功率管驱动方法、驱动电路及开关电路技术

本发明专利技术公开了一种功率管驱动方法、驱动电路及开关电路，当功率管从关断到导通时，功率管电流小于第一电流时，第一电流环给功率管的驱动极充电；当所述功率管驱动极电压低于第一斜坡电压时，第一电压环上拉所述功率管驱动极。

【技术实现步骤摘要】
功率管驱动方法、驱动电路及开关电路
本专利技术涉及电力电子
，具体涉及一种功率管驱动方法、驱动电路及开关电路。
技术介绍
功率管的驱动方式一般有电流型驱动和电压型驱动两种方式。以NMOS管来举例说明，电流型驱动是用固定或者可变电流给功率管的栅极充电，使得NMOS的栅源电压VGS达到阈值电压以上，使开关管导通；电压型驱动通过运放或者电压源将栅极电压固定到某个电压，使开关管导通。但是，不同的MOS管的导通时间随着栅极电容的变化而变化，导致无法做到一致的MOS导通时间。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种功率管驱动方法、驱动电路及开关电路，用以解决现有技术中不同的MOS管的导通时间随着栅极电容的变化而变化，导致无法做到一致的MOS导通时间的问题。本专利技术的技术解决方案是，提供一种功率管驱动方法，当功率管为NMOS时，当功率管从关断到导通时，功率管电流小于第一电流时，第一电流环给功率管的驱动极充电；当所述功率管驱动极电压低于第一斜坡电压时，第一电压环上拉所述功率管驱动极。作为可选，所述第一电流环包括第一运放，所述第一运放接收功率管电流采样值，将所述功率管电流采样值和第一限流值进行运算放大，输出连接到所述功率管的驱动极。作为可选，所述功率管电流采样值和第一限流值进行运算放大，输出连接到所述第一电容；所述第一电容电压为第一斜坡电压；所述第一电压环包括第三运放，所述第三运放接收第一电容电压和所述功率管驱动极电压，将所述第一电容电压和所述功率管驱动极电压进行运算放大，输出连接到所述功率管驱动极。作为可选，当功率管从关断到导通时，功率管电流大于第一电流时，第一电流环给功率管的驱动极放电，第一电压环电流为零或者降低到第一电流阈值以下。作为可选，所述第一运放或/和所述第二运放或/和所述第三运放为电流型运放。本专利技术的又一技术解决方案是，提供一种功率管的驱动电路，当功率管为NMOS时，所述控制电路包括第一电流环和第一电压环；当功率管从关断到导通时，功率管电流小于第一电流时，第一电流环给功率管的驱动极充电；当所述功率管驱动极电压低于第一斜坡电压时，第一电压环上拉所述功率管驱动极。作为可选，还包括第二运放和第一电容；所述第一电流环包括第一运放；所述第一电压环包括第三运放；所述第一运放接收功率管电流采样值，将所述功率管电流采样值和第一限流值进行运算放大，输出连接到所述功率管的驱动极；所述第二运放接收功率管电流采样值，将所述功率管电流采样值和第一限流值进行运算放大，输出连接到所述第一电容；所述第一电容和所述功率管的驱动极连接到所述第三运放的输入端，并进行运算放大，输出连接到所述功率管的驱动极。作为可选，当功率管从关断到导通时，当所述功率管电流采样值大于所述第一电流，第一电流环给功率管的驱动极放电，第一电压环电流为零或者降低到第一电流阈值以下。作为可选，所述第一运放和所述第二运放的输出的最大电压为第一驱动电压，第一电容的限压值大于第一驱动电压。作为可选，还包括第一电流源，所述第一电流源以第一偏置电流上拉所述功率管的驱动极。本专利技术还提供一种开关电路。本专利技术的又一技术解决方案是，提供一种功率管驱动方法，当功率管为PMOS时，当功率管从关断到导通时，功率管电流小于第二电流时，第二电流环给功率管的驱动极放电；当所述功率管驱动极电压高于第二斜坡电压时，第二电压环下拉所述功率管驱动极。作为可选，所述第二电流环包括第四运放，所述第四运放接收功率管电流采样值，将所述功率管电流采样值和第二限流值进行运算放大，输出连接到所述功率管的驱动极。作为可选，所述功率管电流采样值和第二限流值进行运算放大，输出连接到所述第二电容；所述第二电容电压为第二斜坡电压；所述第二电压环包括第五运放，所述第五运放接收第二电容电压和所述功率管驱动极电压，将所述第二电容电压和所述功率管驱动极电压进行运算放大，输出连接到所述功率管驱动极。作为可选，当功率管从关断到导通时，功率管电流大于第二电流时，第二电流环给功率管的驱动极充电，第二电压环电流为零或者降低到第二电流阈值以下。作为可选，所述第四运放或/和所述第五运放或/和所述第六运放为电流型运放。本专利技术的又一技术解决方案是，提供一种功率管的驱动电路，所述控制电路包括第二电流环和第二电压环；当功率管从关断到导通时，功率管电流小于第二电流时，第二电流环给功率管的驱动极放电；当所述功率管驱动极电压高于第二斜坡电压时，第二电压环下拉所述功率管驱动极。