半导体装置、图像捕获装置、图像捕获系统和移动物体制造方法及图纸

根据本发明专利技术，考虑了用于延长半导体装置的剩余寿命的驱动。可提供可以在图像捕获操作被实际执行之后估计剩余寿命的图像捕获装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、图像捕获装置、图像捕获系统和移动物体
本专利技术涉及一种半导体装置、图像捕获系统和移动物体。
技术介绍
近年来，已经使用了各种半导体装置。随着半导体装置的操作时段增加，更可能发生半导体装置的功能的丧失。例如，对于PTL1中公开的技术，描述了一种半导体装置，该半导体装置包括寿命估计单元，该寿命估计单元获取半导体装置的功能单元的劣化程度并根据劣化程度估计半导体的寿命。根据PTL1，当阈值电压由于半导体器件的劣化而增加时，电源电压Vdd增加。这使得功能单元的寿命得以增加。引用列表专利文献PTL1：日本专利特许公开号2017-173242
技术实现思路
技术问题在PTL1中公开的技术中，执行用于增加电源电压的驱动以增加半导体装置的寿命。但是，在一些情况下，电源电压的增加导致半导体装置的寿命的减少，并且驱动对于增加半导体装置的寿命不是最优的。另外，根本没有考虑图像捕获装置的寿命的估计。根据本专利技术，考虑了用于增加半导体装置的剩余寿命的驱动。问题的解决方案已鉴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：执行信号处理的半导体器件；控制所述半导体器件的驱动的驱动控制单元；以及获取表示所述半导体器件的剩余寿命的剩余寿命信息的寿命获取单元，/n其特征在于，在所述剩余寿命信息表示第一长度的情况下，所述驱动控制单元在第一条件下驱动所述半导体器件，以及/n在所述剩余寿命信息表示比所述第一长度短的第二长度的情况下，所述驱动控制单元在第二条件下驱动所述半导体器件，在所述第二条件下，信号处理的吞吐量低于在所述第一条件下驱动所述半导体器件的情况下的信号处理的吞吐量，并且所述半导体器件的剩余寿命比在所述第一条件下驱动所述半导体器件的情况下的剩余寿命长。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180227 JP 2018-033807;20180227 JP 2018-0338081.一种半导体装置，包括：执行信号处理的半导体器件；控制所述半导体器件的驱动的驱动控制单元；以及获取表示所述半导体器件的剩余寿命的剩余寿命信息的寿命获取单元，
其特征在于，在所述剩余寿命信息表示第一长度的情况下，所述驱动控制单元在第一条件下驱动所述半导体器件，以及
在所述剩余寿命信息表示比所述第一长度短的第二长度的情况下，所述驱动控制单元在第二条件下驱动所述半导体器件，在所述第二条件下，信号处理的吞吐量低于在所述第一条件下驱动所述半导体器件的情况下的信号处理的吞吐量，并且所述半导体器件的剩余寿命比在所述第一条件下驱动所述半导体器件的情况下的剩余寿命长。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其特征在于，在所述驱动控制单元在所述第一条件下驱动所述半导体器件的情况下，所述寿命获取单元以第一间隔获取所述剩余寿命信息，以及
在所述驱动控制单元在所述第二条件下驱动所述半导体器件的情况下，所述寿命获取单元以比所述第一间隔短的第二间隔获取所述剩余寿命信息。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，
其特征在于，所述剩余寿命信息是通过使用以下表达式(1)来获取的：
LT＝A×J-n×exp(Ea/kT)…(1)
其中，LT是所述剩余寿命信息，A是系数，Ea是激活能，J是布线的电流密度，n是电流加速因子，k是玻尔兹曼常数，并且T是温度。


4.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，
其特征在于，所述剩余寿命信息是通过使用以下表达式(2)来获取的：
LT＝A×exp(-γVg×Vg)×exp(Ea/kT)…(2)
其中，LT是所述剩余寿命信息，Vg是施加到晶体管的栅极的电压，并且γVg是电压加速因子。


5.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，
其特征在于，所述剩余寿命信息是通过使用以下表达式(3)来获取的：
LT＝A×Isub-m×exp(Ea/kT)…(3)
其中，LT是所述剩余寿命信息，Isub是流过半导体基板的电流，m是取决于基板电流的系数，Ea是激活能，k是玻尔兹曼常数，并且T是温度。


6.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，
其特征在于，所述剩余寿命信息是通过使用以下表达式(4)来获取的：
LT＝A×Vgn×exp(Ea/kT)…(4)
其中，LT是所述剩余寿命信息，A是系数，Ea是激活能，k是玻尔兹曼常数，T是温度，并且n是电流加速因子。


7.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，
其特征在于，所述半导体器件包括晶体管，以及
所述寿命获取单元基于流过所述晶体管的漏极电流随时间的变化来获取所述剩余寿命信息。


8.一种半导体装置，包括：执行信号处理的半导体器件；控制所述半导体器件的驱动的驱动控制单元；以及获取表示所述半导体器件的操作的经过时间的时间信息的时间获取单元，
其特征在于，在所述时间信息表示第一长度的情况下，所述驱动控制单元在第一条件下驱动所述半导体器件，以及
在所述时间信息表示比所述第一长度长的第二长度的情况下，所述驱动控制单元在第二条件下驱动所述半导体器件，在所述第二条件下，信号处理的吞吐量低于在所述第一条件下驱动所述半导体器件的情况下的信号处理的吞吐量，并且所述半导体器件的剩余寿命比在所述第一条件下驱动所述半导体器件的情况下的剩余寿命长。


9.根据权利要求1至权利要求8中的任一项所述的半导体装置，
其特征在于，所述第一条件是其中所述半导体器件的操作频率是第一频率的条件，以及
所述第二条件是其中所述半导体器件的所述操作频率是第二频率的条件，所述第二频率低于所述第一频率。


10.根据权利要求1至权利要求9中的任一项所述的半导体装置，
其特征在于，所述第一条件是其中供应给所述半导体器件的电源电压是第一电压的条件，以及
所述第二条件是其中供应给所述半导体器件的所述电源电压是第二电压的条件，所述第二电压的绝对值小于所述第一电压的绝对值。


11.根据权利要求1至权利要求10中的任一项所述的半导体装置，
其特征在于，所述第一条件是其中所述半导体器件的操作频率是第一频率的条件，以及
所述第二条件是其中所述半导体器件的所述操作频率是第二频率的条件，所述第二频率低于所述第一频率。


12.根据权利要求1至权利要求11中的任一项所述的半导体装置，
其特征在于，所述半导体器件包括像素，所述像素以行和列布置并且包括相应的光电转换器。


13.根据权利要求12所述的半导体装置，
其特征在于，所述半导体器件包括执行垂直扫描的扫描电路，在所述垂直扫描中以行为单位扫描行中的像素，
所述第一条件是其中每单位时间执行所述垂直扫描第一次数的条件，以及
所述第二条件是其中每单位时间执行所述垂直扫描第二次数的条件，所述第二次数小于所述第一次数。


14.一种图像捕获装置，包括：图像传感器，所述图像传感器包括像素，...

【专利技术属性】
技术研发人员：落合慧，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP