一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构，包括一个S型局部有源忆阻器LAM、一个电容C、一个电感L、一个线性电阻R和一个直流电压源V

【技术实现步骤摘要】
一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构
本专利技术涉及混沌电路
，特别涉及一种由S型局部有源忆阻器构成的混沌电路结构。
技术介绍
混沌行为是一种在确定的系统中出现的无规则、类随机性的现象，是非线性系统中特有的运动形式。混沌不仅作为理论与数值模拟的研究对象具有重要的意义，而且还可以技术实现，使得混沌理论在电子通信领域及其他工程领域具有广泛的应用前景。局部有源行为是一切复杂性的起源，具有放大微弱能量信号的能力。局部有源忆阻器指的是存在负微分电阻或者电导的忆阻器.已发现实际的纳米忆阻器件中呈现有局部有源特性，在其直流V-I图中呈现S型的负微分电阻特性，如NbOx,VO2和TaOx忆阻器，这类忆阻器被称为S型局部有源忆阻器。它们的伏安特性曲线分布在一三象限，是一种体无源、局部有源器件。通过利用S型局部有源忆阻器的非线性和局部有源特性，可以进一步设计混沌电路。S型局部有源忆阻器现有数学模型复杂，难以理论分析。基于S型局部有源忆阻器的混沌电路研究较少。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术存在的问题，提出了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构，其特征在于：电路包括一个S型局部有源忆阻器LAM、一个电容C、一个电感L、一个线性电阻R和一个直流电压源V

【技术特征摘要】
1.一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构，其特征在于：电路包括一个S型局部有源忆阻器LAM、一个电容C、一个电感L、一个线性电阻R和一个直流电压源VD；直流电压源VD的负极与地端相连，正极与电阻R的一端相连；电阻R的另一端与电容C、电感L的一端相连；电感L的另一端与S型局部有源忆阻器LAM相连；S型局部有...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁燕，卢振洲，李付鹏，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33