作为可选，还包括第五运放和第二电容；所述第二电流环包括第四运放；所述第二电压环包括第六运放；所述第四运放接收功率管电流采样值，将所述功率管电流采样值和第二限流值进行运算放大，输出连接到所述功率管的驱动极；所述第五运放接收功率管电流采样值，将所述功率管电流采样值和第二限流值进行运算放大，输出连接到所述第二电容；所述第二电容和供电电压与所述功率管驱动极电压之差连接到所述第六运放的输入端，并进行运算放大，输出连接到所述功率管的驱动极。作为可选，当功率管从关断到导通时，当所述功率管电流采样值大于所述第二电流，第二电流环给功率管的驱动极充电，第一电压环电流为零或者降低到第二电流阈值以下。作为可选，所述第四运放和所述第五运放的输出的最小电压为第二驱动电压，第二电容的限压值大于第二驱动电压。作为可选，还包括第二电流源，所述第二电流源以第二偏置电流下拉所述功率管的驱动极。采用本专利技术的电路结构和方法，与现有技术相比，具有以下优点：导通过程中，使得不同栅极电容的MOS管的启动时间基本一致，并且可以限制MOS管的导通电流。附图说明图1为功率管为NMOS时的驱动电路的示意图；图2为功率管为PMOS时的驱动电路的示意图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细描述，但本专利技术并不仅仅限于这些实施例。本专利技术涵盖任何在本专利技术的精神和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。为了使公众对本专利技术有彻底的了解，在以下本专利技术优选实施例中详细说明了具体的细节，而对本领域技术人员来说没有这些细节的描述也可以完全理解本专利技术。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。需说明的是，附图均采用较为简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术的技术解决方案是，提供一种功率管驱动方法，当功率管为NMOS时，当功率管从关断到导通时，功率管电流小于第一电流时，第一电流环给功率管的驱动极充电；当所述功率管驱动极电压低于第一斜坡电压时，第一电压环上拉所述功率管驱动极。本专利技术在功率管导通过程中，使得不同栅极电容的MOS管的启动时间基本一致，并且可以限制MOS管的导通电流。在一个实施例中，请参考图1所示，所述第一电流环包括第一运放U11，所述第一运放U11接收功率管电流采样值VSEN1，将所述功率管电流采样值VSEN1和第一限流值VLIM1进行运算放本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率管驱动方法，其特征在于：当功率管为NMOS时，当功率管从关断到导通时，功率管电流小于第一电流时，第一电流环给功率管的驱动极充电；当所述功率管驱动极电压低于第一斜坡电压时，第一电压环上拉所述功率管驱动极。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率管驱动方法，其特征在于：当功率管为NMOS时，当功率管从关断到导通时，功率管电流小于第一电流时，第一电流环给功率管的驱动极充电；当所述功率管驱动极电压低于第一斜坡电压时，第一电压环上拉所述功率管驱动极。


2.根据权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：所述第一电流环包括第一运放，所述第一运放接收功率管电流采样值，将所述功率管电流采样值和第一限流值进行运算放大，输出连接到所述功率管的驱动极。


3.根据权利要求2所述的驱动方法，其特征在于：所述功率管电流采样值和第一限流值进行运算放大，输出连接到所述第一电容；所述第一电容电压为第一斜坡电压；所述第一电压环包括第三运放，所述第三运放接收第一电容电压和所述功率管驱动极电压，将所述第一电容电压和所述功率管驱动极电压进行运算放大，输出连接到所述功率管驱动极。


4.根据权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：当功率管从关断到导通时，功率管电流大于第一电流时，第一电流环给功率管的驱动极放电，第一电压环电流为零或者降低到第一电流阈值以下。


5.根据权利要求3所述的驱动方法，其特征在于：所述第一运放或/和所述第二运放或/和所述第三运放为电流型运放。


6.一种功率管的驱动电路，其特征在于：当功率管为NMOS时，所述控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：程扬，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33