积相等。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,其特征在于,
包括第一亥姆霍兹线圈(1)和第二亥姆霍兹线圈(2),所述第一亥姆霍兹线圈(1)固定安装在第二亥姆霍兹线圈(2)中,两者的几何中心和轴线均重合,所述第一亥姆霍兹线圈(1)和第二亥姆霍兹线圈(2)反向串联,且两者的展开面积相等。


2.如权利要求1所述的抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,其特征在于,
所述第一亥姆霍兹线圈(1)包括第一线圈框架(11)和周向套设在第一线圈框架(11)上的第一对线圈,所述第二亥姆霍兹线圈(2)包括第二线圈框架(12)和周向套设在第二线圈框架(12)上的第二对线圈,所述第二线圈框架(12)的顶端中部镂空,所述第二线圈框架(12)的底端设置有安装板(13),所述第一线圈框架(11)固定安装在所述安装板(13)上且位于所述第二线圈框架(12)的内部,且所述第一对线圈和第二对线圈反向串联。


3.如权利要求1所述的抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,其特征在于,
所述第一亥姆霍兹线圈(1)的线...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱永红
申请(专利权)人:湖南省永逸科技有限公司
类型:新型
国别省市:湖南;43

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